برترین کاربران هفتگی این مقاله

از ۱۳۹۷/۱۰/۲۹ تا ۱۳۹۷/۱۱/۰۵

آمار مقاله
  • بازدید کل ۳۶۵
  • بازدید این ماه ۲۴۷
  • بازدید امروز ۴
آمار آزمون مقاله
  • کل شرکت کنندگان ۳۳
  • قبول شدگان ۲۴
  • شرکت کنندگان یکتا ۲۱
  • میانگین درصد شرکت کنندگان ۷۰
واژه نامه فناوری نانو

نانو

nano

پيشوندي به معناي يک بيليونم يا (000،000،000،1/1). در متون فناوري‌نانو، معمولا براي مشخص کردن يک واحد اندازه‌گيري برابر با 10 به توان منفي 9 متر استفاده مي‌شود.

سطح مقاله

پیشرفته 2

طرح درس

منابع مرحله اول نهمین مسابقه ملی فناوری نانو

نویسندگان
کلمات کلیدی
امتیاز کاربران

فناوری انباشت لیزری در ساخت لایه‌های نانو و میکروساختار

در مقاله‌های قبلی تعدادی از روش‌های سنتی و نوین لایه‌نشانی بررسی شد. در این مقاله نیز جهت آشنایی بیشتر علاقه‌مندان، به بررسی یک تکنیک مهم دیگر در فناوری لایه‌نشانی، به نام انباشت لیزری می‌پردازیم که بنا به ماهیت و مکانیزم مورد استفاده در این روش، از خانواده لایه‌نشانی فیزیکی محسوب می‌شود. در این مقاله، تلاش می‌شود پارامترهای تأثیر‌گذار در این روش مورد توجه قرار گرفته و پیشرفت‌های جدید در این روش تبیین شود.

مقدمه

همانند بسیاری از روش‌های مختلف لایه‌نشانی، انرژی حاصل از تابش پرتو لیزر نیز می‌تواند برای تبخیر (یا کندوپاش) محدوده وسیعی از مواد مختلف به کار رود. این تکنیک در حقیقت، اولین بار در سال 1962 با استفاده از لیزر پالسی یاقوت توسط Breech و Cross برای تبخیر مواد جامد به کاربرده شد. سه سال بعد یعنی در سال 1965، دو نفر به نام‌های اسمیت (Smith) و ترنر (Turner) با همین روش یعنی با لیزر پالسی یاقوت، لایه‌های نازک را با کیفیت مناسب رشد دادند. مطالعه‌های سیستماتیک برای بهتر فهمیدن فیزیک برخورد لیزر با جسم جامد، مکانیزم لایه‌نشانی و کیفیت لایه از سال 1970 انجام گرفت و بعد از کشف ابررساناهای دمای بالا در سال 1986 مورد توجه بیشتری قرار گرفت و امروزه به عنوان یک روش استاندارد (بیشتر آزمایشگاهی) مورد پذیرش قرار گرفته است. این روش به اختصار، PLD و گاهی Laser ablation نامیده می‌شود.

 

 سامانه کندوپاش لیزری (Pulse Laser Deposition)

فیلم 1، نمایی از یک دستگاه واقعی لایه‌نشانی لیزری را نشان می‌دهد. در این روش لایه‌نشانی نیز مانند بسیاری از روش‌های رایج لایه‌نشانی دیگر، نیاز به شرایط خاص مانند محیط خلأ وجود دارد. برای به دست آوردن لایه بسیار چگال در بسیاری مواقع از پرتوهای پالسی لیزر استفاده می‌شود. پهنای پالس، نرخ تکرارپذیری و شدت لیزر پالسی برای کاربردهای خاص مورد توجه هستند. از جمله کاربردهای دیگر تبخیر لیزری می‌توان به اسپکتروسکوپی جرمی، لیتوگرافی ماوراء‌بنفش و تولید اتم‌های آزاد برای اسپکتروسکوپی لیزری اشاره کرد. از مهم‌ترین لیزرهای مورد استفاده می‌توان به لیزرهای اگزایمر، CO2 و Nd:YAG اشاره داشت. این تکنیک، یکی از معدود روش‌هایی است که در آن منبع انرژی در بیرون از محفظه خلأ قرار دارد.

