برترین کاربران هفتگی این مقاله

از ۱۳۹۸/۰۴/۰۱ تا ۱۳۹۸/۰۴/۰۷

هیچ کاربری در این بازه زمانی وجود ندارد

آمار مقاله
  • بازدید کل ۳۷۴
  • بازدید این ماه ۱۶
  • بازدید امروز ۰
آمار آزمون مقاله
  • کل شرکت کنندگان ۵۱
  • قبول شدگان ۵۰
  • شرکت کنندگان یکتا ۱۳
  • میانگین درصد شرکت کنندگان ۹۲
واژه نامه فناوری نانو

نانو

nano

پيشوندي به معناي يک بيليونم يا (000،000،000،1/1). در متون فناوري‌نانو، معمولا براي مشخص کردن يک واحد اندازه‌گيري برابر با 10 به توان منفي 9 متر استفاده مي‌شود.

سطح مقاله

پیشرفته 1

طرح درس

منابع دومین مرحله نهمین مسابقه ملی فناوری نانو

کلمات کلیدی
امتیاز کاربران

رسوب‌دهی شیمیایی از فاز بخار آلی-فلزی (MOCVD) (2)

در این مقاله روش رسوب‌دهی شیمیایی از فاز بخار آلی–فلزی (Metal-organic CVD) به عنوان زیرمجموعه روش رسوب‎دهی شیمیایی از فاز بخار (CVD) معرفی شده است. گستره وسیعی از ترکیبات آلی-فلزی در این روش به‌عنوان پیش‌ ماده به‌کاربرده می‌شوند. این‌ها ترکیباتی هستند که در آن اتم یک فلز به یک یا چند اتم کربن، هیدروژن (هیدرید) یا گروه هیدروکربن آلی، متصل است. با استفاده از این روش، رشد هم‌بافته برای گستره وسیعی از ترکیبات نیمه‎رسانا III-V و II-VI فراهم می‌آید. آینده بسیار پرکاربردی برای این روش خصوصاً در مصارف اپتوالکترونیکی تصور می‌شود. در این مقاله تجهیزات لازم جهت انجام این فرآیند، واکنش‎هایی که می‎توان با این فرآیند انجام داد و کاربردهای فرآیند MOCVD به‌خصوص در صنعت ساخت تجهیزات نوری، مورد بررسی قرار گرفته است.

1- مقدمه
CVD روشی است که در آن به‌طور ساده جریان گازهای پیش ماده در یک محفظه از روی بستری که قرار است پوشش‎دهی شود، عبور می‌‎کند. در این روش واکنش‎های شیمیایی بر روی (یا در نزدیکی) سطوح داغ رخ می‎دهد. در نتیجه رسوب لایه به صورت یک فیلم نازک بر روی سطح به وجود می‌آید. این فرآیند منجر به تولید مواد شیمیایی می‌شود. رسوب‎دهی شیمیایی بخار به صورت آلی–فلزی (Metal-organic CVD) یک فرآیند تخصصی و نسبتاً جدید از CVD است. برای اولین بار در دهه 1960 از این روش برای رسوب‎دهی ایندیم فسفید (InP) و ایندیم آنتیمونید (InSb) استفاده شد. کیفیت و پیچیدگی تجهیزات و تنوع و خلوص پیش‎ماده‎های شیمیایی به طور پیوسته از آن به بعد بهبود یافته است. در حال حاضر MOCVD در مقیاس وسیع به ویژه در ساخت نیمه‎هادی و کاربردهای اپتوالکترونیک استفاده می‌شود [2و1]. MOCVD به نام‌هایی همچون metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), organometallic CVD (OMCVD و organometallic VPE (MOVPE) نیز شناخته می‎شود [3].
آزمایش‎های اولیه نشان داده است که رسوب‎دهی مواد نیمه‎هادی مهم می‎تواند در دمایی پایین‎تر از CVD گرمایی اتفاق افتاده و رشد همبافته (epitaxial) می‌تواند با موفقیت به دست آید. در رشد هم‎بافته (Epitaxial Growth)، رشد بلور با نظم مشخصی (نسبت به بستر یا ویفر نیمه‎رسانا) اتفاق می‌افتد. به عنوان مهمترین قابلیت روش MOCV می‌توان به رشد هم‎بافته لایه‌های دارای Al و P اشاره کرد که با روش‌های معمول رشد هم‎بافته مانند رشد هم‎بافته باریکه الکترونی (MBE-Molecular Beam Epitaxy) قابل دستیابی نیست [4].

