برترین کاربران هفتگی این مقاله

از ۱۳۹۷/۰۶/۳۱ تا ۱۳۹۷/۰۷/۰۶

هیچ کاربری در این بازه زمانی وجود ندارد

آمار مقاله
  • بازدید کل ۴۳,۵۲۷
  • بازدید این ماه ۴۸۵
  • بازدید امروز ۱۱
آمار آزمون مقاله
  • کل شرکت کنندگان ۳۰۴
  • قبول شدگان ۱۸۳
  • شرکت کنندگان یکتا ۱۴۲
  • میانگین درصد شرکت کنندگان ۶۰
واژه نامه فناوری نانو

نانو

nano

پيشوندي به معناي يک بيليونم يا (000،000،000،1/1). در متون فناوري‌نانو، معمولا براي مشخص کردن يک واحد اندازه‌گيري برابر با 10 به توان منفي 9 متر استفاده مي‌شود.

سطح مقاله

پیشرفته 2

نویسندگان
کلمات کلیدی
امتیاز کاربران

سلول‌های خورشیدی متداول

امروزه سلول‌های خورشیدی سیلیکونی، از پرکاربردترین قطعات حالت جامد هستند. سیلیکون نیمه‌رسانایی با گاف نواری filereader.php?p1=main_c4ca4238a0b923820 1/7-1/1 (مناسب برای جذب نور خورشید) می‌باشد. جفت‌های الکترون- حفره‌ در اثر تابش نور خورشید در نیمه‌رسانا تولید می‌شوند. این حامل‌های بار متحرک می‌توانند جریان الکتریکی تولید کنند. تولید ولتاژ الکتریکی به یک گاف انرژی بین ترازهای انرژی الکترونی نیاز دارد. اما چگونه می‌توان با استفاده از گاف انرژی، ولتاژ تولید کرد؟ برای این منظور، به یک پیوند p-n نیاز است. ساختار سلول‌های سیلیکونی، از یک فیلم نازک نوع n (ضخامتی در حدود یک یا چند میکرومتر) بر روی یک فیلم نوع p که ضخامت بیشتری دارد، تشکیل می‌شود. جفت‌های الکترون- حفره‌ تولید شده بوسیله نور خورشید در فصل مشترک این دو ناحیه پخش می‌شوند، جایی که میدان الکتریکی داخلی موجب جدایی بار می‌شود. در سلول‌های خورشیدی پیوند n-p بحث درباره تولید و بازترکیب حامل‌ها، که بسته به ولتاژ اعمال شده بر روی پیوند در گاف ممنوعه انرژی نیمه‌رسانا رخ می‌دهد، ضروری به نظر می‌رسد.
مقدمه:
کشف اثر فوتوولتایی به سال 1839 برمی‌گردد [1]، اما توسعه و کاربردی شدن آن به کندی صورت گرفته است. با پیشرفت مکانیک کوانتومی در اوایل قرن بیستم، توضیح پدیده‌های مربوط به تبدیل نور به الکتریسیته، میسر گردید و اهمیت مواد نیمه‌رسانای تک بلور کشف و رفتار پیوند n-p توضیح داده شد. در سال 1954 چاپین (Chapin) و همکارانش در آزمایشگاه بل (Bell Labs) یک سلول خورشیدی سیلیکونی (با بازده %6) اختراع کردند [1]. در اواخر دهه 1950، سلول‌های خورشیدی برای تأمین نیروی الکتریکی سیستم‌های ماهواره‌ای استفاده شدند، زیرا این قطعات برای یک دوره طولانی نیاز به حفاظت و نگهداری نداشتند و بدون افت زیاد در بازده تبدیل، بسیار مفید بودند. در دهه 1970 دانشمندان دریافتند که استفاده از اثر فوتوولتایی، می‌تواند پیشنهاد مناسبی در جهت تولید انرژی از منابع غیر فسیلی باشد [2]. در قرن گذشته اقتصاد بر روی منابع مختلف انرژی از قبیل انرژی هسته‌ای، آب، باد، نفت و گاز تمرکز داشت. تولید انرژی الکتریکی با استفاده از زغال سنگ، گاز و نفت مقادیر زیادی آلودگی (دی‌اکسیدکربن) منتشر می‌کند و از این‌رو مخاطرات سلامتی مطرح می‌شود. انرژی هسته‌ای بسیار گران و درگیر مسئله پرتودهی و پسماندهای خطرناک است. همه این منابع تولید انرژی الکتریکی درگیر مسائل نگهداری، حمل و نقل و تحویل روزانه با وجود شرایط آب و هوایی نامساعد هستند. از سوی دیگر، انرژی خورشیدی، منبعی بدون آلودگی، بی‌نیاز به دستگاه‌های کمکی برای حمل و نقل را فراهم می‌کند. با وجود این فواید، سلول‌های خورشیدی تنها % 0.04 از الکتریسیته شبکه جهانی را تولید می‌کنند، که دلیل آن هزینه بالای تولیداین سلول‌ها است [2].

