برترین کاربران هفتگی این مقاله

از ۱۳۹۷/۰۴/۰۲ تا ۱۳۹۷/۰۴/۰۸

هیچ کاربری در این بازه زمانی وجود ندارد

آمار مقاله
  • بازدید کل ۱۰,۰۰۴
  • بازدید این ماه ۲
  • بازدید امروز ۰
آمار آزمون مقاله
  • کل شرکت کنندگان ۱۳۲
  • قبول شدگان ۱۱۴
  • شرکت کنندگان یکتا ۶۵
  • میانگین درصد شرکت کنندگان ۸۲
واژه نامه فناوری نانو

نانو

nano

پيشوندي به معناي يک بيليونم يا (000،000،000،1/1). در متون فناوري‌نانو، معمولا براي مشخص کردن يک واحد اندازه‌گيري برابر با 10 به توان منفي 9 متر استفاده مي‌شود.

سطح مقاله

پیشرفته 1

نویسندگان
کلمات کلیدی
امتیاز کاربران

رسوب‌دهی شیمیایی بخار آلی فلزی (MOCVD)

در این مقاله روش رسوب دهی شیمیایی بخار آلی– فلزی (Metal-organic CVD) بعنوان زیر مجموعه روش رسوب دهی شیمیایی از فاز بخار(CVD) معرفی شده است. گستره وسیعی از ترکیبات آلی-فلزی در این روش به‌عنوان پیش‌ ماده به‌کاربرده می‌شوند. این‌ها ترکیباتی هستند که در آن اتم یک فلز به یک یا چند اتم کربن، هیدروژن (هیدرید) یا گروه هیدروکربن آلی متصل است. با استفاده از این روش، رشد همبافته برای گستره‌ی وسیعی از ترکیبات نیمه رسانا III-V و II-VI فراهم می‌آید. آینده بسیار پرکاربردی برای این روش خصوصا در مصارف اپتوالکترونیکی تصور می‌شود. در این مقاله تجهیزات لازم جهت انجام این فرآیند، واکنش هایی که می توان با این فرآیند انجام داد و کاربردهای فرآیند MOCVD به‌خصوص در صنعت ساخت تجهیزات نوری مورد بررسی قرار گرفته است.
1- مقدمه:
CVD روشی است که در آن به‌طور ساده جریان گازهای پیش ماده در یک محفظه از روی بستری که قرار است پوشش دهی شود، عبور می‌ کند. در این روش واکنش های شیمیایی بر روی (و یا در نزدیکی) سطوح داغ رخ می دهد. در نتیجه رسوب لایه به صورت یک فیلم نازک بر روی سطح به وجود می آید. این فرآیند منجر به تولید مواد شیمیایی می شود. رسوب دهی شیمیایی بخار به صورت آلی– فلزی (Metal-organic CVD) یک فرآیند تخصصی و نسبتا جدید از CVD می باشد. برای اولین بار در دهه ی 1960 از این روش برای رسوب دهی ایندیم فسفید(InP) و ایندیم آنتیمونید(InSb ) استفاده شد. کیفیت و پیچیدگی تجهیزات و تنوع و خلوص پیش ماده های شیمیایی به طور پیوسته از آن به بعد بهبود یافته است. در حال حاضر MOCVD در مقیاس وسیع به ویژه در ساخت نیمه هادی و کاربردهای اپتو-الکترونیک استفاده می‌گردد.[2و1] MOCVD به نام‌هایی همچونmetalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), organometallic CVD (OMCVD و organometallic VPE (MOVPE) نیز شناخته می شود. [3]
آزمایش های اولیه نشان داده است که رسوب دهی مواد نیمه هادی مهم می تواند در دمایی پایین تر از CVD گرمایی اتفاق افتاده و رشد همبافته (epitaxial) می تواند با موفقیت به دست آید. در رشد همبافته (Epitaxial Growth)، رشد بلور با نظم مشخصی (نسبت به بستر یا ویفر نیمه رسانا) اتفاق می‌افتد. بعنوان مهمترین قابلیت روش MOCV می‌توان به رشد همبافته لایه‌های دارای Al و P اشاره کرد که با روش‌های معمول رشد همبافته مانند رشد همبافته باریکه الکترونی (MBE-Molecular Beam Epitaxy) قابل دستیابی نیست.[4]
در واقع می‌توان گفت که روش MOCVD عبارت از رشد لایه‌نازک از ترکیبات نیمه‌رسانا بر بستر است که براساس تخریب حرارتی همزمان (Co-pyrolysis) مخلوطی از پیش ماده‌های آلی-فلزی اتفاق می‌افتد. به طور کلی نیمه رساناهای ترکیبی III-V و II-VI با کیفیت بالای مورد استفاده برای تجهیزات اپتوالکترونیکی می‌ توانند با این روش تهیه شوند. نیمه رساناهای ترکیبی گروه III-V به‌طور ویژه برای ساخت لیزرها، دیودهای منتشر کننده نور (Light Emitting Diode- LEDs) و آشکارسازهای نوری (Photodetectores) به کار می روند و نیمه رساناهای ترکیبی II-VI در آشکارسازهای مادون قرمز دور (Far-infrared) و تابش کننده‌های مرئی آبی رنگ کاربرد دارند. سرعت حرکت الکترون در این ترکیبات در مقایسه با همتای سنتی خود یعنی Si بالاتر است و بر این مبنا تجهیزات الکترونیکی با فرکانس بالا قابلیت تولید خواهند داشت. همین امر است که منجر به ارتقای اهمیت روش MOCVD برای تشکیل لایه‌های همبافته از این نیمه رساناها می‌شود. لذا محصول این فرآیند معمولا یک فیلم تک‌بلور (Single Crystal) است.[4]