در واقع می‌توان گفت که روش MOCVD عبارت است از رشد لایه‌نازک از ترکیبات نیمه‌رسانا بر بستر که براساس تخریب حرارتی همزمان (Co-pyrolysis) مخلوطی از پیش‎ماده‌های آلی-فلزی اتفاق می‌افتد. به طور کلی نیمه‎رساناهای ترکیبی III-V و II-VI با کیفیت بالای مورد استفاده برای تجهیزات اپتوالکترونیکی می‌‌توانند با این روش تهیه شوند. نیمه‎رساناهای ترکیبی گروه III-V به‌طور ویژه برای ساخت لیزرها، دیودهای منتشرکننده نور (Light Emitting Diode- LEDs) و آشکارسازهای نوری (Photodetectores) به کار می‎روند و نیمه‌رساناهای ترکیبی II-VI در آشکارسازهای مادون قرمز دور (Far-infrared) و تابش‎کننده‌های مرئی آبی رنگ کاربرد دارند. سرعت حرکت الکترون در این ترکیبات در مقایسه با همتای سنتی خود یعنی Si، بالاتر است و بر این مبنا تجهیزات الکترونیکی با فرکانس بالا قابلیت تولید خواهند داشت. همین امر است که منجر به ارتقای اهمیت روش MOCVD برای تشکیل لایه‌های هم‎بافته از این نیمه‎رساناها می‌شود. لذا محصول این فرآیند معمولاً یک فیلم تک‌بلور (Single Crystal) است [4].


شکل 1- عناصر سازنده نیمه‎رساناهای ترکیبی III-V مورد استفاده در ترکیبات اپتوالکترونیکی نظیر LED، سلول خورشیدی، ترانزیستورها و آشکارسازهای نوری

 

2- پیش‌ ماده‌های روش MOCVD
در روش MOCVD، معمولاً از یک هیدرید فلز (مانند AsH3) و یک پیش ماده آلی-فلزی (مثل آلکیل فلز) استفاده می‌شود. ترکیبات آلی-فلزی ترکیباتی هستند که در آن‌ها اتم یک عنصر فلزی به یک یا چند اتم کربن یا یک گروه هیدروکربن آلی متصل است. بسیاری از عناصر مورد استفاده در MOCVD فلزات گروه‌های IIA ،IIB ،IIIB ،IVB ،VB، و VIB هستند که غیرواسطه هستند. در تعریف کلی، ترکیبات آلی-فلزی پیوند کربن–فلز دارند اما در کل بسیاری از ترکیبات مورد استفاده می‌توانند شامل پیوندهای فلز-اکسیژن (M-O)، فلز نیتروژن (M-N) و حتی هیدریدهای فلزی (M-H) نیز باشند. ترکیبات آلی-فلزی به وجود آمده از هالیدها و کربونیل‎ها، پیش‎ماده‎هایی هستند که برای رسوب‎دهی فلزات واسطه (گروه‎های IVA ،VA و VIA) و ترکیبات آن‌ها به‌کار می‌روند. هرچند عبارت آلی-فلزی به‌طور کلی در فرآیند رسوب‎دهی شیمیایی بخار استفاده می‎شود، در آن از ترکیبات عناصری مانند سیلیکون، فسفر، آرسنیک، سلنیم و تلوریم (شبه فلزات و نافلزات) نیز استفاده می‎شود. به بیان دیگر می‌توان از این روش برای رسوب‌دهی ترکیبات غیرفلزی نیز بهره برد [4]. در این بخش دسته بندی ترکیبات مورد استفاده در این روش توضیح داده خواهد شد:


آلکیل‌ها: آلکیل‎ها یکی از اصلی‌ترین گروه‎های رسوب‎دهی بخار شیمیایی آلی–فلزی هستند. این دسته از مواد با واکنش هیدروکربن‎های آلیفاتیک (aliphatic) یا آلکیل هالیدها با یک فلز تشکیل می‌شوند [5]. این هیدروکربن‎ها از زنجیره‎ای از اتم‎های کربن تشکیل شده‎اند و هیچ حلقه کربنی در این ترکیبات دیده نمی‎شود؛ در ترکیبات آلکیلی و آلیفاتیکی پیوند بین اتم‎ها صرفاً به صورت پیوند یگانه است، که در زیر نشان داده می‎شوند [6]. این آلکیل‎ها فرار و غیرقطبی هستند. تر کیبات آلی–فلزی متیل در 200 درجه سانتیگراد و برای اتیل در 110 درجه سانتیگراد تجزیه می‎شوند:

 

ترکیبات آلی حلقوی: به عنوان پیش‌ماده‌ دیگری از ترکیبات رایج در MOCVD از هیدروکربن‎های آلی حلقوی استفاده می‎شود، که در آن‌ها اتم‎های کربن مانند سیکلوپنتان تشکیل حلقه می‌دهند [4].