2- انواع سلول‌های خورشیدی
سلول‌های خورشیدی را می‌توان به دو دسته مجزا تقسیم کرد: سلول‌های خورشیدی متداول، مانند پیوندگاه‌های p-n سیلیکونی و سلول‌های خورشیدی اکسیتونی (XSCها یا Excitonic Solar Cells). بیشتر سلول‌های خورشیدی برپایه مواد آلی، شامل سلول‌های خورشیدی رنگدانه‌ای ( DSSC یا Dye-sensitized solar cells) و سلول‌های ترکیبی غیرآلی-پلیمری (Polymer-Inorganic Hybrid Cells)، در دسته XSC ها، قرار می‌گیرند.

عنوان : سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه(DSSC)

توضیحات : یکی از انواع سلول های خورشیدی اکسیتونی(XSC)، سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه(DSSC)، می باشد که از الکترود متقابل با پوشش پلاتین، الکترود شفاف استخراج کننده الکترون ونیمه هادی نانوکریستالی متخلخل(معمولا TiO2) تشکیل شده است.

نمایش توضیحات فیلم


چندرسانه‌ای 1 : سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه (DSSC)

در این سلول‌ها، برانگیختگی الکترونی در اثر جذب نور، جفت الکترون-حفره مقید، که اکسیتون نامیده می‌شوند، تولید می‌کند.

عنوان : اساس کار سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه(DSSC)

توضیحات : اساس کار سلول های خورشیدی حساس شده با رنگدانه تولید نور از طریق جذب در تک لایه رنگدانه و انتقال الکترون به لایه الکترونی رسانایی نیمه هادی می باشد. سپس الکترون به سمت الکترود استخراج کننده هدایت می شود و از آنجا به مدار خارجی انتقال می یابد و اتلاف بار الکتریکی رنگدانه بوسیله زوج الکترون-حفره جبران می گردد.

نمایش توضیحات فیلم


چندرسانه‌ای 2 : اساس کار سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه (DSSC)

اکسیتون‌ها اگرچه به‌طور مستقیم در فصل مشترک‌های ناهمگن تولید نمی‌شوند، باید در این فصل مشترک‌ها پراکنده شوند، تا تولید فوتونیِ (Photogeneration) حامل‌های بار صورت گیرد. این یک ویژگی متمایز کننده XSC‌‌ها است، که حامل‌های بار بلافاصله پس از تولید، در یک فصل مشترک دوگانه تفکیک می‌شوند. در مقابل در سلول‌های معمولی، تولید فوتونی جفت الکترون- حفره آزاد، در نیمه‌رسانای حجیم رخ می‌دهد و جدایی بار، که بر اساس ورود آن‌ها به پیوندگاه صورت می‌گیرد، فرآیندی است که پس از آن انجام می‌شود. این تمایز به ظاهر کوچک منجر به تفاوت‌های اساسی در رفتار فوتوولتایی می‌شود [3].

