© ۱۳۹۳
کلیه حقوق این سایت متعلق به ستاد توسعه فناوری نانو می باشد و هر گونه استفاده از مطالب آن بدون ذکر نام منبع ممنوع است.
نانو
nano
پيشوندي به معناي يک بيليونم يا (000،000،000،1/1). در متون فناورينانو، معمولا براي مشخص کردن يک واحد اندازهگيري برابر با 10 به توان منفي 9 متر استفاده ميشود.
آشنایی با آشکارسازهای نوری فلز-نیمه هادی-فلز پلاسمونیک
نمایش توضیحات فیلم
توضیحات : آشکارساز نوری تک فوتونی(SPD) ابر رسانا، شامل نوار بسیار نازک(زیرمیکرونی) نیترید نیوبیوم است که رفتار ابررسانایی از خود نشان می دهد. مکانیزم آشکارسازی در این دتکتور، براساس جریان بالا با کمک تشکیل موقت سد مقاومتی در عرض پل می باشد که منجر به تولید فوتون القا شده می شود. زمان تفکیک پذیری در حدود 30پیکوثانیه می باشد.
نمایش توضیحات فیلم
پارامتر | مقدار بهینه شده برای طول موج 980nm | |
hg | ارتفاع توری پراش فلزی | 100nm |
Xd | پهنای روزنه | 50nm |
L | ارتفاع روزنه | 100nm |
Xm | توری پراش فلزی | 300nm |
Ng | تعداد توری پراش | 5 |
نسبت بهبود ضریب جذب | 16 برابر |
پارامتر | مقدار بهینه شده برای طول موج 980nm | |
Xmp | چرخه ی وظیفه توری پراش بالایی | 0.5 |
Xm | پهنای اولین توری پراش بالایی | 300nm |
Xd | پهنای روزنه زیر طول موج | 50nm |
Xbmp | چرخه ی وظیفه توری پراش پایینی | 0.5 |
Xbdp | پهنای اولین توری پراش پایینی | 50nm |
hg | ارتفاع توری پراش بالایی | 60nm |
L | ارتفاع روزنه زیر طول موج | 100nm |
h | ارتفاع توری پراش پایینی | 60nm |
Λ | تناوب توری پراش بالایی | 950nm |
Λb | تناوب توری پراش پایینی | 200nm |
منابـــع و مراجــــع
1.[2] Soole, J. B. D., and Schumacher, H., “InGaAs metal-semiconductor-metal photodetectors for longwavelength optical communications,” IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 27, no. 3, pp. 737-752, 1991.
2.[3] Ito, M. and Wada, O., “Low dark current GaAs metal-semiconductor- metal (MSM) photodiodes using WSi, contacts,” IEEE J. Quantum Electron., vol. QE-22, pp. 1073-1077, 1986.
3.[4] Chou, S. Y., and Liu, M. Y., “NanoscaleTera-Hertz Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors,” IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 28, no.10, 1992.
4.[5] Hetterich, J., Bstian, Gippius, G., N. A., Tikhodeev, S. G., Plessen, G. von, and Lemmer, U., “Optimized Design of Plasmonic MSM Photodetector,” IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 43, no. 10, pp. 855-859, 2007
5.[1] Sze, S. M., Coleman Jr., D. I., and Loya, A., “Current transport in metal-semiconductor-metal (MSM) structures,” Solid-state Electron., vol. 14, pp. 1209-1218, 1971.
6.[6] Hecht, B., Bielefeldt, H., Novotny, L., Inouye, Y., and Pohl, D. W., “Local excitation, scattering, and interference of surface plasmons,” Physical Review Letters, vol. 77, pp. 1889-1892, 1996.
7.[7] Barnes, W. L., Dereux, A., and Ebbesen, T. W., “Surface plasmonsubwavelength optics,” Nature, vol. 424, pp. 824-830, 2003.
8.[8] Ebbesen, T. W., Lezec H. J., Ghaemi, H. F., Thio, T., and Wolff, P. A., “Extraordinary optical transmission through sub-wavelength hole arrays,” Nature, vol. 391, pp. 667-669, 1998.
9.[9] Yang, R., and Lu, Z., “SubwavelengthPlasmonic Waveguides and Plasmonic Materials,” International Journal of Optics, vol. 2012 (258013), 2012.
10.[10] Collin, S., Pardo, F., Teissier, R., and Pelourad, J., “Efficient light absorption in metal-semiconductor-metal nanostructures,” Applied Physics Letters, vol. 85, no. 2, pp. 194-196, 2004.
11.[11] Yu, Z., Veronis, G., and Fan, S., “Design of midinfraredphotodetectors enhanced by surface plasmons on grating structures,” Applied Physics Letters 89 (15), 151116, 2006.
12.[12] Bhat, R. D. R., Panoiu, N. C., Brueck, S. R. J., and Osgood, R. M., “Enhancing the signal-to-noise ratio of an infrared photodetector with a circular metal grating,”Optics Express, vol.16, no.7, pp 4588-4596, 2008.
13.[13] Tan, C. L., Lysk, V. V., Alameh, K., Lee, Y. T., “Absorption enhancement of 980 nm MSM photodetector with plasmonic grating structure,” Optics Communications 283 (2010), 1763-1767.
14.[14] Tan, C. L., Lysak, V. V., Das, N., Karaar, A., Alameh, K., Lee, Y. T., “Absorption enhancement of MSM Photodetector structure with a Plasmonic Double Geating Structure,” in 2010 10th IEEE Conference in Nanotechnology (IEEE-NANO) (IEEE,2010), pp. 489-853.
15.[15] Das, N., Karar, A., Tan, C. L., Alameh, K., and Lee, Y. T., “Impact of Nanograting Phase-Shift on Light Absorption Enhancement in Plasmonics-Based Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors,” Advances in Optical Technologies, vol. 2011 (504530).
16.[16] Tan, C. L., Karar, A., Alameh, K., and Lee, Y. T., “Optical absorption enhancement of hybrid-plasmonic-based metal-semiconductor-metal photodetector incorporating metal nanogratings and embedded metal nanoparticles,” Optics Express, vol. 21, no. 2, pp.1713-1725, 2013.
SPAK
خیلی خوبه برای بررسی مقدماتی جالبه
عنوان : آشکارساز نوری تک فوتونی(SPD)
توضیحات : آشکارساز نوری فلز-نیمه هادی-فلز(MSM-PD) از یک زیرلایه نیمه هادی و دو اتصال فلزی رونشانی شده، تشکیل شده است که هر اتصال فلزی با زیرلایه فعال نیمه هادی،یک اتصال شاتکی را تشکیل می دهد. با وصل شده این اتصالات به اختلاف پتانسیل، حامل های ایجاد شده در اثر برخورد نور به زیرلایه جمع آوری می شوند.یکی از انواع این آشکارسازهای نوری، آشکارساز نوری تک فوتونی(SPD) هستند که سیگنال های الکترونیکی را از کوانتوم های نوری منفرد تولید می کنند و از نظر حساسیت، سرعت و کارایی بهتر از آشکارسازهای نوری معمولی عمل می کنند.