 

 

 

فیلم شماره 1- نمونه‌ای از سامانه لایه‌نشانی لیزری

 

برای آشنایی بیشتر علاقمندان با این نوع دستگاه‌ها، در شکل 1 به صورت نمونه، بخش‌های مختلف یک سیستم لایه‌نشانی لیزری، نشان داده شده است. همچنین در شکل 2، نمایی شماتیک از تجهیزات داخل محفظه خلأ نشان داده شده است.

 

شکل 1- نمای شماتیک کلی از سیستم لایه‌نشانی لیزری [3]

 

در این تکنیک، پالس‌های لیزر بعد از عبور از بازوی اپتیکی مطابق شکل 2، به‌وسیله یک لنز کانونی‌ساز از جنس کوارتز عبور کرده و بر روی یک حجم کوچک از سطح هدف برخورد می‌کنند. مطابق آنچه در فیلم شماره 2 ملاحظه می‌شود، برای یکنواختی بیشتر لایه، ماده هدف در حال چرخش است.

 

 

 

فیلم شماره 2- چرخش نمونه هدف هنگام لایه‌نشانی لیزری برای افزایش یکنواختی

 

البته گاهی به جای چرخش هدف، پرتو لیزر فرودی با مکانیزم مشخصی سطح آن را روبش می‌کند. انرژی حاصل از برخورد پرتو لیزر توسط ماده هدف جذب می‌شود. این چگالی انرژی جذب شده، معمولاً برای شکستن هرگونه پیوند شیمیایی کافی است. در این حالت، روی لایه سطحی هدف، ذرات به شکل‌های مختلف از سطح هدف جدا شده، عمود بر سطح آن، خارج می‌شوند و در نهایت روی زیرلایه انباشت می‌شوند. این فرایند، بنا به ضخامت مورد نظر با برخورد صدها یا هزاران پالس لیزر ادامه می‌یابد.

 

شکل 2- نمای شماتیک از داخل محفظه خلأ سیستم PLD که 1- نگهدارنده چرخان، 2- لیزر، 3- شیشه کوارتز، 4- نمونه گردان، 5- محفظه خلأ، 6- زیرلایه، 7- مخروطی (plume)، 8- هدف است [4].

 

هنگامی که چگالی انرژی به اندازه کافی بالا باشد، تبخیر سریع ماده در یک لایه سطحی نازک رخ می‌دهد که برای انتقال استوکیومتری ماده از یک هدف چندترکیبی لازم است. لایه‌نشانی لیزری هم در شرایط خلأ و هم در حضور گازهای زمینه رقیق که برای متأثر کردن ترکیب لایه مورد استفاده قرار می‌گیرد، انجام می‌شود. از این‌رو می‌توان فرآیند لایه‌نشانی لیزری را در چهار مرحله خلاصه کرد:

1- برهم‌کنش لیزر- هدف

2- دینامیک مواد کنده شده از سطح نمونه

3- انباشت مواد کنده شده روی زیرلایه

4- هسته‌بندی و رشد لایه روی زیرلایه

 

1- برهم‌کنش لیزر- هدف

برهم‌کنش بین پالس‌های لیزر و هدف، به شدت باریکه لیزر بستگی دارد. در لایه‌نشانی لیزری شدت پالس لیزر از مرتبه W/Cm2 109-108 و مدت پالس چند نانوثانیه است. بنابراین زمان کافی برای جذب پالس‌ها وجود دارد و به موجب آن، سطح هدف گرم شده و در نهایت منجر به برداشته شدن ماده می‌شود.