3- سلول‌های خورشیدی متداول
این سلول‌ها، از پیوندگاه‌های صفحه‌ای سیلیکونی ‌(نیمه‌رساناهای نوع n و p) ساخته می‌شوند، ‌که پتانسیل الکترواستاتیک در فصل مشترک، نیروی محرکه برای جدایی بارها را فراهم می‌کند. هنگامی که فوتون‌های نور به اتم‌های نیمه‌رسانا، برخورد می‌کنند‌، الکترون‌ها از جای خود بیرون رانده می‌شوند. جدا شدن الکترون‌ها، اتم‌هایی با بار مثبت باقی می‌گذارد. این اتم‌ها الکترون‌های آزاد در سیلیکون را جذب می‌کنند. اگر یک پیوند n-p در سیلیکون تشکیل شود، این حرکت تصادفی می‌تواند به یک جریان از الکترون‌ها تبدیل شود. الکترون‌های جدا شده بوسیله فوتون‌ها در نزدیکی پیوند n-p به سمت ناحیه p پیوندگاه جذب می‌شوند، که نتیجه آن، بوجود آمدن یک جریان در حضور نور است. مقدار جریان (بر حسب آمپر) مستقیماً متناسب با شدت نور است. پتانسیل جریان بر حسب ولت به شدت نور وابسته نیست. اگر بوسیله هر فوتون که با سلول خورشیدی برخورد می‌کرد، یک الکترون جدا می‌شد، سلول %100 نوری را که به آن می‌رسید، به الکتریسیته تبدیل می‌کرد. درحالی‌که بازده سلول‌های خورشیدی واقعی %5 تا %20 است. [5-4].

3-2- پیوندگاه p-n، خواص الکتریکی
نقش مهم پیوند n-p، تفکیک بار (الکترون‌ها و حفره‌ها) تولید شده بوسیله نور است. در شکل (1) نوار انرژی نیمه‌رساناهای نوع n و p نشان داده شده است. هنگامی‌که یک پیوند n-p تشکیل می‌شود، گرادیان‌های بزرگ تراکم حامل موجب پخش حامل‌ها می‌گردد. به این صورت که حفره‌ها از نیمه‌رسانای نوع p به نیمه‌رسانای n و الکترون‌ها از نیمه‌رسانای نوع n به نیمه‌رسانای نوع p پخش می‌شوند. به‌دلیل وجود اتم‌های ناخالص یونیزه شده، هنگامی‌که الکترون‌ها و حفره‌ها در عرض پیوند پخش می‌شوند، یک لایه بدون حامل‌های بار متحرک، تشکیل می‌شود (شکل(a)2). این ناحیه را، ناحیه سدی (تهی depletion Region) می‌نامند. ناحیه سدی، بوسیله یون‌های دهنده و پذیرنده یونیزه شده، باردار می‌شود. این بار فضایی، یک میدان الکتریکی بوجود می‌آورد که با پخش بار در عرض پیوند، مخالفت می‌کند. هنگامی‌که جریان سوق ناشی از میدان الکتریکی با جریان پخش ناشی از گرادیان تراکم حامل، برابر می‌شود، تعادل گرمایی برقرار ‌شده و در این هنگام، سطوح فرمی نیمه‌رساناهای نوع n و نوع p، مساوی می‌شوند (شکل(b)2). اختلاف پتانسیل الکترواستاتیک بین نیمه‌رساناهای نوع n و نوع p در تعادل گرمایی، پتانسیل درونی (built-in potential)filereader.php?p1=main_c81e728d9d4c2f636 ، نامیده می‌شود و مساوی با اختلاف تابع کار سمت p و سمت n است [8-6]:

                                           (1)                                                             filereader.php?p1=main_eccbc87e4b5ce2fe2

که filereader.php?p1=main_c4ca4238a0b923820 وfilereader.php?p1=main_c81e728d9d4c2f636 به‌ترتیب تراکم یون‌های پذیرنده و دهنده در نیمه‌رساناهای نوع n و نوع p و تراکم حامل ذاتی می‌باشد. در واقع، برقراری یک سطح فرمی برای سیستم در حالت تعادل گرمایی (مانند شکل b)2) بوسیله تولید یک انرژی پتانسیل الکترواستاتیک انجام می‌شود که پتانسیل درونی دارد. به‌دلیل وجود این انرژی پتانسیل، نوارهای رسانش و ظرفیت در ناحیه اتصال دو نیمه‌رسانا دچار خمیدگی (band bending) می‌شوند.
                                                              
filereader.php?p1=main_c4ca4238a0b923820
شکل1-  نوار انرژی و حامل‌های اکثریت نیمه‌رساناهای نوع n وp

filereader.php?p1=main_c81e728d9d4c2f636
شکل2- a) ساختار شماتیکی پیوند n-p و b) نمودار نوار انرژی آن در تعادل گرمایی [6].

