برترین کاربران هفتگی این مقاله

از ۱۳۹۷/۰۵/۲۰ تا ۱۳۹۷/۰۵/۲۶

آمار مقاله
  • بازدید کل ۲۹,۸۳۷
  • بازدید این ماه ۲۷
  • بازدید امروز ۲
آمار آزمون مقاله
  • کل شرکت کنندگان ۵۵۳
  • قبول شدگان ۴۳۷
  • شرکت کنندگان یکتا ۲۰۸
  • میانگین درصد شرکت کنندگان ۷۳
واژه نامه فناوری نانو

نانو

nano

پيشوندي به معناي يک بيليونم يا (000،000،000،1/1). در متون فناوري‌نانو، معمولا براي مشخص کردن يک واحد اندازه‌گيري برابر با 10 به توان منفي 9 متر استفاده مي‌شود.

سطح مقاله

پیشرفته 1

طرح درس

منابع پیشنهادی هشتمین مسابقه ملی-عناوین کلی

نویسندگان
کلمات کلیدی
امتیاز کاربران

نانوحفره‌های اکسید آلومینیوم (2)

در مقاله‌ی نانوحفره‌های اکسید آلومینیوم (1)، ساختار کلی آلومینای آندی متخلخل و هم چنین مکانیزم رشد این لایه در حضور میدان الکتریکی و نفوذ گونه‌های الکترولیت به درون لایه‌ی اکسید، شرح داده شد. در این مقاله به توضیح مکانیزم رشد لایه‌ی اکسید متخلخل در حالت پایا و ساختار دیواره‌ی سلول‌های شش وجهی و هم چنین بررسی عوامل مؤثر بر پارامتر‌های هندسی ساختار آلومینای متخلخل نظیر قطر حفره‌ها، فاصله‌ی بین حفره‌ای، ضخامت دیواره و ضخامت لایه‌ی سدی پرداخته‌ می شود.
1- مقدمه
در مقاله‌ی قبل، تحولاتی را که در اثر اعمال میدان الکتریکی، در ساختار آلومینای متخلخل و در مکانیزم رشد این لایه ایجاد می‌شود، توضیح داده شد. همان طور که گفته شد، رشد لایه‌ی آلومینای آندی در حالت پایا از تعامل دو فرآیند رقابتی، که به طور همزمان اتفاق می‌افتند، نتیجه می‌شود. یکی از این فرآیندها، حل شدن لایه‌ی اکسید در انتهای حفره‌ها در مرز مشترک لایه‌ی اکسید و الکترولیت است و دیگری تشکیل اکسید در مرز مشترک لایه‌ی اکسید و فلز می‌باشد.
در ادامه به توضیح فرآیند رشد در حالت پایا و واکنش‌هایی که طی این فرآیند انجام می‌گیرد، ‌پرداخته می شود.
2- رشد حالت پایای لایه‌ی اکسید متخلخل در فرآیند آندایز خود نظم یافته
یون‌های OH - در محلول الکترولیت، در تجزیه‌ی ساده‌ی آب یا به وسیله‌ی کاهش کاتدی آب و اکسیژنِ حل شده، طی واکنش‌های زیر تولید می‌شوند:

واکنش  (1)                                                                                 H2O + 2e- → 2OH- + H2  
واکنش (2)                                                                               -O2 + 2H2O + 4e- → 4OH

از طرف دیگر یون‌های -O2 در مرز بین اکسید و الکترولیت در اثر از بین رفتن جای خالی اکسیژن که منجر به جذب یون‌های -OH می‌گردد [1]، یا در تجزیه‌ی ساده‌ی آب و یا در واکنش آب با آنیون‌های جذب شده‌ی الکترولیت، تشکیل می‌شود [2]. فرآیند تولید یون‌های -O2 و -OH ، که در سطح مشترک اکسید و الکترولیت رخ می‌دهد، در شکل 1 نشان داده شده است.

filereader.php?p1=main_ec6ef230f1828039e
شکل 1- نمایش شماتیک تشکیل یون‌های -O2 و -OH در مرز اکسید و الکترولیت، به‌وسیله‌ی واکنش آب با آنیون‌های جذب شده‌ی -SO4 2  از منبع [2].

