برترین کاربران هفتگی این مقاله

از ۱۳۹۸/۰۹/۰۹ تا ۱۳۹۸/۰۹/۱۵

هیچ کاربری در این بازه زمانی وجود ندارد

آمار مقاله
  • بازدید کل ۱,۳۰۰
  • بازدید این ماه ۷۱
  • بازدید امروز ۰
آمار آزمون مقاله
  • کل شرکت کنندگان ۱۷۰
  • قبول شدگان ۱۵۱
  • شرکت کنندگان یکتا ۶۱
  • میانگین درصد شرکت کنندگان ۸۴
واژه نامه فناوری نانو

نانو

nano

پيشوندي به معناي يک بيليونم يا (000،000،000،1/1). در متون فناوري‌نانو، معمولا براي مشخص کردن يک واحد اندازه‌گيري برابر با 10 به توان منفي 9 متر استفاده مي‌شود.

سطح مقاله

پیشرفته 2

طرح درس

منابع دومین مرحله نهمین مسابقه ملی فناوری نانو

نویسندگان
کلمات کلیدی
امتیاز کاربران

معرفی طیف‌نگار الکترونی افت انرژی (EELS)

طیف‎نگاری الکترونی افت انرژی (Electron energy loss spectroscopy) به عنوان تکنیکی با کیفیت بالا محسوب می‎شود که برای آنالیز نمونه‎های نازک مورد استفاده قرار می‎گیرد. اساس این روش بر مبنای برخوردهای غیرالاستیکی است که در طی برخورد الکترون‎ها به نمونه ایجاد می‎شود. بعضی از الکترون‎هایی که متحمل پراکنش غیرالاستیک می‎شوند، بدون اینکه در مسیر حرکت آن‎ها تغییر قابل توجهی به وجود آید، مقداری از انرژی خود را از دست می‎دهند. بنابراین آن‎ها در باریکه الکترونی عبوری به همراه الکترون‎های پراکنش نیافته حضور خواهند داشت. مقدار افت انرژی که الکترون‎ها در طی پراکنش غیرالاستیک دارند، تابعی از عمل پراکنش تحمیلی است. این الکترون‎ها اصطلاحاً الکترون‎های افت انرژی EELS نامیده شده و جهت تصویر یا میکروآنالیز شیمیایی می‎توانند مورد استفاده قرار گیرند. بنابراین الکترون‎های ورودی که مقداری از انرژی خود را در طی این فرایند از دست می‎دهند، منبع اطلاعات EELS  هستند. برای هر نوع اتمی که برهمکنش می‎دهد، مقدار مشخصی انرژی از دست می‌رود. با اندازه‌گیری انرژی الکترون پراکنش یافته و کسر آن از انرژی الکترون ورودی، مقدار انرژی از دست رفته قابل محاسبه است. این افت انرژی مشخص‎کننده این است که چه نوع اتمی با الکترون ورودی برهمکنش داده، که در نهایت امکان شناسایی نمونه فراهم می‌شود [1].

مقدمه

زمانی که الکترون‎ها به نمونه برخورد می‎کنند، با اجزای تشکیل‎دهنده نمونه از طریق نیروهای الکترواستاتیک کولمبی برهمکنش می‎کنند. در نتیجه این نیروها، برخی از الکترون‌ها پراکنده شده، جهت حرکت آن‎ها تغییر کرده یا در بسیاری موارد مقداری از انرژی خود را به نمونه انتقال می‎دهند. بر این اساس می‌توان پراکندگی الکترون‎ها را در برخورد به نمونه به دو دسته الاستیک و غیرالاستیک طبقه بندی کرد.

پراکندگی الاستیک شامل برهمکنش کولمبی الکترون با هسته اتم است. هر هسته تمرکز بالایی از بار را نشان می‎دهد و میدان الکتریکی در نزدیکی آن از شدت بالایی برخوردار است، در نتیجه زمانی که الکترون برخوردی به آن نزدیک می‌شود، با زاویه زیاد منحرف می‎شود. این نوع پراکندگی به پراکندگی رادرفورد معروف است زیرا توزیع زاویه‎ای این پراکندگی مشابه با محاسبات انجام گرفته توسط رادرفورد برای پراکندگی ذرات آلفا است.