3-2-1- مشخصه‌های جریان- ولتاژ ایده‌آل تحت تاریکی
در یک پیوند n-p، بین جریان با جهت موافق (که در آن الکترون‌ها از ناحیه n و حفره‌ها از ناحیه p به سمت پیوندگاه حرکت می‌کنند) و جریان با جهت معکوس (که در آن الکترون‌ها و حفره‌ها از پیوندگاه دور می‌شوند) تمایز وجود دارد. هنگامی‌که جهت جریان موافق است (شکل(a)3) الکترون‌ها از ناحیه n و حفره‌ها از ناحیه p به سمت ناحیه تهی می‌آیند و به‌عنوان حامل‌های اقلیت در ناحیه‌ای که به طور مخالف آلاییده (oppositely doped region) شده است، حرکت می‌کنند و در آنجا پس از طی مسیر متوسطی که از مرتبه طول پخش است، بازترکیب می‌شوند (الکترون‌ها در سمت n و حفره‌ها در سمت p حامل اقلیت هستند). هنگامی‌که جهت جریان معکوس است (شکل 3b) الکترون‌ها از ناحیه p و حفره‌ها از ناحیه n به سمت ناحیه تهی می‌آیند [8-6].
هنگامی‌که یک پیش‌ولت (bias) با اتصال پایانه مثبت به سمت p و پایانه منفی به سمت n استفاده شود، ولتاژ به کار گرفته شده، پتانسیل الکترواستاتیک در ناحیه تهی را کاهش می‌دهد (شکل4a). این قطبیدگی، پیش‌ولت موافق (forward bias) نامیده می‌شود. در این مورد جریان سوق، کاهش می‌یابد و پخش الکترون‌ها و حفره‌ها به‌ترتیب از سمت n به سمت p و از p به n افزایش می‌یابد. در تعادل گرمایی، تراکم الکترونی در سمت n برابر است با [6]:
                                                                                                                                    
 (2)                                                                          filereader.php?p1=main_6512bd43d9caa6e02

filereader.php?p1=main_182be0c5cdcd5072bوfilereader.php?p1=main_b53b3a3d6ab90ce02 به ترتیب تراکم الکترون در نیمه‌رسانای نوع- n و نوع p در شرایط تعادل گرمایی است. با استفاده از تراکم الکترونی در مرز ناحیه تهی در سمت p، filereader.php?p1=main_b6d767d2f8ed5d21a (که از تراکم حامل اقلیت بدست می‌آید) می‌توان تراکم الکترونی در مرز ناحیه تهی در سمت n را محاسبه کرد. بنابراین هنگامی که یک پیش‌ولت موافق filereader.php?p1=main_202cb962ac59075b9،  بر پیوند اعمال شود و در شرایط تزریق کم (filereader.php?p1=main_f7177163c833dff4b) تراکم الکترونی در مرز ناحیه تهی در سمت n، بدست می‌آید:
filereader.php?p1=main_eccbc87e4b5ce2fe2
شکل3- پیوند n-p : a) پیش‌ولت موافق و b) پیش‌ولت مخالف [8].

filereader.php?p1=main_a87ff679a2f3e71d9
شکل4- نمودار نوار انرژی تحت a) پیش‌ولت موافق و b) پیش‌ولت مخالف [6].

در لایه n، معادله پیوستگی حالت پایا برابر است با:

                                              (4)                                          filereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a83

حل این معادله دیفرانسیلی به صورت زیر است:

   (5)                                       filereader.php?p1=main_03c7c0ace395d8018

کهxn پهنای لایه تهی سمت n و Lp طول پخش حفره‎‌ها در سمت n را نشان می‌دهد. بنابراین، چگالی جریان پخش در سمت n درx=xn برابر است با:

(6)                         filereader.php?p1=main_8277e0910d750195b
                                                        
به طور مشابه، چگالی جریان پخش در سمت p درx=-xp برابر است با:
                                                                                      
(7)                          filereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a83

که طول Ln پخش الکترون‌ها در لایه p است. بنابراین، چگالی جریان نهایی برابر می‌شود با:

    (8)     filereader.php?p1=main_03c7c0ace395d8018

Jo چگالی جریان اشباع نامیده شده و با عبارت زیر نشان داده می‌شود [8-6]:
                                                                                              
(9)                                    filereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a83

