برترین کاربران هفتگی این مقاله

از ۱۳۹۷/۰۳/۲۶ تا ۱۳۹۷/۰۴/۰۱

هیچ کاربری در این بازه زمانی وجود ندارد

آمار مقاله
  • بازدید کل ۱۹,۹۰۱
  • بازدید این ماه ۱۱۸
  • بازدید امروز ۰
آمار آزمون مقاله
  • کل شرکت کنندگان ۴۴۱
  • قبول شدگان ۴۱۳
  • شرکت کنندگان یکتا ۱۸۳
  • میانگین درصد شرکت کنندگان ۸۸
واژه نامه فناوری نانو

نانو

nano

پيشوندي به معناي يک بيليونم يا (000،000،000،1/1). در متون فناوري‌نانو، معمولا براي مشخص کردن يک واحد اندازه‌گيري برابر با 10 به توان منفي 9 متر استفاده مي‌شود.

سطح مقاله

پیشرفته 1

نویسندگان
کلمات کلیدی
امتیاز کاربران

میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (1)

میکروسکوپ های نیروی مغناطیسی، دسته دیگری از میکروسکوپ های پروبی روبشی را شامل می شوند که در بررسی های مربوط به خواص مغناطیسی کاربرد پیدا کرده اند. در مقالات مرتبط با این حوزه، ضمن معرفی این میکروسکوپ، به برخی برهمکنش ها، تکنیک ها و محاسبات مطرح پرداخته می شود. در مقاله نخست، ضمن بیان تاریخچه و سیستم کاری و نحوه عملکرد دستگاه، به برخی تکنیک ها و فرمول های مرتبط اشاره خواهد شد.
1- مقدمه
میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM= Magnetic force microscopy)، جهت مطالعه خواص مغناطیسی موضعی بکار رفته و تغییرات نیروی مغناطیسی را در سطح نمونه یررسی می کند [1]. همچنین می توان از این میکروسکوپ جهت به تصویر کشیدن ساختار حوزه های مغناطیسی ایجاد شده بطور طبیعی یا مصنوعی در مواد مغناطیسی، استفاده نمود [2].

عنوان : تصویربرداری میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM)

توضیحات : ظهور میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM) بعنوان تکنیک ویژه ی توسعه یافته ای جهت تصویربرداری و مطالعه مغناطیسی و پدیده ها برای صنعت مرتبط با ذخیره سازی مغناطیسی(مانند صنعت مواد نیمه هادی) حائز اهمیت می باشد.در MFM، حرکت نوک مغناطیسی کاوشگر میدان مغناطیسی روی نمونه می تواند تصاویر ناحیه ای با تفکیک پذیری بالا و بطور همزمان ساختارهای پرمالوی(Permalloy) را نشان دهد.

نمایش توضیحات فیلم


چندرسانه ای 1:تصویربرداری میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM)

در میکروسکوپ های نیروی مغناطیسی از سوزنی استفاده می شود که با لایه ای نازک از ماده فرومغناطیس با مغناطیس پذیری مخصوص filereader.php?p1=main_c4ca4238a0b923820  پوشیده شده است و میدان مغناطیسی موضعی filereader.php?p1=main_c81e728d9d4c2f636، ایجاد شده توسط یک نمونه را مورد بررسی قرار می دهد (شکل1)[3, 4]. به عبارت دیگر میکروسکوپی (ریزبینی) نیروی مغناطیسی، به عنوان یک تکنیک میکروسکوپی نیرویی روبشی درنظر گرفته می شود که به اندازه گیری نیروهای سوزن - نمونه ایجاد شده توسط یک میدان مغناطیسی، اختصاص یافته است.

filereader.php?p1=main_ec6ef230f1828039e
شکل1- سوزن MFM در میدان مغناطیسی نمونه[3]

در حقیقت اگر سوزنی با گشتاور مغناطیسی استفاده شود، می توان از هر میکروسکوپ نیرویی روبشی به عنوان میکروسکوپ نیروی مغناطیسی استفاده نمود. در این صورت، MFM نسبت به خطوط میدان مغناطیسی خارج شده (emanating) از نمونه، حساس می شود. در اینجا می توان از سوزن های دیگری که به خطوط میدان مغناطیسی حساس هستند، نیز استفاده کرد. مثال های آن عبارتند از: پروب های میکروساخت هال (Microfabricated Hall probes)، آشکارسازهای مقاومت مغناطیسی (magnetoresistive) و ابزارهای تداخل کوانتومی ابررسانا (SQUIDS= Superconductive quantum interference devices) [2].