نکته جالب آنکه متناسب با نوع لیزر، انرژی آن‌ها و ماهیت ماده، در برخورد لیزر با ماده هدف، فرایندهای مختلفی مانند کندوپاش، فرایندحرارتی و فرایند الکترونیکی رخ می دهد که به تبیین آن‌ها می‌پردازیم:

 

برخورد کندوپاشی

در این مکانیزم تکانه باریکه فرودی به هدف منتقل شده و باعث خروج ذرات از سطح می‌شود. این مکانیزم برای ذرات سنگین مثلاً یون‌ها اهمیت بیشتری دارد و در مورد فوتون‌ها بیشینه انرژی منتقل شده قابل چشم‌پوشی است.

 

فرایند حرارتی

در این فرایند، باریکه لیزر سطح کوچکی از ماده هدف را ذوب و در نهایت آن را تبخیر می‌کند. دمای سطح هدف که توسط لیزر فراهم می‌شود، خیلی بالاتر از نقطه جوش ماده هدف است.

 

فرایند الکترونیکی

این فرایند، شامل چند فرآیند است که همگی دارای ویژگی‌های مشترکی از برانگیختگی و یونش هستند. فوتون‌های فرودی بعد از برخورد با هدف، زوج الکترون-حفره تولید کرده و منجر به برانگیختگی‌های الکترونی در کسر فمتوثانیه از زمان می‌شوند. بعد از چند پیکوثانیه، انرژی به شبکه بلور منتقل می‌شود و در طی زمان یک پالس لیزر (چند نانوثانیه)، تعادل گرمایی بین الکترون‌ها و شبکه برقرار می‌شود. این منجر به گرم شدن شدید شبکه و خروج ذرات بزرگ از سطح می‌شود. در مقیاس میکروسکوپیک می‌توان گفت این فرآیند به افزایش تعداد نقص‌های بلوری و ضعیف شدن پیوندها و کنده شدن ذرات مربوط می‌شود.

 

2- دینامیک مواد کنده شده از سطح نمونه

اتم‌های تبخیر شده از هدف داغ هستند، بنابراین بخشی از اتم‌ها در حالت بخار یونیزه می‌شوند و یک پلاسمای یونیزه شده کامل را تولید می‌کنند. مطابق شکل 3، علاوه بر پلاسما، ذرات دیگری مانند اتم‌ها، مولکول‌ها، فوتون‌های UV و الکترون‌ها، ابری مخروطی شکل با نور مرئی در مجاورت سطح هدف (تقریباً 50 میکرومتری سطح) تشکیل می‌دهند که با سرعت به سمت زیرلایه گسترش می‌یابد. به این مخروطی، plume گفته می‌شود (ما در اینجا به اختصار به آن مخروطی می‌گوییم). نور مشاهده شده در آن هم به‌واسطه فلورسانس و فرآیند بازترکیب در پلاسما است. هر چند گذارهای اتمی طول عمرهای نوعاً به اندازه چند نانوثانیه دارند، برخوردها می‌توانند دوباره اتم‌ها را برانگیخته کنند، به‌طوری که هر مخروطی می‌تواند چندین میکروثانیه بعد از هر پالس لیزر مشاهده شود.

 

شکل 3 - نمای واقعی از چگونگی تشکیل مخروطی [5]

 

 

 

فیلم شماره 3- نمایی از تشکیل plume در لایه‌نشانی لیزری

 

رفتار مخروطی در خلأ یا در حضور گازهای زمینه متفاوت است. در خلأ، مخروطی به صورت تک جهتی گسترش نمی‌یابد بلکه به خاطر چگالی پلاسمای بالا، مؤلفه‌های سرعت به سمت عقب ظاهر می‌شوند. علاوه بر این در خلأ، مخروطی تنها در مجاورت هدف مرئی است. اما در حضور گاز زمینه مانند اکسیژن، مخروطی پراکنده و رقیق می‌شود که منجر به تغییر توزیع فضایی، آهنگ انباشت و توزیع انرژی برای گونه‌های مختلف می‌شود. افزایش فشار اکسیژن منجر به افزایش فلورسانس، تیز شدن مخروطی، کند شدن انتشار مخروطی نسبت به وضعیت خلأ و محدودیت فضایی بیشتر مخروطی می‌شود.