قطبش آندی آلومینیوم در الکترولیت اسیدی، طبق واکنش‌های زیر، منجر به رشد لایه‌ی اکسیدی آمورف می‌گردد:

واکنش (3)                                                              -2Al 3+ + 3H2O → Al2O3 + 6H + + 6e  
واکنش(4)                                                                  - 2Al + 6OH- → Al2O3 + 3H2O + 3e  
واکنش(5)                                                                                 -2Al + 3O2- → Al2O3 + 6e  
واکنش زیر، نقش اصلی را در جریان آندی بر عهده دارد:
واکنش (6)                                                                                                -Al → Al 3+ + 3e  
حرکت اکسیژن در نزدیکی مرز اکسید و فلز، برای آندایز آلومینیوم در الکترولیت‌های مختلف گزارش شده است [3-5]. این واکنش‌ها به صورت زیر هستند:
واکنش (7)                                                                                  - 2H2O → O2 + 4H + + 4e 
واکنش (8)                                                                                -4OH - → 2H2O + O2 + 4e  
واکنش (9)                                                                                                -2O2- → O2 + 4e  

تشکیل حباب‌های اکسیژن درون آلومینای آندی، طبق واکنش (9) در مجاورت مرز لایه‌ی اکسید و فلز، به دلیل حضور ناخالصی‌ها، می تواند ادامه داشته باشد [3 و 6]. هم چنین پیشنهاد شده است که حرکت اکسیژن مستقیماً با رشد لایه‌ی آلومینای متخلخل مرتبط است.
فرآیند آندی با حضور آنیون‌های الکترولیت، که نسبت به اکسید شدن حساس می‌باشند، پیچیده‌تر می‌شود :
واکنش (10)                                                                                      -2SO42- → 2SO82- + 2e 
چنانچه قبلاً نیز اشاره شد، شکل‌گیری حفره‌ها، به انحلال گرمایی ناشی از حضور میدان لایه‌ی اکسید در انتهای حفره‌ها نسبت داده می‌شود. از طرف دیگر، برای الکترولیت‌های اسیدی رایج شامل اسید سولفوریک، اسید فسفریک و اسید اکسالیک، رشد لایه‌ی اکسید اساساً در مرز مشترک اکسید و فلز انجام می‌گیرد. رشد آلومینای متخلخل به دلیل مهاجرت یون‌های حامل اکسیژن (-O2 و -OH) از محلول الکترولیت به درون لایه‌ی اکسید، در ته حفره‌ها اتفاق می‌افتد. از طرف دیگر، یون‌های +Al3 که در لایه‌ی اکسید در حال پیشروی هستند، در سطح مشترک لایه‌ی اکسید و الکترولیت، به درون محلول الکترولیت رانده می‌شوند (شکل 2). در واقع مهاجرت یون‌های فلزی به درون محلول الکترولیت، شرط لازم برای رشد لایه‌ی اکسید متخلخل می‌باشد؛ زیرا زمانی که این یون‌ها به سطح مشترک لایه‌ی اکسید و الکترولیت می‌رسند، موجب رشد لایه‌ی سدی می‌شوند و به این ترتیب در شکل‌گیری لایه‌ی اکسید ایفای نقش می‌نمایند [7].

filereader.php?p1=main_1d665b9b1467944c1
شکل 2- نحوه‌ی مهاجرت یون‌ها و شکل گیری نانوحفره‌ها طی فرآیند آندایز آلومینیوم [7].