2- تاریخچه
بر اساس دانش بدست آمده از میکروسکوپ نیروی اتمی، میکروسکوپ نیروی مغناطیسی [4, 5]، توسط ایو مارتین (Yves Martin) و اچ.کومار ویکراماسین (H. Kumar Wickramasinghe) در سال 1987 میلادی، معرفی شد [1, 4]. در سال های بعد، آزمایش های اندازه گیری نیروهای بین یک نمونه فرومغناطیس و سوزنی که حامل گشتاور مغناطیسی دائمی است، انجام شد [6-9]. اغلب این کارهای اولیه به تصویرگیری از ساختار بیت های (bit) اطلاعاتی نوشته شده در مواد ضبط مغناطیسی و بررسی مکانیزم کنتراست اختصاص داشت [4, 10-12].

عنوان : تصویر برداری از بیت های ثبت شده روی دیسک سخت توسط میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM)

توضیحات : میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM) بطور موفقیت آمیزی برای مشخص یابی انواع حامل های مغناطیسی مانند نوارها و ثبت کننده های طولی و عمودی استفاده می شود. کاربرد عمده اولیه MFM، تصویربرداری از ساختار بیت های اطلاعاتی نوشته شده در مواد ضبط مغناطیسی می باشد.

نمایش توضیحات فیلم


چندرسانه ای 2 : تصویر برداری از بیت های ثبت شده روی دیسک سخت توسط میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM)

از آن زمان، نیروهای ایجاد شده توسط میدان مغناطیسی، برروی نمونه های مختلفی، بررسی شده است. آزمایش های موفقیت آمیزی تحت شرایط محیطی مانند هوا، خلاء، [13]، UHV [14-16]، دماهای پایین [5, 17, 18]، و محیط های ذخیره مغناطیسی [19] صورت گرفته است. در نتیجه میکروسکوپی نیروی مغناطیس در بیست سال اخیر به صورت متداول ترین تکنیک تصویرگیری مغناطیسی درآمده است [2].

3- سیستم کاری MFM
تصویری که با یک سوزن مغناطیسی گرفته می شود، شامل اطلاعاتی درباره هر دو نوع خواص توپوگرافی و مغناطیسی سطح است. اثر غالب، به فاصله سوزن و نمونه بستگی دارد. نیروی مغناطیسی بین اتمی، نسبت به نیروی واندروالس تا فواصل بیشتری بین سوزن و سطح برقرار است. اگر سوزن به سطح نمونه نزدیک باشد، در ناحیه ای که AFM دینامیکی استاندارد کار می کند، تصویر عمدتا توپوگرافی خواهد بود. با افزایش فاصله بین سوزن و نمونه، تأثیرات مغناطیسی غالب تر می شوند. جمع آوری مجموعه ای از تصاویر در فواصل مختلف سوزن تا نمونه یک راه جدا کردن اثرات مغناطیسی از توپوگرافی است [2, 20].
شماتیک ساده شده سیستم کنترل در میکروسکوپ نیروی مغناطیسی که مشابه سیستم های کنترل موجود در میکروسکوپ های AFM و EFM است، در شکل 2 نشان داده شده است.


filereader.php?p1=main_1d665b9b1467944c1
شکل2- شماتیک ساده شده سیستم کنترل در میکروسکوپ های AFM,EFM,MFM ا[3]

4- اندازه گیری نیروهای مغناطیسی
به منظور تصویر برداری برهمکنش های مغناطیسی سوزن - نمونه به عنوان تابعی از موقعیت X و Y، سوزن در فاصله ای به اندازه کافی بزرگ، که از نیروهای غیرمغناطیسی قوی سوزن – نمونه اجتناب شود، روبش را شروع می کند. سپس می توان توسط حالات مختلف کاری میکروسکوپی نیروی روبشی، برهمکنش مغناطیسی سوزن – نمونه را اندازه گیری نمود.