اگر اندازه لکه روی هدف کاهش یابد، با ثابت نگه داشتن چگالی انرژی، ماده کمتری از هدف برداشته می‌شود و مخروطی پهن‌تر و کوتاه‌تر می‌شود. از طرف دیگر اگر چگالی انرژی افزایش یابد، چون سرعت اولیه ذرات بالاست، یک مخروطی بلندتر تولید می‌شود. فشار اکسیژن نیز روی طول مخروطی تأثیر می‌گذارد و اغلب ساده‌ترین پارامتری است که به سادگی می‌تواند در طی انباشت تعدیل شود.

پارامترهای فرآیند باید به گونه‌ای تنظیم شوند که نوک مخروطی با زیرلایه تماس یابد. یک مخروطی خیلی کوتاه مواد زیادی را روی زیرلایه انباشت نمی‌کند و در یک مخروطی خیلی بلند، چسبندگی لایه تشکیل شده به زیرلایه ضعیف می‌شود.

 

3- انباشت مواد کنده شده روی زیرلایه

این مرحله، سومین مرحله‌ای است که در کیفیت لایه بسیار تأثیرگذار است. ذرات جدا شده با انرژی بالای گسیل شده از سطح ماده هدف، سطح زیرلایه را که با هیتر در حال گرم شدن است، بمباران می‌کنند. گاهی ممکن است که سطح زیرلایه یا لایه در حال رشد، به‌واسطه این بمباران صدمه ببینند. در این حالت، ذرات حاصل از کندوپاش زیرلایه و ذرات داخل مخروطی از ماده هدف یک ناحیه برخوردی را تشکیل می‌دهند که منشأ چگالیده شدن ذرات روی زیرلایه می‌شود. وقتی که آهنگ چگالیده شدن به اندازه کافی زیاد باشد، یک تعادل گرمایی ایجاد شده و رشد لایه روی سطح زیرلایه شروع می‌شود.

 

4- هسته‌بندی و رشد لایه روی زیرلایه

هسته‌بندی و رشد لایه‌های کریستالی به فاکتورهای متعددی از قبیل دانسیته، انرژی، درجه یونیزاسیون و همچنین به درجه حرارت و ماهیت فیزیکی-شیمیایی زیرلایه بستگی دارد. در این بین، دو پارامتر اصلی برای فرایند رشد عبارتند از دمای زیرلایه و پارامتر فوق اشباع. این دو پارامتر با معادله 1 به هم مربوط می‌شوند.

Δm= kT ln(R/Re)                                                                                 (1)

که در این بین k ثابت بولتزمن، R آهنگ واقعی انباشت و Re مقدار تعادل در درجه حرارت T و Δm پارامتر فوق اشباع است.

تا به اینجا پارامترهای انباشت مورد توجه قرار گرفته بود و کمتر به منبع انرژی آن یعنی لیزر، پرداخته‌ایم. با توجه به نقش بالای لیزر در این تکنیک گران‌قیمت، در این قسمت پارامترهای مهم در مورد لیزر را مورد توجه قرار می‌دهیم:

 

1- طول موج

طول موج لیزر یکی از مهم‌ترین پارامترها در انباشت است. معمولاً لیزرهای با طول موج کوتاه (ناحیه UV) برتری دارند، زیرا بازتاب اکثر مواد در طول موج‌های کوچک خیلی کمتر از طول موج‌های بزرگ است، بنابراین بخش اعظم پالس لیزر جذب شده که این منجر به افزایش تعداد ذرات کنده شده از هدف می‌شود. علاوه بر این مکانیزم‌های برهم‌کنش لیزر- جامد به شدت به طول موج لیزر بستگی دارد. مهم‌ترین اثر طول موج تعیین عمق نفوذ باریکه لیزر در هدف است و چون در ناحیه UV ضریب جذب بزرگ‌تر است، انرژی باریکه در یک لایه سطحی در هدف جذب شده و از جوش آمدن لایه‌های زیری جلوگیری شده و حضور ریزقطرات (Droplets) در لایه کاهش می‌یابد.