اکثر الکترون‎ها در فاصله بیشتری از هسته یک اتم حرکت می‎کنند، جایی که میدان هسته ضعیف‎تر است و در حقیقت هسته توسط الکترون‎های اتم مورد محافظت قرار می‎گیرد. در نتیجه بیشتر الکترون‎های برخوردی در زوایای کوچک‎تری پراکنده می‎شوند، که عمدتاً در مورد انرژی برخوردی 100KeV در حد چند درجه (100-10 میلی رادیان) است. در گاز یا جامد آمورف، اتم‎ها یا مولکول‎ها به طور مستقل از یکدیگر در پراکندگی نقش دارند، اما در جامد بلوری ماهیت موجی الکترون‎های برخوردی نمی‎تواند نادیده گرفته شود و تداخل بین امواج الکترونی پراکنده شده، پیوستگی توزیع شدت پراکندگی را تغییر می‎دهد و در زوایایی که مشخصه فاصله اتمی است، پیک‎های تیزی ایجاد می‎شود [3].

 


چندرسانه‎ای 1: طیف‎نگار الکترونی افت انرژی (EELS) - اساس روش طیف‎نگار الکترونی افت انرژی، برخوردهای غیرالاستیکی است که در اثر برخورد الکترون‎ها با نمونه ایجاد می‎شود. در این روش، انرژی سینتیکی الکترون‎ها پس از اینکه در برخورد غیرالاستیک بخشی از انرژی‎شان را از دست دادند، تجزیه و تحلیل می‎شود و از این طریق طیفی از اطلاعات نمونه نظیر ترکیبات عنصری، حالت پیوند اتمی و ضخامت بلور و... به دست می‎آید. 

 

1- پراکندگی غیرالاستیک
پراکندگی غیرالاستیک ناشی از برخورد بین الکترون برخوردی با الکترون‎های اتمی اطراف هر اتم است. پراکندگی غیرالاستیک یک عبارت کلی است که به هر فرآیندی که باعث می‎شود الکترون اولیه مقدار محسوسی از انرژی خود ΔE را از دست بدهد، اطلاق می شود. برای تجهیزاتی که معمولاً در میکروسکوپ‎های الکترونی به کار می‎رود، ΔE باید بسیار بیشتر از 0.1eV باشد تا قابل مشاهده شود. فرایندهای بسیاری وجود دارد که باعث از دست رفتن انرژی الکترون اولیه و انتقال آن به الکترون‎ها یا اتم‎های نمونه می‎شوند. فرایندهای تفرق غیرالاستیکی (احتمالاً به صورت ترکیبی) باعث توقف یک الکترون توسط یک جامد می‎شوند. تقریباً تمام انرژی سینتیک الکترون اولیه، در نمونه به حرارت تبدیل می‎شود. بخش کوچکی از انرژی ممکن است به صورت پرتو X، نور یا الکترون‎های ثانویه فرار کند.

 

1-1- پراکندگی فونون
فونون‎ها کوانتای ارتعاشات اتمی در جسم جامد هستند. یک الکترون اولیه می‎تواند با تولید یک فونون، انرژی از دست داده و انرژی حرارتی به جسم وارد کند. مقدار افت انرژی در این تفرق (معمولاً کمتر از 1eV) و پویش آزاد میانگین برای الکترون‎ها (معمولاً در محدوده میکرومتر) بسیار کوچک هستند. این حقیقت بدین معناست که تفرق فونون بی‎اهمیت بوده و قابل اندازه‌گیری نیست. باید به این نکته توجه شود که تمام الکترون‎هایی که در جسم باقی می‎مانند، احتمال دارد که بعد از این که مقادیر بیشتری از انرژی را به روش‎های دیگر از دست دادند، نهایتاً فونون ایجاد کنند. همچنین وقتی تفرق اتفاق می‎افتد، الکترون متفرق شده معمولاً تحت زاویه نسبتاً بزرگی (بیش از 10 درجه) منحرف می‎شود [2].

 

2-1- پراکندگی پلاسمون
پلاسمون یک موج ایجاد شده توسط دریای الکترون‌های باند هدایت فلزات است. در غیرفلزات نیز اثرات مشابهی در الکترون‎های پیوندهای اتمی به وجود می‌آید. در پراکندگی پلاسمون، پرتو اولیه 5 تا 30 الکترون ولت از دست داده و پویش آزاد میانگین کوچکی (برای اغلب مواد حدود چند صد نانومتر) برای الکترون ثانویه ایجاد می‌کند. این نوع تفرق، در واکنش الکترون- جسم جامد بسیار اتفاق می‎افتد.