اگرچه می توان هر میکروسکوپ نیروی روبشی را بعنوان میکروسکوپ نیروی مغناطیسی استفاده کرد، اندازه گیری نیروهای مغناطیسی، مسئله ای دشوار است. در حالی که در یک آزمایش معمول میکروسکوپی نیرویی روبشی، نیروی سوزن – نمونه معمولا در محدوده نانونیوتن است که برای اندازه گیری توپوگرافی نمونه در حالات تماسی و غیرتماسی استفاده می شود، نیروهای مغناطیسی، معمولا دو یا سه برابر کوچک تر هستند. در نتیجه وقتی که سوزن در تماس با نمونه است یا حتی در محدوده نیروهای نیروهای سوزن – نمونه قرار دارد، آشکارسازی این نیروهای کوچک مغناطیسی بسیار مشکل است.

با فرض اینکه کانتیلور و نیرو در جهت Z تنظیم شده اند، انحراف کانتیلور در اثر نیروی برهمکنش مغناطیسی سوزن – نمونه، با روابط زیر تعیین می شود:

filereader.php?p1=main_cda522d4353b166cc
filereader.php?p1=main_8c6d22ff6f63fc671
که filereader.php?p1=main_eccbc87e4b5ce2fe2، ثابت نیروی کانتیلور و جزء Z برآیند تمام نیروهای برهمکنش غیرمغناطیسی سوزن – نمونه است. اگر سوزن در تماس با نمونه باشد، این برآیند نیرو در حد چندین N/m خواهد بود. در این صورت انحراف کانتیلور منعکس کننده توپوگرافی نمونه است و نه میدان مغناطیسی.

جهت تهیه نقشه میدان مغناطیسی خارج شده از نمونه، باید میکروسکوپ در حالت غیرتماسی کار کند. همچنین فاصله بین سوزن و نمونه باید به اندازه کافی زیاد باشد تا از برهمکنش های غیر مغناطیسی سوزن و نمونه، ناشی از نیروهای وابسته به توپوگرافی، اجتناب شود. در این صورت برهمکنش های سوزن- نمونه، باعث تولید سیگنال می گردد [2, 21].

5- برهمکنش سوزن MFM و میدان مغناطیسی موضعی
تشریح جزئیات برهمکنش سوزن MFM، با میدان مغناطیسی موضعی filereader.php?p1=main_a87ff679a2f3e71d9 ، ایجاد شده توسط یک نمونه، مسئله پیچیده ای است. با فرض اینکه سوزن MFM به عنوان یک دوقطبی مغناطیسی منفرد با ممان مغناطیسی filereader.php?p1=main_e4da3b7fbbce2345d عمل می کند، می توان مدل ساده ای از آن را در نظر گرفت [22].
بر اساس این مدل، انرژی مغناطیسی سیستم حاضر حاصلضرب عددیfilereader.php?p1=main_e4da3b7fbbce2345d وfilereader.php?p1=main_1679091c5a880faf6  است.

filereader.php?p1=main_5c108ce0fe89d0632
دوقطبی مغناطیسی در میدان filereader.php?p1=main_1679091c5a880faf6، بوسیله نیروی زیر تأثیر می پذیرد:

filereader.php?p1=main_8717ce4dfdc86a4b5
و ممان نیرویfilereader.php?p1=main_8f14e45fceea167a5 ، حاصل ضرب برداریfilereader.php?p1=main_e4da3b7fbbce2345d و filereader.php?p1=main_1679091c5a880faf6 است:

filereader.php?p1=main_e1b8054c9cdd622c9

در یک میدان مغناطیسی یکنواخت، نیرویfilereader.php?p1=main_c9f0f895fb98ab915، صفر است. این در حالی است که در یک میدان مغناطیسی غیریکنواخت، دوقطبی ها به سوی مناطقی با شدت میدان مغناطیسی filereader.php?p1=main_1679091c5a880faf6 ، بیشتر جذب می شود.