 

ترکیبات آریل (Aryl): دیگر ترکیبات MOCVD آریل‎ها هستند، که از هیدروکربن‎های آروماتیک تشکیل شده‎اند، ترکیبات آروماتیک ترکیباتی هستند که دارای حداقل یک حلقه 6 عضوی با 6 پیوند هستند که سه پیوند آن به صورت دوگانه (غیرمستقر) است، در شکل زیر گروه فنیل نمایش داده شده است [4]:


ترکیبات آلی-فلزی آلکیلی، آلسیلیکی و آریلی و خواص مربوطه‎شان در جدول 1 گزارش شده است [7]. بسیاری از ترکیبات که در رفرنس 8 گزارش شده، به صورت تجاری در دسترس هستند [8].
بیشتر ترکیبات آلی-فلزی به استثنا ترکیب مهمی مانند تری متیل آلومینیم (که دایمر است)، مونومر هستند. فشار بخار آن‎ها معمولاً به طور مستقیم به وزن مولکولی مرتبط است که ترکیبات با وزن مولکولی پایین‎تر، فراریت بیشتری دارند [7].

ترکیبات آلی-فلزی مفید به عنوان پیش‎ماده‎های CVD باید در دمای اتاق پایدار باشند، به طوری که ذخیره‎سازی و انتقال آن‎ها در دمای اتاق بدون مشکل باشد. همچنین باید به آسانی در درجه حرارت پایین، به عنوان مثال زیر 500 درجه سانتی گراد، تجزیه شوند. ترکیبات ذکر شده در جدول 1 (به غیر از الکیل آرسنیک و فسفر، که در دماهای بالاتر تجزیه می‌شوند) از این شرایط برخوردارند. به همین دلیل، هیدریدهای آرسنیک و فسفر غالباً به عنوان پیش‌ماده‎های CVD ترجیح داده می‎شوند. این هیدریدها بسیار سمی هستند و ملاحظات زیست محیطی ممکن است استفاده از آن‎ها را محدود کند [7].

 

جدول 1- ترکیبات آلی-فلزی آلکیلی، آلسیلیکی و آریلی

ترکیب فرمول شیمیایی نوع نقطه ذوب (°C) نقطه جوش (°C) فشار بخار (mm)
تری متیل آلومینیم CH3)3Al) آلکیل 15 126 8.4 در 0°C
تری اتیل آلومینیم C2H5)3Al) آلکیل 58- 194  
تری ایزوبوتیل آلومینیم C4H9)3Al) آلکیل 4 130  
دی ایزوبوتیل آلومینیم هیدرید C4H9)2AlH) آلکیل 70- 118  
تری متیل آرسنیک CH3)3As) آلکیل     238 در C°20
دی اتیل آرسنیک C2H5)2AsH2) آلکیل     0.8 در C°8
دی اتیل بریلیوم C2H5)2Be) آلکیل 12 194  
دی فنیل بریلیوم C6H5)2Be) آلکیل      
دی متیل کادمیم CH3)2Cd) آلکیل 4 105 28 در C°20
هپتا دی اونات سزیم TMHD)4Ce) آلکیل 250 (تجزیه)   0.05 در C° 130
تری متیل گالیم CH3)3Ga) آلکیل 15- 5 64 در 0°C
تری اتیل گالیم C2H5)3Ga) آلکیل 82- 143 18 در C°48
سیکلو پنتا دی انیل جیوه C5H5)2Hg) حلقوی      
دی متیل جیوه CH3)2Hg) آلکیل 96    
تری متیل ایندیم CH3)3In) آلکیل 88 134 1.7 در C°20
تری اتیل ایندیم C2H5)3In) آلکیل 32- 184 3 در C°53
دی اتیل منیزیم C2H5)2Mg) آلکیل      
تری اتیل فسفر C2H5)3P) آلکیل     10.8 در C°20
تترا متیل سرب CH3)4Pb) آلکیل      
تری متیل آنتیموان CH3)3Sb) آلکیل      
تری متیل قلع CH3)3Sn) آلکیل      
سیکلو پنتا دی انیل قلع C5H5)2Sn) حلقوی      
دی اتیل تلورید C2H5)2Te) آلکیل     7 در C°20
دی متیل روی CH3)2Zn) آلکیل 42- 46 124 در 0°C
دی اتیل روی C2H5)2Zn) آلکیل 28- 118 6.4 در C°20