 

2- مدت پالس

انباشت با پالس‌های نانوثانیه، نیازمند کنترل دقیق پارامترهای مختلف لیزر از قبیل شکل پالس، پروفایل و توزیع شدت باریکه است. اما در بیشتر موارد، برآورده شدن همه این نیازمندی‌ها به طور همزمان، عملی نیست که این امر منجر به حضور ریزذرات در لایه می‌شود. در طی سال‌های اخیر استفاده از پالس‌های با طول موج خیلی کوتاه فمتوثانیه و پیکوثانیه، مشکلات حضور این ریزذرات را در روی لایه تا حد زیادی کاهش داده است. علت این امر را می‌توان این گونه بیان کرد که در پالس‌های کوتاه، انباشت انرژی روی سطح هدف به صورت آنی صورت می‌گیرد و تقریباً همه انرژی جذب شده توسط الکترون‌ها، سریع‌تر از مشخصه زمانی برای انتقال گرما به شبکه بلور منتقل می‌شود، بنابراین تبخیر بدون این که هدف آن چنان گرم شود، صورت می‌گیرد (باید توجه داشت که در این شرایط ماده بدون این که ذوب شود، تبخیر می‌شود).

 

3- آهنگ تکرار پالس

آهنگ تکرار پالس لیزر باید به اندازه کافی پایین باشد (نوعاً Hz 10) به طوری که گونه‌های تبخیرشده زمان کافی برای تشکیل یک لایه صاف را بین پالس‌ها داشته باشند. از طرف دیگر، اگر آهنگ تکرار پالس خیلی پایین باشد، برهم‌کنش‌های شیمیایی سریع، ممکن است مانع رشد لایه‌های اپی‌تکسی شود.

 

4- انرژی پالس

یکنواخت بودن انرژی پالس از مهم‌ترین پارامترهایی است که منجر به لایه‌های همگن می‌شود. چگالی انرژی یک لیزر باید از یک مقدار آستانه بیشتر باشد تا همه عناصر بتوانند به صورت استوکیومتری از هدف برداشته شوند. از طرفی دیگر، چگالی انرژی‌های خیلی بزرگ منجر به خروج تکه‌های بزرگ ماده از هدف می‌شود که یکنواختی سطح لایه انباشت شده را از بین می‌برد. برای کاهش آن‌ها، مقادیر چگالی انرژی حدود  J/Cm2 3-2 به کار گرفته می‌شود. انرژی پالس بالا دارای دو مزیت عمده است:

- تنوع هدف‌های به کار برده شده را افزایش می‌دهد.

- در یک چگالی انرژی خاص، سطح بزرگ‌تری از هدف تبخیر می‌شود که منجر به افزایش آهنگ انباشت و کاهش زاویه مخروطی می‌شود.

 

5- پروفایل باریکه

پروفایل باریکه یکنواخت و بزرگ باعث استفاده حداکثر از سطح هدف، تبخیر و انباشت یکنواخت و هموار می‌شود. در یک باریکه با پروفایل غیریکنواخت، چگالی انرژی در نزدیک لبه‌ها به طور قابل‌تأملی افت پیدا می‌کند که این در نهایت یکنواختی و استوکیومتری لایه را از بین می‌برد.