 

3-1- برانگیختگی تک الکترون ظرفیت
احتمال کمی وجود دارد که یک الکترون اولیه به جای دریای الکترون، مقداری انرژی به یک تک الکترون ظرفیت منتقل کند. پویش آزاد میانگین برای این فرایند بزرگ (در حد میکرومتر) و افت انرژی کوچک (حدود 1 الکترون ولت) و زاویه تفرق هم کوچک است. این فرایند در میکروسکوپ الکترونی اهمیت زیادی ندارد.

 

4-1- برانگیختگی مدار داخلی
یک شکل نادر ولی با ارزش تفرق غیرالاستیک، بیرون کردن یکی از الکترون‎های مدار داخلی است. از آنجا که انرژی پیوند الکترون‎های مدار K و L بزرگ است، افت انرژی الکترون اولیه هم بسیار بزرگ خواهد بود. به عنوان مثال، 508.69 الکترون ولت برای بیرون کردن یک الکترون تنگستن K و 1100 الکترون ولت برای بیرون کردن یک الکترون مس L لازم است [2].

 


شکل 1- دیاگرام سطح انرژی یک جامد، شامل لایه L و K  و باندهای ظرفیت حالات غیرمستقر، EF سطح فرمی و Evac سطح خلأ است [3].

 

2- طیف‌نگار
طیف‎نگار الکترونی بعد از نمونه نصب می‌شود و معمولاً آخرین قسمت میکروسکوپ را تشکیل می‎دهد. اصول کار دستگاه این است که از یک میدان مغناطیسی برای انحراف تمام الکترون‎ها در زاویه حدود 90 درجه استفاده می‎شود. هرچه انرژی الکترون‎ها بیشتر باشد، میزان انحراف آن‎ها کمتر است و بنابراین پرتو الکترونی به طیفی از انرژی‎های مختلف تقسیم می‎شود.

 


چندرسانه‎ای 2: فیلتر کردن انرژی با استفاده از روش طیف‎نگار الکترونی افت انرژی (EELS)

 

دو راه برای آشکارسازی طیف وجود دارد. اگر فقط یک آشکارساز وجود داشته باشد، می‎توان با تغییر دادن قدرت میدان، طیف را در مقابل شکاف آشکارساز، اسکن کرده و به این ترتیب هر انرژی به نوبت آشکار می‎شود. اما با استفاده از آشکارساز حساس به موقعیت می‎توان تمام طیف را به صورت همزمان آشکار کرد. این را طیف نگار موازی می‎نامند و این تکنیک به عنوان طیف‎نگاری موازی افت انرژی الکترون نامیده می‎شود. اغلب طیف‎نگارهای اولیه از نوع سری بودند. اگرچه امروزه طیف‎نگارهای موازی به دلیل راندمان بالا بسیار متداول شده‎اند. فرض کنید برای طیفی شامل یک هزار نقطه، شمارش الکترون‎هایی با یک هزار انرژی متفاوت لازم باشد. یک طیف‌نگار سری یک هزارم وقت آنالیز را صرف شمارش یک انرژی می‌کند، در حال که یک طیف‌نگار موازی تمام انرژی‎ها را در تمام طول زمان آنالیز می‎شمارد. بعضی عدم کارایی‎ها در آشکارساز موازی باعث می‎شود که مزیت آن کاملاً هزار به یک نباشد ولی به هر حال سیستم‌های آشکارساز موازی در حال حاضر اکثریت طیف‎نگارها را تشکیل می‌دهند [3].

 