توجه: بسیاری از این ترکیبات به ویژه آلکیل پایین‎تر بسیار واکنش‎پذیر هستند. بسیاری از آن‎ها فرار، آتش‎زا و در برخی موارد در تماس با آب واکنش انفجاری نشان می‎دهند و برخی سمی هستند که باید قبل از استفاده، توصیه‎های سازنده مورد مطالعه قرار گیرد.

 

3- فرآیند MOCVD
در فرایند MOCVD، یک یا چند جزء از فیلم نهایی در قالب آلکیل فلز و برخی دیگر معمولاً به صورت هیدریدها به محل واکنش منتقل می‌شوند. به عنوان یک مثال خاص، رشد گالیوم آرسناید GaAs به وسیله فرآیند MOCVD با استفاده از تری متیل گالیم (TMGa) به عنوان منبع گالیم اتفاق می‌افتد و هم‌زمان از پیش ماده هیدرید آرسنیک هم استفاده می‌شود [9]. واکنش اصلی تشکیل GaAs را می‎توان به صورت زیر نوشت:

واکنش (1)سادگی اساسی واکنش 1 و ماهیت گازی واکنش‎دهنده‎ها، فرآیند MOCVD را به عنوان یک تکنولوژی رشد هم‎بافته مفید تبدیل‌ کرده است [9]. تجزیه حرارتی (pyrolysis) ترکیبات آلی فلزی یا هیدریدها و ترسیب یا بازترکیبی گونه‎های اتمی-مولکولی در نزدیکی بستر گرم رخ می‎دهد. شدت پیشرفت فرایند را می‎توان با توجه به فشار بخار پیش‌‌ماده‌ها، کنترل‎کننده‌های سرعت جریان (با بهره‌گیری از کنترل‎کننده‌های الکترونیکی) و با کنترل فشارهای جزئی واکنش‎دهنده ‎ها کنترل کرد. با توجه به ویژگی واکنش‌های تخریب حرارتی، وجود بستر گرم برای انجام واکنش نیاز است تا از رسوب کارآمد اطمینان حاصل شود، در نتیجه به طور ساده برای کنترل ترسیب به کنترل درجه حرارت نیاز است. بنابراین می‌توان گفت که فرایند MOCVD به‌عنوان یک فرآیند رشد هم‎بافته بسیار ساده‎تر از فناوری‎های موجود هم‎بافته همچون MBE است. همچنین از نظر مقیاس و حجم تولید، همین‎طور گستره انتخاب پیش‌‌ماده‌ها، برتری‎هایی برای این روش نسبت به روش‌های دیگر رشد هم‎بافته وجود دارد. با مخلوط کردن آلکیل فلزی و هیدریدهای عناصر مختلف، ترکیب‌های گروه V-III ،VI-II و IV-VI را می‌توان به شیوه‌ای مشابه تشکیل GaAs تولید کرد [9]. فرآیندهای درگیر در MOCVD در شکل 2 آمده‌اند.

 


شکل 2- فرآیندهای دخیل در روش MOCVD و فرآیند رشد هم‎بافته

 

4- تجهیزات MOCVD
اغلب واکنش‎های MOCVD در محدوده دمایی 300-800 درجه سانتیگراد و در فشارهای متغیر (کمتر از 1 تور تا فشار جو) انجام می‎شود. یکی از راکتورهای معمول مورد استفاده در رسوب‎دهی گالیوم-آلومینیم-آرسنید که مثالی از مواد اپتوالکترونیک است، در شکل 3 نشان داده شده است. به دلیل شرایط بحرانی در تهیه اغلب نیمه‌رساناها، نیاز به کنترل شدید در حین رسوب‎دهی و دقت بسیار و استفاده از پیش‎ماده‎های با خلوص بالا وجود دارد؛ در نتیجه کنترل با دقت زیاد می‎توان محصولاتی با ضخامت کمتر از 10 نانومتر و سطح تماس کمتر از 1 نانومتر تولید کرد. تجهیزات و مواد مورد استفاده در MOCVD همه به صورت تجاری در دسترس هستند. این تجهیزات تاحدی نسبت به تجهیزات و مواد مورداستفاده در CVD گران قیمت هستند [10].