filereader.php?p1=main_8da3a86e3bdd3bb85
شکل 1: عناصر سازنده نیمه رساناهای ترکیبی III-V مورد استفاده در ترکیبات اپتوالکترونیکی نظیر LED، سلول خورشیدی، ترانزیستورها و آشکارسازهای نوری

2- پیش‌ ماده‌های روش MOCVD
در روش MOCVD، معمولا از یک هیدرید فلز (مانند ،AsH3) و یک پیش ماده آلی فلزی (مثل آلکیل فلز) استفاده می‌شود. ترکیبات آلی-فلزی ترکیباتی هستند که در آن‌ها اتم یک عنصر فلزی به یک یا چند اتم کربن یا یک گروه هیدروکربن آلی متصل است. بسیاری از عناصر مورد استفاده در MOCVD فلزات گروه های IIA، IIB، IIIB، IVB، VB، و VIB هستند که غیر واسطه می باشند. در تعریف کلی، ترکیبات آلی-فلزی دارای پیوند کربن – فلز می‌باشند اما در کل بسیاری از ترکیبات مورد استفاده می‌توانند شامل پیوند های فلز-اکسیژن (M-O)، فلز نیتروژن (M-N) و حتی هیدریدهای فلزی (M-H) نیز باشد. ترکیبات آلی-فلزی بوجود آمده از هالیدها و کربونیل ها، پیش ماده های هستند که برای رسوب دهی فلزات واسطه (گروه های IVA، VA و VIA) و ترکیبات آنها به‌کار می‌روند. هرچند عبارت آلی-فلزی به‌طور کلی در فرآیند رسوب دهی شیمیایی بخار استفاده می شود، در آن از ترکیبات عناصری مانند سیلیکون، فسفر، آرسنیک، سلنیم و تلوریم (شبه فلزات و نافلزات) نیز استفاده می شود. به بیان دیگر می‌توان از این روش برای رسوب‌دهی ترکیبات غیر فلزی نیز بهره برد.[4]

در این بخش دسته بندی ترکیبات مورد استفاده در این روش توضیح داده خواهد شد.
آلکیل ها: آلکیل ها یکی از اصلی ترین گروه های رسوب دهی بخار شیمیایی آلی–فلزی می باشند. این دسته از مواد با واکنش هیدروکربن های آلیفاتیک (aliphatic) یا آلکیل هالیدها با یک فلز تشکیل می شوند.[5] این هیدروکربن ها از زنجیره ای از اتم های کربن تشکیل شده اند و هیچ حلقه ی کربنی در این ترکیبات دیده نمی شود، در ترکیبات آلکیلی و آلیفاتیکی پیوند بین اتم ها صرفا بصورت پیوند یگانه می باشد، که در زیر نشان داده می شوند.[6] این آلکیل ها فرار و غیر قطبی می باشند. تر کیبات آلی–فلزی متیل در 200 درجه سانتیگراد و برای اتیل در 110 درجه سانتیگراد تجزیه می شوند.