بطور کلی ممان مغناطیسی سوزن MFM می تواند بصورت برهمنهی دوقطبی های مغناطیسی به فرم زیر بیان شود:

filereader.php?p1=main_f38ee76ce06ccd139
که در آن، filereader.php?p1=main_45c48cce2e2d7fbde ، مغناطیس پذیری مخصوص پوشش سوزن و dv ، حجم اولیه لایه پوشش است.

filereader.php?p1=main_7bc3ca68769437ce9
شکل3- برهمکنش سوزن MFM با میدان مغناطیسی یک نمونه [3]

انرژی کل به علت برهمکنش مغناطیسی سوزن - نمونه، از انتگرال گیری روی لایه مغناطیسی سوزن بدست می آید:

filereader.php?p1=main_b9d7e51eba2c6d155
نیروی برهمکنش سوزن با میدان نمونه، به صورت زیر است:

filereader.php?p1=main_cfff813d86d447fa2

برهمین اساس مؤلفه Z، نیز بصورت زیر خواهد بود [3]:

filereader.php?p1=main_8d28dad91e1ffada3

6- برهمکنش سوزن MFM و نمونه؛ و حالات کاری MFM
در MFM، برهمکنش سوزن – نمونه ممکن است با استفاده از یکی از دو تکنیک زیر مورد مطالعه قرار گیرد:
الف) تکنیک های استاتیکی
ب) تکنیک های دینامیکی (نوسانی)

1-1- تکنیک MFM استاتیکی
در حالات استاتیکی، نیروی عمل کننده روی سوزن از انحراف استاتیک کانتیلور اندازه گیری می شود. بر این اساس در این تکنیک استاتیکی، در طی عملیات روبش، سوزن بالای نمونه در ارتفاع ثابت حرکت می کند. مقدار خمش کانتیلور بوسیله سیستم نوری تشخیص داده شده و به عنوان تصویر MFM، ضبط می شود و نحوه توزیع نیروهای برهمکنش نمونه – سوزن مغناطیسی را به تصویر می کشد. بدین ترتیب در این حالت، نیروی عمل کننده روی سوزن، از انحراف استاتیک کانتیلور اندازه گیری می گردد (رابطه 1)[2].

برای انجام عملیات روبش در ارتفاع ثابت، یک تکنیک دو مرحله ای برای نمونه ای با زبری قابل توجه، می باشد. در هر خط روبش، مراحل زیر انجام می شود:
در مرحله اول، تصویر توپوگرافیک AFM، در حالت تماسی یا شبه تماسی (semi-contact)، بدست می آید. سپس سوزن از سطح تا ارتفاع h، بالا رفته و عملیات روبش تکرار می شوند (شکل4). در این حالت مقدار فاصله h، بایستی به اندازه کافی زیاد باشد، تا نیروی واندروالس را کمتر از نیروی برهمکنش مغناطیسی بسازد.

filereader.php?p1=main_13207e3d5722030f6
شکل4- تکنیک دومرحله ای بکارگیری MFM از مرجع[3]

در طی مرحله دوم، پروب بالای سطح، با تکرار خط سیر توپوگرافی نمونه، حرکت می کند. به دلیل اینکه فاصله موضعی بین سوزن در هر نقطه ثابت است، تغییرات خمش کانتیلور در طی عملیات روبش، به علت ناهمگنی موضعی میدان های مغناطیسی خواهد بود. از این رو تصویر نهایی، تابع دو متغیره است که توزیع برهمکنش مغناطیسی نمونه – سوزن را توصیف می کند [3].

عنوان : دستگاه وری میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM) در روش جداسازی دومرحله ای

توضیحات : اساس کارمیکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM)، تغییر نیروی برهمکنش بین سوزن مغناطیس شده و میدان مغناطیسی موضعی نمونه می باشد که برای تمایز بین تصویرتوپوگرافی از تصویرمغناطیسی، از روش دومرحله ای استفاده می شود. در مرحله اول، توپوگرافی با قرار گرفتن سوزن در نزدیک سطح در مد تماسی یا شبه تماسی بدست می آید و در مرحله دوم، پایه تا ارتفاع مشخصی بالا می رود و سطح با توجه به توپوگرافی ذخیره شده روبش می شود.