امروزه لایه‌نشانی لیزری مشابه لایه‌نشانی تبخیری یا بسیاری دیگر از روش‌های لایه‌نشانی، با تغییرات مختلف توسعه یافته است. یکی از جدیدترین آن‌ها سامانه لایه‌نشانی لیزری در کنار استفاده از چشمه یونی است. نمونه‌ای شماتیک از این سامانه در شکل 4، مشاهده می‌شود. در این سامانه، همزمان با لایه‌نشانی لیزری، ذرات گسیلی از سطح هدف که به سمت زیرلایه در حال حرکتند، توسط یون‌های خروجی از چشمه یونی کافمن بمباران می‌شوند. بدین ترتیب انرژی ذرات فرودی روی سطح زیرلایه بیشتر می‌شود. این فناوری می‌تواند چگالی لایه را به مقدار قابل قبولی افزایش دهد و در نتیجه خواص کیفی آن بهبود قابل توجه داشته باشد.

 

شکل 4 - سامانه لایه‌نشانی لیزری همراه با روش IBAD از [11]

 

 

 

فیلم شماره 4- انیمیشن استفاده از تکنیک IAD در لایه‌نشانی لیزری [11]

 

چنین تغییراتی در سامانه‌های لایه‌نشانی کم نیستند. همواره کاربران متناسب با نوع محصول مورد نظر یا نوع آزمایش‌ها، تجهیزات جانبی را در کنار سامانه اصلی به کار می‌برند. ولی باید در نظر داشت که در بین همه این تجهیزات جانبی، ایجاد محیط پلاسما یا استفاده از چشمه یونی بسیار پرکاربردترند. در انتهای این مقاله، مزایا و معایب لایه نشانی PLD را به اختصار بیان می‌کنیم:

 

مزایای روش لایه‌نشانی لیزری

1- بزرگ‌ترین مزیت این روش فراگیر بودن آن است. انواع مختلف مواد شامل اکسیدها، نیتریدها، کربیدها، ابررساناهای دمای بالا، نیمه‌رساناها، فلزات و حتی پلیمرها را می‌توان برای انباشت لایه‌های سرامیکی مانند YBCO، پوشش‌های سخت مانند TiC و SiC، آلیاژهای پیچیده مانند La1-xSrxMnO3 و لایه‌های چندگانه مانند ابرشبکه‌ها و پیوندهای p-n ناهمگون مورد استفاده قرار داد.

2- یکی دیگر از مزیت‌های مهم این روش توانایی حفظ ترکیب ماده هدف در لایه انباشت شده است یا به عبارت دیگر انتقال عالی استوکیومتری بین ماده هدف و لایه نازک که مخصوصاً در ترکیب‌هایی که دارای عناصر زیاد هستند مانند SrTiO3 و BaPb1-xBixO3، کارایی دارد. انباشت چنین ترکیب‌هایی با استفاده از یک تک هدف، به وسیله سیستم‌های تبخیری یا کندوپاش امکان‌پذیر نیست زیرا در حالت کلی فشارهای بخار جزئی و بازده‌های کندوپاش عناصر مختلف در یک ترکیب با یکدیگر تفاوت دارند. این امر منجر به استوکیومتری متفاوت لایه انباشت شده می‌شود. در حالی‌که در لایه‌نشانی لیزری انتقال استوکیومتری تنها از یک هدف میسر است زیرا گرم شدن سریع و شدید هدف (نوعاً تا دمای K 5000) در طی چند نانوثانیه باعث می‌شود که همه عناصر موجود در هدف بتوانند صرفنظر از انرژی‌های متفاوت پیوندشان در یک زمان تبخیر شوند.

3- در این روش آهنگ انباشت بالاست (در حدود nm 0/01 به ازای هر پالس لیزر).

4- انباشت توسط لیزر کنترل می‌شود و برای متوقف کردن فرآیند رشد نیازی به شاتر نیست.