filereader.php?p1=main_44a50f07b4bdc5774

ترکیبات آلی حلقوی: به عنوان پیش‌ ماده‌ی دیگر از ترکیبات رایج در MOCVD از هیدروکربن های آلی حلقوی تولید می شود، که در آنها اتم های کربن مانند سیکلوپنتان تشکیل حلقه می دهند:[4]

filereader.php?p1=main_3ead30037e14a4e32

ترکیبات آریل(Aryl): دیگر ترکیبات MOCVD آریل ها هستند، که از هیدروکربن های آروماتیک تشکیل شده اند، ترکیبات آروماتیک ترکیباتی هستند که دارای حداقل یک حلقه 6 عضو با 6 پیوند که سه پیوند آن به صورت دوگانه (غیرمستقر) می باشد، در شکل زیر گروه فنیل نمایش داده شده است:[4]

filereader.php?p1=main_80a69d3d5320ad766

ترکیبات آلی-فلزی آلکیلی ،آلسیلیکی و آریلی و خواص مربوطه شان در جدول 1 گزارش شده است.[7] بسیاری از ترکیبات که در رفرنس 8 گزارش شده بصورت تجاری در دسترس هستند.[8]
بیشتر ترکیبات آلی-فلزی به استثنا ترکیب مهمی مانند تری متیل آلومینیم (که دایمر است) مونومر هستند. فشار بخار آن ها معمولا به طور مستقیم به وزن مولکولی مرتبط است که ترکیبات با وزن مولکولی پایین تر فراریت بیشتری دارند.[7]

ترکیبات آلی-فلزی مفید به عنوان پیش ماده های CVD باید در دمای اتاق پایدار باشند به طوری که ذخیره سازی و انتقال آن ها در دمای اتاق بدون مشکل باشد. همچنین باید به آسانی در درجه حرارت پایین، به عنوان مثال زیر 500 درجه سانتی گراد، تجزیه شوند. ترکیبات ذکر شده در جدول 1.1 (به غیر از الکیل آرسنیک و فسفر، که در دماهای بالاتر تجزیه می شوند) از این شرایط برخوردارند. به همین دلیل، هیدریدهای آرسنیک و فسفر غالبا به عنوان پیش ماده های CVD ترجیح داده می شود. این هیدریدهای بسیار سمی هستند و ملاحظات زیست محیطی ممکن است استفاده از آن ها را محدود کند.[7]

جدول1
ترکیبات آلی فلزی آلکیلی ،آلسیلیکی و آریلی
ترکیبفرمول شیمیایینوعنقطه ذوب (°C)نقطه جوش (°C)فشار بخار (mm)
تری متیل آلومینیمCH3)3Alآلکیل151268.4 در0°C
تری اتیل آلومینیمC2H5)3Al)آلکیل58-194
تری ایزوبوتیل آلومینیمC4H9)3Al)آلکیل4130
دی ایزوبوتیل آلومینیم هیدریدC4H9)2AlH)آلکیل70-118
تری متیل آرسنیکCH3)3As)آلکیل

 238در°C20
دی اتیل آرسنیک)C2H5)2AsH2آلکیل

0.8ر°C8
دی اتیل بریلیومC2H5)2Be)آلکیل12194
دی فنیل بریلیومC6H5)2Be)آلکیل


دی متیل کادمیمCH3)2Cd)آلکیل410528 در°C20
هپتا دی اونات سزیمTMHD)4Ce)آلکیل250(تجزیه)
0.05در°C 130
تری متیل گالیمCH3)3Ga)آلکیل15-564 در0°C
تری اتیل گالیمC2H5)3Ga)آلکیل82-14318در°C48
سیکلو پنتا دی انیل جیوهC5H5)2Hg)حلقوی


دی متیل جیوهCH3)2Hg)آلکیل96

تری متیل ایندیمCH3)3In)آلکیل881341.7در°C20
تری اتیل ایندیمC2H5)3In)آلکیل32-1843 در°C53
دی اتیل منیزیمC2H5)2Mg)آلکیل


تری اتیل فسفرC2H5)3P)آلکیل

10.8 در °C20
تترا متیل سربCH3)4Pb)آلکیل


تری متیل آنتیموانCH3)3Sb)آلکیل


تری متیل قلعCH3)3Sn)آلکیل


سیکلو پنتا دی انیل قلعC5H5)2Sn)حلقوی


دی اتیل تلوریدC2H5)2Te)آلکیل

7 در °C20
دی متیل رویCH3)2Zn)آلکیل42-46124در0°C
دی اتیل رویC2H5)2Zn)آلکیل28-1186.4 در°C20
توجه: بسیاری از این ترکیبات به ویژه آلکیل پایین تر بسیار واکنش پذیر هستند. بسیاری از آنها فرار، آتش زا و در برخی موارد در تماس با آب واکنش انفجاری نشان می دهند و برخی سمی هستند که باید قبل از استفاده توصیه های سازنده مورد مطالعه قرار گیرد.