نمایش توضیحات فیلم


چندرسانه ای 3 : دستگاه وری میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM) در روش جداسازی دومرحله ای

1-1- تکنیک MFM دینامیکی (نوسانی)
در حالات دینامیکی، برآیند نیروهای عمل کننده بر روی سوزن، از تغییر در خواص دینامیکی کانتیلور، مانند تغییرات در فاز، دامنه نوسان، یا فرکانس رزونانس، تعیین می گردد [2].
بکارگیری تکنیک های نوسانی در میکروسکوپ نیروی مغناطیسی، در مقایسه با تکنیک استاتیکی، حساسیت بالاتری را فراهم کرده و اجازه می دهد تا تصاویر بهتری تهیه گردد.

عنوان : تکنیک میکروسکوپ نیروی مغناطیسی با فرکانس بالا(HF-MFM)

توضیحات : استفاده از تکنیک های نوسانی در میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM) بعلت حساسیت بالاتر، تصاویر بهتری را ایجاد می کند. تکنیک مدولاسیونی میکروسکوپ نیروی مغناطیسی با فرکانس بالا(HF-MFM)، یکی از این روش ها است که پاسخ MFM را در فرکانس بالاو پایین تفکیک می کند و در زمان میانگین، نیروی موثر اندازه گیری می شود.

نمایش توضیحات فیلم


چندرسانه ای 4 : تکنیک میکروسکوپ نیروی مغناطیسی با فرکانس بالا (HF-MFM)

مطابق تکنیک غیرتماسی AFM، حضور گرادیان نیرو باعث تغییرات فرکانس تشدید و به تبع آن تغییر پاسخ های فازی، درسیستم نمونه – سوزن، می شود. این تغییرات در خواص رزونانسی برای کسب اطلاعات از نحوه توزیع مغناطیس پذیری در سطح نمونه، مورد استفاده قرار می گیرد.

گرادیان نیرو، در حالت برهمکنش مغناطیسی بصورت زیر است:

filereader.php?p1=main_33df7d5541bc09413

در حالت نوسانی MFM نیز یک تکنیک دو مرحله ای استفاده می شود.
در ابتدا به کمک یک قطعه پیزو، نوسانات کانتیلور در فرکانس ω، نزدیک تشدید، برانگیخته می شود. در طی اولین مرحله، حالت شبه تماسی توپوگرافی سطح ضبط شده، در مرحله دوم، سوزن بالای نمونه با خط سیری منطبق با توپوگرافی حرکت می کند. بنابراین میانگین فاصله سوزن – نمونه، در مقدار ثابتی که توسط کاربر تعیین شده، حفظ می گردد. همچنین تصویر MFM بوسیله ضبط تغییرات در دامنه یا فاز نوسان کانتیلور، شکل می گیرد.

عنوان : تکنیک استفاده از دیاپازون کوارتزی در میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM)

توضیحات : ایجاد تصویر در میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM)، بوسیله ضبط تغییرات در دامنه یا فاز نوسان کانتیلور شکل می گیرد. برای غلبه بر نقاط ضعف پایه ها در تعیین دامنه نوسان، تکنیک استفاده از دیاپازون کوارتزی توسعه یافته است که در آن دامنه لرزش ها کوچکتر می باشد. در این تکنیک با اعمال ولتاژ متناوب(میلی ولت) بر روی الکترود، دوشاخه کوارتزی پیزوالکتریک در فرکانس رزونانس خود در مد خمشی نوسان می کند که پاسخ آن به گرادیان های نیروی مغناطیسی، فرکانس نوسان را تغییر می دهد.

نمایش توضیحات فیلم


چندرسانه ای 5 : تکنیک استفاده از دیاپازون کوارتزی در میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM)

دامنه و فاز نوسان کانتیلور (مشروط بر اینکه تغییرات گرادیان filereader.php?p1=main_d3d9446802a442597 در طول سطح ناچیز باشد) می تواند بصورت زیر تقریب زده شود:
filereader.php?p1=main_7f6711cf763cf8d56
filereader.php?p1=main_1688316d15ac92181