5- چون در این روش منبع انرژی در بیرون محفظه خلأ قرار می‌گیرد یک روش بسیار تمیز است و به همین علت خلأ بسیار بالا نیز به راحتی قابل دسترسی است.

6- انرژی بالای ذرات در مخروطی به فرآیند رشد کمک کرده و می‌توان از دماهای زیرلایه پایین استفاده کرد.

7- نسبت به بسیاری از روش‌های دیگر، کم هزینه است.

8- توانایی سوئیچ کردن چندین هدف مختلف را دارد.

 

معایب لایه نشانی لیزری

1- به واسطه محدودیت اندازه لکه لیزر، عموماً سطح مقطع مخروطی کوچک است (در حدود Cm2 1) لذا اندازه زیرلایه محدود می‌شود که البته این مشکل همان‌طور که قبلاً اشاره شد، با روبش باریکه لیزر روی سطح یک هدف بزرگ‌تر قابل رفع است.

2- چون مخروطی به شدت به سمت جلو جهت‌گیری کرده است، کنترل یکنواختی ضخامت در امتداد زیرلایه مشکل می‌شود همچنین کنترل ضخامت نیز به آسانی انجام نمی‌شود.

3- چون با گذشت زمان سطح هدف دچار تغییر شکل می‌شود، بازده جذب لیزر در سطح تغییرکرده و آهنگ انباشت نیز تغییر می‌کند.

4- یکی از مهم‎ترین اشکالات لایه‌نشانی لیزری پاشیده شدن ذرات ریز و درشت (Droplet) از سطح هدف به سمت زیرلایه است که یکنواختی سطح را از بین می‌برد. برای حل این مشکل باید چگالی انرژی و سایز لکه لیزر روی سطح هدف بهینه شود.

5- مکانیزم اصلی در این روش تشکیل پلاسماست که هنوز ماهیت آن به طور کامل مشخص نشده است، لذا برای به دست آوردن شرایط بهینه انباشت، نیاز به تکرار فراوان است.

6- با توجه به اینکه چیدمان لایه‌نشانی لیزری به گونه‌ای است که چشمه در بیرون از محفظه خلأ و ماده هدف در داخل محفظه خلأ است، این موجب مشکلاتی در انجام لایه‌نشانی با این روش خواهد بود. که موجب افزایش قیمت آن نیز می‌شود. همچنین، شیشه کوارتزی که به طور مؤثری پرتو لیزر را عبور می‌دهد معمولاً بعد از انجام لایه‌نشانی‌های متعدد، مات می‌شود.

7- انتخاب یک لیزر با طول موج تطبیق‌پذیر با خواص جذبی ماده هدف، همیشه امکان‌پذیر نیست.

 

به دلیل مشکلات اشاره شده، سامانه لایه‌نشانی لیزری هنوز هم فقط به صورت تحقیقاتی و آزمایشگاهی مورد استفاده قرار می‌گیرد و تا به حال کمتر به شکل تجاری مورد توجه قرارگرفته است.

 

منابـــع و مراجــــع

مشایخی اصل ، جهانبخش، "مبانی لایه‌نشانی و آنالیز نانوساختار" چاپ اول. مرکز نشر دانشگاهی، (1393)

https://mbmlab.ucsd.edu/lab/facilities/pld.php

https://www.indiamart.com/newage/new-items.html

http://groups.ist.utl.pt/rschwarz/rschwarzgroup_files/PLD_files/PLD.htm

http://www.oocities.org/xsrao/research.htm

https://www.iws.fraunhofer.de

Carl Richardson, Surface Coating by Pulsed Laser Deposition, Practical Vacuum

Sergey Fedoseev, Fundamentals of Pulsed Laser Deposition (1975-1995)

Douglas B. Chrisey and Graham K. Hubler, Pulsed Laser Deposition of Thin Films, John Wiley & Sons, 1994

W.Kalss , Balzers Ltd Company, Latest Developments and Applications in Coating Technologies

https://www.thinfilmscience.com