3- فرآیند MOCVD
در فرایند MOCVD، یک یا چند جزء از فیلم نهایی در قالب آلکیل فلز و برخی دیگر معمولا به صورت هیدریدها به محل واکنش منتقل می شوند. به عنوان یک مثال خاص، رشد گالیوم آرسناید GaAsبه وسیله ی فرآیند MOCVD با استفاده از تری متیل گالیم(TMGa) به عنوان منبع گالیم اتفاق می‌افتد و هم‌زمان از پیش ماده هیدرید آرسنیک استفاده می‌شود.]9[ واکنش اصلی تشکیل GaAs می توان بصورت زیر نوشت:

filereader.php?p1=main_777d45bbbcdf50d49
واکنش(1)

سادگی اساسی واکنش 1 و ماهیت گازی واکنش دهنده ها، فرآیند MOCVD را به عنوان یک تکنولوژی رشد همبافته مفید تبدیل‌کرده است.[9] تجزیه حرارتی (pyrolysis) ترکیبات آلی فلزی یا هیدریدها، و ترسیب یا بازترکیبی گونه های اتمی-مولکولی در نزدیکی بستر گرم رخ می دهد. شدت پیشرفت فرایند را می تواند با توجه به فشار بخار پیش‌ ماده‌ها، کنترل کننده های سرعت جریان(با بهره‌گیری از کنترل کننده‌های الکترونیکی) و بدینگونه با کنترل فشارهای جزئی واکنش دهنده ‌ها کنترل نمود. با توجه به ویژگی واکنش های تخریب حرارتی، وجود بستر گرم برای انجام واکنش نیاز است تا از رسوب کارآمد اطمینان حاصل شود ، در نتیجه بطور ساده برای کنترل ترسیب به کنترل درجه حرارت نیاز است. بنابراین می‌توان گفت که فرایند MOCVD به‌عنوان یک فرآیند رشد همبافته بسیار ساده تر از فناوری های موجود همبافته همچون MBE است. همچنین از نظر مقیاس و حجم تولید، همینطور گستره انتخاب پیش‌ ماده‌ها، برتری هایی برای این روش نسبت به روش های دیگر رشد همبافته وجود دارد. با مخلوط کردن آلکیل فلزی و هیدریدهای عناصر مختلف، ترکیب های گروه V-III، VI-II و IV-VI را می توان به شیوه‌ای مشابه تشکیل GaAs تولید نمود.[9] فرآیندهای درگیر در MOCVD در شکل 2 آمده اند.

filereader.php?p1=main_ec23452e0b41b8af1
شکل 2: فرآیندهای دخیل در روش MOCVD و فرآیند رشد همبافته

4- تجهیزات MOCVD
اغلب واکنش های MOCVD در محدوده دمایی 300-800 درجه سانتیگراد و در فشار های متغیر (کمتر از 1 تور تا فشار جو) انجام می شود. یکی از راکتورهای معمول مورد استفاده در رسوب دهی گالیوم-آلومینیم-آرسنید که مثالی از مواد اپتو-الکترونیک می باشد در شکل 1 نشان داده شده است. به دلیل شرایط بحرانی در تهیه اغلب نیمه رساناها، نیاز به کنترل شدید در حین رسوب دهی و دقت بسیار و استفاده از پیش ماده های با خلوص بالا می باشد؛ در نتیجه ی کنترل با دقت زیاد می توان محصولاتی با ضخامت کمتر از 10 نانومتر و سطح تماس کمتر از 1 نانومتر تولید کرد. تجهیزات و مواد مورد استفاده در MOCVD همه به صورت تجاری در دسترس می باشند. این تجهیزات تاحدی نسبت به تجهیزات و مواد مورد استفاده در CVD گران قیمت می باشند. [10]

filereader.php?p1=main_a82323145a756be07
شکل 3: شمای کلی از تجهیزات PECVD


واکنش اصلی MOCVD برای رشد ترکیب نیمه رساناها را می توان به سه گروه دسته بندی کرد که دو مورد از آن را بصورت مختصر مورد بحث قرار می دهیم: [9]
الف) واکنش بین ترکیبات آلی- فلزی و هیدریدها: واکنش اغلب برای رشد ترکیب نیمه رساناها استفاده شده است، شکل کلی واکنش بصورت زیر است:[9]

filereader.php?p1=main_56765472680401499
واکنش (2)