سپس تغییرات دامنه نوسان و فاز، با توجه به تغییرات گرادیان بصورت زیر است:

filereader.php?p1=main_503400c0ff4077a9c
filereader.php?p1=main_05e151e78b54177fc

filereader.php?p1=main_c6b1847fa30bd92ff
شکل5- تغییر دامنه نوسان و فاز با توجه به تغییر گرادیان نیرو [3]

ضرایبfilereader.php?p1=main_6512bd43d9caa6e02 ، روش های اندازه گیری حساسیت دامنه و فاز را مشخص می کند. حداکثر حساسیت در فرکانس های مشخصی بدست آمده که این فرکانس، برای اندازه گیری های مربوط به دامنه عبارتست از:

filereader.php?p1=main_2d15b084feece0544
filereader.php?p1=main_9a486e1a3c543c7c5

برای اندازه گیری های فاز، زمانی که فرکانس ارتعاشات کانتیلور با فرکانس تشدید سیستم سوزن – نمونه، منطبق باشد، حداکثر حساسیت بدست می آید [3]:

filereader.php?p1=main_1f7b1b966346d187b
filereader.php?p1=main_ea7e6c5a5f673669f

در شکل 6، تصاویر میکروسکوپ نیروی مغناطیسی از سطح یک دیسک مغناطیسی که به کمک تکنیک های مختلف بدست آمده اند، ارائه شده است.

filereader.php?p1=main_c6c27fc98633c8257
شکل6- تصاویر MFM از سطح یک دیسک مغناطیسی: الف) توپوگرافی AFM، ب) تصویر MFM کنتراست فازی، ج) تصویر MFM کنتراست دامنه، د) تصویر MFM با استفاده از تکنیک استاتیکی (نقشه نیروی مغناطیسی)[3].

عنوان : نقشه برداری حساسیت مقاوم به مغناطیس( MSM)

توضیحات : یکی از پیشرفت های میکروسکوپ نیروی مغناطیسی(MFM) در زمینه تکنولوژی ثبت مغناطیسی، نقشه برداری حساسیت مقاوم به مغناطیس(MSM)است که بعنوان ابزاری ارزشمند برای بررسی کارایی سنسورهای مقاوم در برابر مغناطیس(MR/GMR) می باشد. در این روش سوزن مغناطیسی در یک نوک ثبت کننده، بعنوان منبع میدان مغناطیسی تحریک کننده سنسور مقاوم به مغناطیس عمل می کند.

نمایش توضیحات فیلم


چندرسانه ای 6 : نقشه برداری حساسیت مقاوم به مغناطیس (MSM)

نتیجه گیری
جهت مطالعه خواص مغناطیسی موضعی و تغییرات نیروی مغناطیسی در سطح نمونه، از میکروسکوپ نیروی مغناطیسی استفاده می شود که در آن میدان مغناطیسی ایجاد شده توسط نمونه، به وسیله سوزنی که با لایه ای نازک از مواد فرومغناطیس و مغناطیس پوشیده شده است، اندازه گیری می شود. در این میکروسکوپ ها، اگر سوزن به سطح نمونه نزدیک باشد (ناحیه دینامیکی استاندارد AFM)، تصویر عمدتا توپوگرافی است و با افزایش فاصله سوزن، تأثیرات مغناطیسی غالب می شود. بنابراین جهت تهیه نقشه میدان مغناطیسی خارج شده از نمونه، باید میکروسکوپ در حالت غیرتماسی کار کند. بکارگیری تکنیک های نوسانی در این میکروسکوپ ها، در مقایسه با تکنیک های استاتیکی، علاوه بر حساسیت بالاتر، امکان تهیه تصاویر بهتر را فراهم می کند.

منابـــع و مراجــــع

1. Y. Martin, H. K. Wickramasinghe, "Magnetic imaging by ‘‘force microscopy’’ with 1000 Å resolution", Appl. Phys. Lett. 50, 1455 (1987);.

2. علیرضا ذوالفقاری، محمد الماسی، پیروز مرعشی، مهرداد نجبا، امید سیفی، "میکروسکوپ پروبی روبشی آزمایشگاهی روی نوک سوزن"، تهران، پیک نور، (1385).

3. V. L. Mironov ,"Fundamentals of scanning probe microscopy", (2004). .

4. Y. Martin, C.C. Williams, H.K. Wickramasinghe, Atomic force microscope-force mapping and profiling on a sub 100A ˚ scale, J. Appl. Phys. 61, 4723–4729 (1987).