3- طیف آنالیز کمی
معمولاً طیف EEL از سه ناحیه تشکیل می‎شود:
- الکترون‎هایی که تفرق غیرالاستیک قابل توجهی ندارند؛ این الکترون‌ها که معمولاً اکثریت الکترون‎ها را تشکیل می‌دهند، پیک صفر را تشکیل می‎دهند.
- ناحیه با افت انرژی کم که شامل الکترون‎هایی است که تا 50eV انرژی از دست داده‎اند. این ناحیه معمولاً در اثر تفرق پلاسمون پدیدار می‌شود. همچنین ممکن است چند پیک مربوط به افت پلاسمون در طیف وجود داشته باشد. اولین پیک، مربوط به الکترون‎هایی است که در طی عبور از نمونه، یک پلاسمون به وجود آورده‎اند. این در حالی است که دومین پیک پلاسمون و پیک‌های بعدی مربوط به الکترون‎هایی است که دو پلاسمون یا بیشتر را ایجاد کرده‌اند. پیک‎های پلاسمون چندان برای آنالیز مناسب نیستند.
- برای مقاصد مشخصه‌یابی مواد، مطالعه لبه‎های مشخصه در مقادیر بیشتر افت انرژی مفیدتر است. تعداد الکترون‌هایی که لبه‌های مشخصه را می‌سازد، الکترون‌هایی که انرژی زیادی از دست می‎دهند، کم است. اما انرژی‎های لبه‎های مربوط به تحریک لایه‎های داخلی، به اندازه پیک‎های پرتو X مشخصه، عناصر مورد بررسی هستند. این لبه‎ها هستند که معمولاً برای آنالیز EELS استفاده می‎شوند.
آنالیز کیفی با تعیین انرژی هر لبه قابل مشاهده، معمولاً 2000-100 الکترون ولت، و مقایسه آن‎ها با جداول مربوط به عناصر انجام می‌شود. شکل 2 قسمتی از طیف EEL نیتریت بور را نشان می‌دهد. در این شکل لبه 188eV از انتقال K مربوط به عنصر بور ناشی می‌شود. این در حالی است که لبه 399eV مربوط به نیتروژن است.

 


شکل 2- قسمتی از طیف EEL از نیتریت بور که لبه‎های K مربوط به بور و نیتروژن را نشان می‌دهد.

 

لبه‌های انرژی EELS و پرتو X مشخصه، به دلیل منشأ مشترک دارای انرژی‌های تقریباً مشابه هستند. البته اصولاً لبه‌های انرژی (جذب) EELS باید کمی بالاتر از پیک‌های (انتشار) پرتوهای X مربوطه باشند. یکی از نقاط قوت EELS آن است که می‎توان از آن برای آشکارسازی لبه‎های عناصری که پرتو X نمی‎توانند آن را آشکار کند (هلیم، لیتیم و بریلیم)، استفاده کرد.

در اصل استنتاج ترکیب شیمیایی یک نمونه از روی طیف EEL انجام می‌پذیرد. اندازه هر لبه با تعداد اتم‌های آن عنصر در ناحیه آنالیز شده نمونه، متناسب است. اگر بتوان لبه هر عنصر در نمونه را شناسایی و اندازه هر لبه را اندازه‎گیری کرد، می‎توان ترکیب شیمیایی نمونه را محاسبه کرد. این اساس آنالیز کمی است اما انجام آنالیز مقداری نیز پیچیده است.

 


چندرسانه‎ای 3: کاربرد طیف‎نگارالکترونی افت انرژی (EELS) در شناسایی ترکیب شیمیایی نمونه


باید ابتدا احتمال این که الکترون‎هایی با انرژی مشخص، یک اتم را تحریک کنند در نظر گرفته شود. این احتمال با استفاده از یک سطح مقطع احتمالی برای تحریک مدار داخلی استنتاج می‎شود. سطح مقطع لازم برای تحریک یک لایه به خصوص (معمولاً از لایه K به عنوان مثال در نظر گرفته می‎شود)، به نوع عنصر، محدوده زوایایی که الکترون‌هایی به درون طیف سنج پذیرفته می‎شوند β، و محدوده انرژی Δ که در نظر گرفته می‎شود، بستگی دارد. سطح مقطع برای عناصر با عدد اتمی بالا کاهش می‎یابد. این در حالی است که با افزایش β یا Δ سطح مقطع افزایش می‎یابد. طیف‎نگاری با β ثابت، لبه‎های عناصر سبک را با شدت بسیار بیشتری از عناصر حتی با عدد اتمی متوسط نشان می‎دهد. از آنجا که لبه‎های عناصر با جرم اتمی متوسط، بسیار کوچک هستند، تکنیک EELS خصوصاً برای آنالیز عناصر سبک، ابزاری قدرتمند است.