که در آن R رادیکال آلی، M یکی از اجزا ترکیبات و X جز دیگری از ترکیب است.
ب) واکنش بین ترکیبات آلی فلزی: یکی از روش های رشد معمول می تواند تنها استفاده از پیش‌ماده‌های آلی-فلزی باشد. به عنوان مثال، واکنش می تواند به صورت زیر ارائه شود:[9]

filereader.php?p1=main_0b0ec9f1cc28b3c19
واکنش (3)

در این نوع واکنش R نشان دهنده رادیکال های آلی، M یکی از اجزا اتمی ترکیب، و X جز دیگری از ترکیب است.
اعتقاد بر این است که پیرولیز ترکیبات آلی-فلزی بالا در بستر گرم باعث واکنش فرم اتمی یا مولکولی ترکیبات و تشکیل ترکیب مورد نظر می شود.[9]
ج) ترکیبات آلی-فلزی های دیگر از قبیل آلکیل های فلزی جایگزین شده با کلر [11] و ترکیبات کئوردیناسی[13و12]

5- کاربردها

1-5 MOCVD برای رسوب دادن فلزات
بسیاری از فلزات را می توان با MOCVD رسوب داد و و این در برخی موارد یک عملیات مهم صنعتی است. فلزاتی را که می‌توان به راحتی به وسیله ی MOCVD رسوب داد فلزات غیر واسطه هستند. فلزاتی مانند آلومینیم، کادمیم، کروم، مس، طلا، نیکل، پلاتین، ایریدیم، رودیم، تیتانیم و دارای پیش ماده های آلی-فلزی هستند و لذا می‌توانند توسط MOCVD رسوب‌داده شوند.[4]

5-2 واکنش های MOCVD برای رسوب دهی کاربیدها و نیتریدها
بسیاری از واکنش های MOCVD برای رسوب دهی کاربیدها و نیتریدها، به ویژه نیترید تیتانیوم برای کاربردهای نیمه هادی، مانند سد نفوذ (diffusion barrier) مورد استفاده قرار می گیرند. از جمله اینها می توان به کروم کاربید، تیتانیم کاربید، آلومینیم نیترید، بور نیترید، سیلیکون نیترید، تیتانیم نیترید اشاره کرد.[4]

5-3 کاربرد MOCVD در لایه‌ها و ادوات اپتو-الکترونیک
اپتو-الکترونیک یک صنعت نسبتا جدید و سریعا در حال رشد و بسیار کاربردی است. فرآیندهای تشکیل فیلم نازک و به ویژه MOCVD، نقش عمده ای در تولید این تجهیزات ایفا می‌کند. MOCVD و MBE (Molecular Beam Epitaxy) (همبافتی پرتو مولکولی) در حال حاضر دو فرایند عمده برای تولید فیلم های نازک اپتو-الکترونیکی می‌باشند، که قادر به ساخت تجهیزات با کیفیت بسیار بالا و گه‌گاه با ویژگی‌های منحصر بفرد و جدید است. فرآیند MBE یکی دیگر از روش های تبخیری است که فیلم های بسیار خالص و بسیار نازک تولید می کند. با این حال، سرعت رسوب دهی با MBE بسیار آهسته است. هر دو فرآیند MOCVD و MBE مواد با کیفیت و خلوص بالا، خواص الکترونیکی مطلوب و خواص فوتولومینسانس همسان تولید می کنند، اما MOCVD برای تولید در مقیاس بزرگ (Large Scale) مناسب تر است. MBE به فشار بسیار کم نیاز دارد که باعث پایین آمدن سرعت رسوب دهی می شود، علاوه بر این، MOCVD برای ترکیبات فسفری، آلومینیم گالیم آرسنید و آلیاژهای با دو عنصر گروه V (مانند As، Sb و Bi) بهتر است.[4]