 


شکل 3: شمای کلی از تجهیزات PECVD


واکنش اصلی MOCVD برای رشد ترکیب نیمه‌رساناها را می‎توان به سه گروه دسته‎بندی کرد که دو مورد از آن را به صورت مختصر مورد بحث قرار می‌دهیم [9]:
الف) واکنش بین ترکیبات آلی- فلزی و هیدریدها: واکنش اغلب برای رشد ترکیب نیمه‌رساناها استفاده شده است، شکل کلی واکنش به صورت زیر است [9]:

واکنش (2)  


که در آن R رادیکال آلی، M یکی از اجزای ترکیبات و X جز دیگری از ترکیب است.
ب) واکنش بین ترکیبات آلی-فلزی: یکی از روش‎های رشد معمول می‎تواند تنها استفاده از پیش‌ماده‌های آلی-فلزی باشد. به عنوان مثال، واکنش می‌تواند به صورت زیر ارائه شود [9]:

واکنش (3)   


در این نوع واکنش R نشان‎دهنده رادیکال‌های آلی، M یکی از اجزای اتمی ترکیب و X جز دیگری از ترکیب است.
اعتقاد بر این است که پیرولیز ترکیبات آلی-فلزی بالا در بستر گرم باعث واکنش فرم اتمی یا مولکولی ترکیبات و تشکیل ترکیب مورد نظر می‌شود [9].
ج) ترکیبات آلی-فلزی‎های دیگر از قبیل آلکیل‌های فلزی جایگزین شده با کلر [11] و ترکیبات کئوردیناسی [13و12].

 

5- کاربردها

1-5- MOCVD برای رسوب دادن فلزات
بسیاری از فلزات را می‎توان با MOCVD رسوب داد و این در برخی موارد یک عملیات مهم صنعتی است. فلزاتی را که می‌توان به راحتی به وسیله MOCVD رسوب داد فلزات غیرواسطه هستند. فلزاتی مانند آلومینیم، کادمیم، کروم، مس، طلا، نیکل، پلاتین، ایریدیم، رودیم، تیتانیم و ... دارای پیش‎ماده‎های آلی-فلزی هستند و لذا می‌توانند توسط MOCVD رسوب‌داده شوند [4].

 

2-5- واکنش‎های MOCVD برای رسوب‎دهی کاربیدها و نیتریدها
بسیاری از واکنش‎های MOCVD برای رسوب‎دهی کاربیدها و نیتریدها، به ویژه نیترید تیتانیوم برای کاربردهای نیمه‎هادی، مانند سد نفوذ (diffusion barrier) مورد استفاده قرار می‌گیرند. از جمله این‌ها می‎توان به کروم کاربید، تیتانیم کاربید، آلومینیم نیترید، بور نیترید، سیلیکون نیترید و تیتانیم نیترید اشاره کرد [4].

 

3-5- کاربرد MOCVD در لایه‌ها و ادوات اپتوالکترونیک
اپتوالکترونیک یک صنعت نسبتاً جدید و سریعاً در حال رشد و بسیار کاربردی است. فرآیندهای تشکیل فیلم نازک و به ویژه MOCVD، نقش عمده‌ای در تولید این تجهیزات ایفا می‌کند. MOCVD و MBE (Molecular Beam Epitaxy) (هم‌بافتی پرتو مولکولی) در حال حاضر دو فرایند عمده برای تولید فیلم‌های نازک اپتوالکترونیکی هستند، که قادر به ساخت تجهیزات با کیفیت بسیار بالا و گهگاه با ویژگی‌های منحصر به فرد و جدید است. فرآیند MBE یکی دیگر از روش‎های تبخیری است که فیلم‎های بسیار خالص و بسیار نازک تولید می‎کند. با این حال، سرعت رسوب‌دهی با MBE بسیار آهسته است. هر دو فرآیند MOCVD و MBE مواد با کیفیت و خلوص بالا، خواص الکترونیکی مطلوب و خواص فوتولومینسانس همسان تولید می‎کنند، اما MOCVD برای تولید در مقیاس بزرگ (Large Scale) مناسب‎تر است. MBE به فشار بسیار کم نیاز دارد که باعث پایین آمدن سرعت رسوب‌دهی می‎شود، علاوه بر این، MOCVD برای ترکیبات فسفری، آلومینیم گالیم آرسنید و آلیاژهای با دو عنصر گروه V (مانند As، Sb و Bi) بهتر است [4].