یکی از محدودیت‎های عمده آنالیز EELS این است که هر لبه همانند ناحیه با افت انرژی کم، پهن می‎شود. به عبارت دیگر هر الکترونی که یک مدار داخلی را تحریک می‎کند، می‎تواند یک یا چند پلاسمون نیز ایجاد کند. این باعث می‎شود که لبه در طیف حاصله در افت انرژی بالاتری ظاهر شود و در نتیجه شکل ایده‎آل لبه از دست می‎رود و پهن شود. با ضخیم‎تر شدن نمونه این اثر شدیدتر می‎شود. تیزترین لبه‎ها توسط نواحی بسیار نازک نمونه تولید می‎شوند. اما معمولاً آنالیز مناطقی که آنقدر نازک باشند که پلاسمون‎های کمی را ایجاد کند، عملی نیست. همچنین در این موارد سیگنال (یعنی تعداد شمارش‎های طیف) بسیار کوچک و صحت آماری هم بسیار پایین است. بنابراین در اغلب موارد آنالیز، باید شرایط بهینه‎ای بین قدرت و سیگنال و عدم وضوح لبه، برقرار شود.

مثالی از آنالیز EELS در شکل 3 از الماس، گرافیت و C60 نشان داده شده است. این مواد از نظر ترکیب شیمیایی تنها از کربن ساخته شده‎اند و به دلیل وجود کربن در ساختار آن‎ها، همگی آن‎ها با پیک‎های جذبی در حدود 248eV در EELS مشخص شده‌اند. از آنالیز شکل پیک‎های جذب، اختلاف پیوند و وضعیت الکترونی آن‎ها می‎تواند آشکار شود [2].

 


شکل 3- مقایسه پیک‎های جذب (EELS) الماس، گرافیت و C60.

 

4- اطلاعات مورد استفاده از روش EELS
1- آنالیز ترکیب عنصری

 


چندرسانه‎ای 4: کاربرد طیف‎نگار الکترونی افت انرژی (EELS) در EDXS - طیف‎نگار الکترونی افت انرژی به عنوان تکنیکی با کیفیت بالا جهت آنالیز نمونه‎های نازک به کار می‎رود که یکی از کاربردهای آن در روش EDXS است. در EDXS، از برهمکنش الکترون‎های لایه داخلی اتم‎های نمونه و پرتو الکترونی، فوتون‎های اشعه ایکس تحریک می‎شوند، که از مقایسه شدت پیک‎های اشعه ایکس غلظت نسبی هر عنصر در نمونه مشخص می‎شود.


2- اطلاعات در مورد پیوندهای شیمیایی
3- پراکندگی اتم‎های مجاور
4- ضخامت بلور
5- اطلاعات مربوط به ظرفیت
6- تابع دی‎الکتریک کمپلکس

 

5- معایب روش EELS
1- همراه با دستگاه TEM ساخته می‎شود، بنابراین تکنیک پرهزینه‎ای است که با تخریب نمونه نیز همراه است.
2- آماده‎سازی نمونه خیلی وقت‎گیر است.
3- ابعاد نمونه کوچک است.
4- گرچه EELS قادر به استخراج اطلاعات به کمک انرژی است، اما تفکیک مکانی آن توسط دستگاه TEM محدود می‌شود [2].

 

نتیجه‌گیری
طیف‎نگاری الکترونی افت انرژی به عنوان تکنیکی با کیفیت بالا محسوب می‎شود که برای آنالیز نمونه‎های نازک مورد استفاده قرار می‎گیرد. از این تکنیک جهت دستیابی به اطلاعاتی نظیر آنالیز ترکیب عنصری، پیوندهای شیمیایی، پراکندگی اتم‌های مجاور، ضخامت بلور، ظرفیت اتم و تابع دی‎الکتریک کمپلکس استفاده می‌شود.

 

منابـــع و مراجــــع

1. پیروز مرعشی، سعید کاویانی، حسین سرپولکی و علیرضا ذوالفقاری، اصول و کاربرد میکروسکوپ¬های الکترونی و روش¬های نوین آنالیز ابزار شناسایی دنیای نانو، چاپ اول، دانشگاه علم و صنعت ایران، 1383.

2. مرتضی رزم آرا، مبانی و کاربرد میکروسکوپ‎های الکترونی و رو‌ش‌های آنالیز پیشرفته، مشهد، ارسلان، 1384.

3. R. F. Egerton, “Electron Loss Energy Spectroscopy in Electron Microscope”, 2nd Edition, plenum press, (1996).