هنگامی‌که یک پیش‌ولت معکوس بر روی پیوند به‌کار گرفته شود، ولتاژ اعمال شده، VR، ولتاژ الکترواستاتیک در ناحیه تهی را افزایش می‌دهد (شکلb4). بنابراین، چگالی جریان پخش متوقف می‌شود. به طور مشابه، مشخصه جریان- ولتاژ تحت یک پیش‌ولت معکوس با عبارت زیر داده می‌شود [8-6]:

(10)                                                                  filereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a83

شکل(4) نمودار انرژی دو نیمه‌رسانا در ناحیه پیوند، تحت پیش‌ولت موافق و مخالف نشان می‌دهد.
3-2-2- اثرات تولید و بازترکیب حامل
ساختن یک پیوند n-p، با مشخصه جریان- ولتاژ ایده‌آل، مشکل است. در یک سلول واقعی، بحث درباره تولید و بازترکیب حامل در ناحیه تهی، مفید خواهد بود. در شرایط پیش‌ولت معکوس، تولید الکترون‌ها وحفره‎‌ها در ناحیه تهی، در میانه تراز انرژی نیمه‌رسانا در گاف ممنوعه انرژی رخ می‌دهد. در پیش‌ولت موافق، حامل‌ها در نوار انرژی (در گاف ممنوعه انرژی) بازترکیب می‌شوند (شکل3). جریان بازترکیب با عبارت تقریبی زیر داده می‌شود [8و6]:

(11)                                                                                filereader.php?p1=main_03c7c0ace395d8018

چگالی جریان موافق در پیوند n-p واقعی، با رابطه تجربی زیر داده می‌شود [8-6]:

           (12)                                                                          filereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a83

که عامل ایده‌آلی نامیده می‌شود و مقادیر بین 1 و 2 دارد. در پیوند n-p ایده‌آل، هنگامی‌که جریان پخش غالب است، و هنگامی‌که جریان بازترکیب غالب است، می‌باشد.

3-3- خواص فوتو ولتایی
هنگامی‌که پیوند n-p تحت تابش نور خورشید قرار می‌گیرد، جفت‌های الکترون- حفره، تولید می‌شوند، که تعدادشان وابسته به شدت نور است. به دلیل میدان الکتریکی موجود در ناحیه سدی، سوق الکترون‌ها به سمت ناحیه n و حفره‌ها به ناحیه p ، صورت می‌گیرد. هنگامی که یک سیم خارجی به صورت مدار کوتاه به پیوند متصل شود، این جدایی بار، جریانی از n به سمت p بوجود می‌آورد (شکل5). به این ترتیب الکترون- حفره‌های تولید شده در یک فاصله طول پخش از لبه ناحیه تهی، سهمی در فوتوجریان خواهند داشت. نمودار نوار انرژی در مدار کوتاه و مدار باز در شکل (6) نشان داده شده است. هنگامی که دو سمت n و p در یک مدار کوتاه واقع می‌شوند، جریان، جریان مدار کوتاه Lsc (Short-circuit current، نامیده می‌شود و در صورتی‌که مقاومت سری صفر باشد، با جریان فوتو تولیدی LL، برابر است. هنگامی‌که دو سمت n و p ایزوله می‌شوند، الکترون‌ها به سمت n و حفره‌ها به سمت p، حرکت می‌کنند، که منجر به تولید پتانسیل می‌شود. ولتاژ ظاهر شده، ولتاژ مدار باز (Open-circuit photovoltage)، نامیده می‌شود [7-6].

filereader.php?p1=main_e4da3b7fbbce2345d
شکل5- شماتیکی از جریان حامل در پیوند n-p تحت تابش، قرارگرفته در یک مدار کوتاه، که W پهنای ناحیه سدی است [6].

filereader.php?p1=main_1679091c5a880faf6
شکل6-  نمودار انرژی پیوند n-p تحت تابش،a) جریان مدار کوتاه و b) مدار باز [6].