 

4-5- کاربردهای MOCVD در تجهیزات نوری
اخیراً، پوشش‎های نوری عمدتاً توسط فرآیندهای تبخیری، تکنیک‌های CVD از قبیل CVD دستیاری شده با پلاسما (PECVD) و MOCVD تولید می‎شود. این روش‌ها برای پوشش‌هایی با کیفیت بالای ساختار بلوری و تجهیزاتی که در آن سطوح اشیاء سه بعدی پوشش داده شده می‌شود، مناسب هستند [4].

6- نتیجه‌گیری
در MOCVD، رسوب به صورت یک فیلم نازک بر روی سطح ویفر نیمه‌رسانا به وجود می‌آید. رسوب‎دهی مواد نیمه‎هادی مهم شامل گروه‌های III-V از نیمه‌رساناهای ترکیبی‌ می‌تواند با روش MOCVD انجام شود. این لایه نازک به صورت هم‎بافته و با رشد کنترل شده (معمولاً تک بلور) بر سطح ویفر است. امروزه فرایندهای MOCVD برای تولید پوشش‎هایی جهت ذخیره‌سازی نوری، فناوری اپتوالکترونیک و رسوب دادن ترکیب‎های مختلف از جمله ترکیبات نیتریدی و کاربیدی و ترکیبات نیمه‎رساناها کاربرد دارند. کاربرد این ترکیبات در تجهیزاتی همچون LEDها، آشکارسازهای نوری، لیزرها، سلول‌های خورشیدی و ترانزیستورهاست. روش MOCVD در مقایسه با MBE آسان و ارزان‎تر، با قابلیت تولید در مقیاس بالاتر و با گستردگی بیشتر برای تولید مواد مختلف است. تکنولوژی MOCVD در کنار سایر روش‌‌های ترسیب لایه نازک، جزء پیشرفته‎ترین و کاربردی‎ترین تکنیک‌ها در صنایع اپتوالکترونیک محسوب می‌شود.

 

منابـــع و مراجــــع

1. Zilko, J. L., “Metallo-Organic CVD Technology and Equipment,” in Handbook of Thin-Film Deposition Processes and Techniques, (K. K. Shuegraf, ed.), Noyes Publications, Park Ridge, NJ (1988).

2. Burgraaf, P., “The Status of MOCVD Technology,”Semiconductor International,pp. 80–83 (July 1993).

3. James J. Coleman,''Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Optoelectronic Devices'' PROCEEDINGS OF THE IEEE, VOL. 85, NO. 11(1997).

4. Hugh O. Pierson, ''HANDBOOK OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) Principles, Technology, and Applications'', 2nd ed, 1999, WILLIAM ANDREW PUBLISHING, LLC Norwich, New York, U.S.A.

5. “Metal Alkoxides and Diketonates,” and “Double-Metal Alkoxides/ Heterometallic Alkoxides,” sections in Gelest Inc. Handbook, Milwaukee, WI (1995).

6. Cram, D. J., and Hammond, G. S.,''Organic Chemistry'' McGraw Hill Book Co., New York (1964).

7. Cotton, F. A., and Wilkinson, G.,Advanced Inorganic Chemistry, Interscience Publishers, New York (1982).

8. Suppliers of organo-metallic compounds include: Cerac Inc., Milwaukee, WI; Gelest Inc., Tullytown, PA; Strem Chemicals, Newburyport, MA; Shumaker Div., Air Products and Chemicals, Carlsbad, CA.

9. P. Daniel Dapkus,''''Metalorganic Chemical Vapor Deposition '' Ann. Rev. Mater. Sci. VOL. 12(1982).

10. Emanuel, M.,Metalorganic Chemical Vapor Deposition for the Heterostructure Hot Electron Diode, Noyes Data Corp., Park Ridge, NJ (1989).

11. Nakayama, Y., Ohkawa, S., Hashimoto, H., Ishikawa, H. 1975. J. Electrochem. Soc. 123:1228.

12. Benz, K. W., Renz, H., Weidlein, J., Pilkuhn, M. H. 1981. J. Electron. Mater. 10: 185.

13. Zaouk, A., Salvetat, E., Sakaya, J., Maury, F., Constant, G. 1 981. J. Cryst. Growth 55:135.