5. D. Rugar, H.J. Mamin, P. Guethner, S.E. Lambert, 1.E. Stern, 1. McFadyen and T. Yogi, 'Magnetic force microscopy: general principles and application longitudinal recording media' ,J. Appl. Phys. 68 (3), 1169 (1990)

6. J.L. Hutter and J. Bechhoefer: 'Manipulation of van der Waals forces to improve image resolution in atominc-force microscopy', J. Appl. Phys. 73 (9), 4123- 4129, (1993).

7. D.O. Koralek, W.F. Heinz, M.D. Antonik, A. Baik, and J.H. Hoh:.'Proning deep interaction potentials with white-noise-driven atomic force microscope cantilevers', Appl. Phys. Lett. 76 (20), 2952 (2000)

8. C. Bustamante, S.B. Smith, J. Liphardt, and D. Smith: 'Single molecule studies of DNA mechanics' ,Current Opinion in structural Biology. 10,279 (2000)

9. E. Evans: 'Probing the relation between force-lifetime and chemisty in single molecular bonds' ,Ann. Rev. Biophys. Biomol. Structure 30 (2001).

10. F.J. Giessibl: In S. Morita, R. Wiesendanger, and E. Meyer (Eds.), oncontaet Atomic Force Microscopy (Springer, Berlin, 2002) p.ll

11. U. Rabe, K. Janser, and W. Arnold: 'Vibrations of free and surface-coupled atomic force microscope cantilevers: Theory and experiment', Rev. Sci. lnstr. 67,(9), 3281 (1996).

12. H.J. Butt and M. Jaschke: 'Calculation of thermal noise in atomic force microscopy', Nanotechnology 6 (1), 1 (1995).

13. T. Bouhacina, J.P. Aime, S. Gauthier, and D. Michel: Phys. Rev. B 56, 7694, (1997).

14. T. Trenkler, T. Hantschel, R. Stephenson, P. Dewolf, W. Vande ors. L Hellemans, A. Malave, D. Buchel, E. Oesterschulze, W. Kulisch, P. Niedermann. T. Sulzbach, and O. Ohlsson: 'Evaluating probes for electrical atomi force microscopy', J. Vac. Sci. Technol. B 18 (1),418 (2000). .

15. S. Rast, Ch. Watinger, U. Gysin, and E. Meyer: Nanotechnology 11, 169 (2000).

16. H.J. Mamin, D. Rugar, J.E. Stern, , B.D. Teris, and S.E. Lambert: 'Force microscopy of magnetization patterns in longitudinal recording media', Appl. Phys. Lett. 53 (16),1563 (1988).

17. P. Grutter, A. Wadas, E. Meyer, H.-R. Hidber, and H.-1. Guntherodt.Magnetic force microscopy ofCoCr thin film', 1. Appl. Phys. 66 (12), 6001 (1989)

18. C. Schoenenberger, S.F. Alvarado, S.E. Lambert, and I.L. Sanders, Magnetic force microscopy and its application to longitudinal thin films, J. Mag. Magn. Mat.93 123 (1991). .

19. U. Hartmann: 'Magnetic force microscopy and its application to longitudinal thin films' , Advanced Materials 2 (11), 550 (1990).

20. R. Howland, L. Benatar, "A PRACTICAL GUIDE TO SCANNING PROBE MICROSCOPY", ThermoMicroscopes, (2000).

21. E. Meyer, H. J. Hug, R. Bennewitz, "Scanning Probe Microscopy The Lab on a Tip", USA, Springer, (2003).

22. I.E.Tamm - "Fundamentals of the theory of electricity", Publisher: Moscow, Mir, 1979.

نظرات و سوالات

نظرات

3 0

جعفر جلالی علیایی - ‏۱۳۹۳/۰۱/۱۹

با سلام

لطفا منابع ارجاع داده شده را هم قرار دهید.

پاسخ مسئول سایت :
با سلام

مراجع این مقاله بدلیل زیاد بودن در سایت درج نشده است. انشاالله پیشنهاد شما بررسی می شود.