5-4 کاربردهای MOCVD در تجهیزات نوری
اخیرا، پوشش های نوری عمدتا توسط فرآیندهای تبخیری، تکنیک‌های CVD از قبیل CVD دستیاری شده با پلاسما (PECVD) و MOCVD تولید می شود. این روش‌ها برای پوشش‌هایی با کیفیت بالای ساختار بلوری و تجهیزاتی که در آن سطوح اشیاء سه بعدی پوشش داده شده می شود ، هستند.[4]

6- نتیجه گیری
در MOCVD، رسوب به صورت یک فیلم نازک بر روی سطح ویفر نیمه‌رسانا به وجود می آید. رسوب دهی مواد نیمه هادی مهم شامل گروه های III-V از نیمه‌رساناهای ترکیبی‌ می تواند با روش MOCVD انجام شود. این لایه نازک به صورت همبافته و با رشد کنترل شده (معمولا تک بلور) بر سطح ویفر است. امروزه فرایند های MOCVD برای تولید پوشش های جهت ذخیره سازی نوری، فن آوری اپتو-الکترونیک و رسوب دادن ترکیب های مختلف از جمله ترکیبات نیتریدی و کاربیدی و ترکیبات نیمه رساناها کاربرد دارند. کاربرد این ترکیبات در تجهیزاتی همچون LEDها، آشکارسازهای نوری، لیزرها، سلول‌های خورشیدی و ترانزیستور هاست. روش MOCVD در مقایسه با MBE آسان و ارزانتر، با قابلیت تولید در مقیاس بالاتر و با گستردگی بیشتر برای تولید مواد مختلف است. تکنولوژی MOCVD در کنار سایر روش‌ های ترسیب لایه نازک جزء پیشرفته ترین و کاربردی ترین تکنیک‌ها در صنایع اپتوالکترونیک محسوب می‌شود.

منابـــع و مراجــــع

1. Zilko, J. L., “Metallo-Organic CVD Technology and Equipment,” in Handbook of Thin-Film Deposition Processes and Techniques, (K. K. Shuegraf, ed.), Noyes Publications, Park Ridge, NJ (1988).

2. Burgraaf, P., “The Status of MOCVD Technology,”Semiconductor International,pp. 80–83 (July 1993).

3. James J. Coleman,''Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Optoelectronic Devices'' PROCEEDINGS OF THE IEEE, VOL. 85, NO. 11(1997).

4. Hugh O. Pierson, ''HANDBOOK OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) Principles, Technology, and Applications'', 2nd ed, 1999, WILLIAM ANDREW PUBLISHING, LLC Norwich, New York, U.S.A.

5. “Metal Alkoxides and Diketonates,” and “Double-Metal Alkoxides/ Heterometallic Alkoxides,” sections in Gelest Inc. Handbook, Milwaukee, WI (1995).

6. Cram, D. J., and Hammond, G. S.,''Organic Chemistry'' McGraw Hill Book Co., New York (1964).

7. Cotton, F. A., and Wilkinson, G.,Advanced Inorganic Chemistry, Interscience Publishers, New York (1982).

8. Suppliers of organo-metallic compounds include: Cerac Inc., Milwaukee, WI; Gelest Inc., Tullytown, PA; Strem Chemicals, Newburyport, MA; Shumaker Div., Air Products and Chemicals, Carlsbad, CA.

9. P. Daniel Dapkus,''''Metalorganic Chemical Vapor Deposition '' Ann. Rev. Mater. Sci. VOL. 12(1982).

10. Emanuel, M.,Metalorganic Chemical Vapor Deposition for the Heterostructure Hot Electron Diode, Noyes Data Corp., Park Ridge, NJ (1989).

11. Nakayama, Y., Ohkawa, S., Hashimoto, H., Ishikawa, H. 1975. J. Electrochem. Soc. 123:1228.

12. Benz, K. W., Renz, H., Weidlein, J., Pilkuhn, M. H. 1981. J. Electron. Mater. 10: 185.

13. Zaouk, A., Salvetat, E., Sakaya, J., Maury, F., Constant, G. 1 981. J. Cryst. Growth 55:135.

نظرات و سوالات

نظرات

0 0

طهورا پوراشرف - ‏۱۳۹۴/۱۰/۲۲

عالی بود

2 0

فاطمه سادات تلاتری - ‏۱۳۹۴/۱۰/۰۵

خوب

0 0

طهورا پوراشرف - ‏۱۳۹۴/۱۰/۱۴

خوب