با فرض واحد بودن مساحت سلول، مشخصه جریان- ولتاژ پیوند n-p تحت تابش با رابطه زیر داده می‌شود [8-6]:

(13)                                                                        filereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a83

در مدار باز، ولتاژ از رابطه زیر بدست می‌آید [8-6]:

  (14)                                                                                filereader.php?p1=main_03c7c0ace395d8018

هنگامی‌که سلول خورشیدی تحت شرایطی عمل کند که توان خروجی آن ماکزیمم باشد، در نقطه عمل بهینه، ولتاژ Vm و جریان Im خواهد بود و Isc عوامل Voc تعیین‌کننده بازده یک سلول خورشیدی هستند، که در آینده بیشتر به آنها می‌پردازیم. بازده نهایی تبدیل انرژی خورشیدی به الکتریکی، به‌عنوان نسبت ماکزیمم توان الکتریکی خروجی تولید شده به توان کامل نور برخوردی تعریف می‌شود و از رابطه زیر بدست می‌آید [8-6]:

(15)                                                            filereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a83

که Jsc  در آن چگالی فوتوجریان اندازه‌گیری شده در مدار کوتاه،Voc ولتاژ مدار باز، عامل پرشدگی (Fill Factor) سلول و Pin شدت نور برخوردی است. FF دارای مقادیر بین صفر تا یک است و به صورت filereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a83 تعریف می‌شود. به‌منظور افزایش بازده یک سلول، بیشینه همه پارامترهای فوتوولتایی مورد نیاز است. پارامترهای فوتوولتایی، تحت شرایط آزمایشی استاندارد برآورد می‌شوند. طیف استاندارد برای اندازه‌گیری بازده سلول‌های خورشیدیfilereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a83 یا توده هوا: تابش خورشیدی در هنگام عبور از اتمسفر، تا اندازه‌ای جذب می‌شود. جذب، اغلب به دلیل وجود گازها و ذرات غبار صورت می‌گیرد [8])، با چگالی توان فرودی filereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a831000 و دمای filereader.php?p1=main_0cc175b9c0f1b6a83 25 است [6].

4- بحث و نتیجه‌گیری:
به‌منظور تولید ولتاژ در یک سلول خورشیدی، به یک پیوند p-n نیاز داریم. نقش پیوند n-p، تفکیک حامل‌های بار تولید شده بوسیله نور است. به‌دلیل وجود میدان الکتریکی در ناحیه سدی پیوند n-p، سوق الکترون‌ها به سمت ناحیه n و حفره‌ها به ناحیه p، صورت می‌گیرد. هنگامی‌که یک سیم خارجی به صورت مدار کوتاه به پیوند متصل شود، این جدایی بار، جریانی از n به سمت p بوجود می‌آورد. به این ترتیب الکترون- حفره‌های تولید شده در یک فاصله طول پخش از لبه ناحیه تهی، سهمی در فوتوجریان خواهند داشت. در شرایط پیش‌ولت معکوس، تولید الکترون‌ها وحفره‎‌ها در ناحیه تهی، در میانه تراز انرژی نیمه‌رسانا، در گاف ممنوعه انرژی رخ می‌دهد. در پیش‌ولت موافق، حامل‌ها در تراز انرژی، در گاف ممنوعه انرژی، بازترکیب می‌شوند. سه پارامتر فوتو‌ولتایی تعیین‌کننده بازده یک سلول خورشیدی عبارتند از:1- جریان مدار کوتاه Isc، و 2- ولتاژ مدار بازVoc، و 3- عامل پرشدگیFF.

منابـــع و مراجــــع

1.Fraas Lewis, Partain Larry, Solar Cells and Their Applications, Second Edition, John Wiley & Sons, Inc.,(2010).

2.A.R. Jha, Solar Cell Technology and Applications, Auerbach Pub.Taylor & Francis Group, (2010).

3.Brian, A. Gregg, “Excitonic Solar Cells”, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 4688-4698, (2003).

4.Mims III, Forrest M., “Solar Cell Projects”, Radio Shack Engineer’s Mini Notebook, First Printing, USA, (1999).

5.Hochbaum, I.Allon, Yang, Peidong, Semiconductor Nanowires for Energy Conversion, Chem. Rev., 110, 527–546,(2010).

6.Soga, T., (editor), “Nanostructured Materials for Solar Energy Conversion” (Fundamentals of Solar Cell), Elsevier, (2006).

7.Fonash, J. Stephen, “Solar Cell Device Physics”, Second Edition, USA, Elsevier Inc., (2010).

8.Wurfel, Peter, “Physics of Solar Cell From Prenciples to New Concepts”, John Wiley & Sons, Inc., (2005).

9.Grätzel, Michael, Dye-Sensitized Solar Cells, Journal of Photochemistry and Photobiology C: Photochemistry Reviews 4., (2003).