اما تنها بخشی از شار یون‌های +Al3 در مرز مشترک اکسید/فلز و اکسید/الکترولیت در تشکیل لایه‌ی اکسید مشارکت دارد. به علاوه، یون‌های الکترولیت نیز به درون لایه‌ی سدی مهاجرت می‌کنند و می‌توانند در ترکیبات اکسید فلز شرکت نمایند.
برای رشد حالت پایای اکسید متخلخل، افزایش محلی میدان در مرز مشترک اکسید و فلز، روی انحلال لایه‌ی اکسید در ته حفره‌ها اثر می‌گذارد [8]. افزایش انحلال میدانی لایه‌ی اکسید، باعث افزایش نرخ رشد اکسید در سطح مشترک اکسید و فلز می‌شود؛ علت این امر، تعادل دینامیکی بین نرخ انحلال میدانی اکسید و نرخ تشکیل اکسید می‌باشد. انحلال میدانی اکسید، از قطبش پیوندهای Al-O آغاز می‌گردد؛ و به دنبال آن یون‌های +Al3 از ساختار اکسید جدا می‌شوند [9]. جدا شدن یون‌های +Al3 در حضور میدان، بسیار آسان‌تر اتفاق می‌افتد.
یک فرآیند اصلی برای رشد آلومینای متخلخل، به طور شماتیک در شکل 3 نشان داده شده است.

filereader.php?p1=main_7bc3ca68769437ce9
شکل 3- نمایش حرکت یون‌ها و حل شدن لایه‌ی اکسید در الکترولیت اسید سولفوریک [9].

3 - ساختار دیواره سلول
خصوصیات لایه‌ی آلومینای متخلخل تشکیل شده تحت فرآیند آندایز، وابسته به نفوذ گونه‌های الکترولیت به درون دیواره‌های اکسید می‌باشد. به علاوه، خواص مکانیکی لایه‌ی آلومینای آندی، شامل قابلیت انعطاف، سختی و مقاومت در برابر سایش، به شدت تحت تأثیر نفوذ آنیون‌ها قرار دارد [10]. مقدار گونه‌های نفوذی و توزیع آن‌ها، به شرایط آندایز مثل پتانسیل آندایز و دما بستگی دارد.

filereader.php?p1=main_13207e3d5722030f6
شکل 4- نمایش سطح مقطع و سطح بالایی ساختار (الف) دوتایی و (ب) سه تایی دیواره‌ی سلول آلومینای متخلخل، به ترتیب در اسیدسولفوریک و اسید فسفریک [11].

ساختار دوتایی دیواره‌ی سلول در شکل 4 نشان داده شده است. تامسون و همکارانش (Thompson et al.) پیشنهاد کردند که این ساختار از دو ناحیه تشکیل شده است، لایه‌ی داخلی شامل آلومینای تقریباً خالص و لایه‌ی خارجی دارای آنیون‌های نفوذی الکترولیت می‌باشند [10 و 11]. ضخامت لایه‌ی داخلی، بسته به نوع اسید انتخابی، به صورت زیر افزایش می‌یابد:

رابطه (H2SO4 < C2H2O4 < H3PO4 < H2CrO4                                                         (11 

یک گذار از حالت جامد به حالت ژله مانند در حرکت در عرض دیواره‌ی سلول به سمت داخل حفره وجود دارد. نسبت ضخامت لایه‌ی داخلی به لایه‌ی خارجی، بستگی به الکترولیت دارد و به ترتیب برای الکترولیت‌های اسید سولفوریک، اسید اکسالیک و اسید فسفریک برابر است با 0.05، 0.1 و 0.5 [11].
اخیراً ساختار سه‌تایی دیواره‌ی سلول، چنان‌چه در شکل 4-ب دیده می‌شود، گزارش شده است [12]. لایه‌های خارجی و میانی، توسط گونه‌های الکترولیت، عمدتاً با پروتون و آنیون، ناخالص می‌شوند. لایه‌ی خارجی به‌وسیله‌ی آنیون‌ها و پروتون‌ها غنی می‌شود؛ در حالی‌که لایه‌ی میانی به طور عمده شامل آنیون‌هاست. لایه‌ی داخلی نیز از آلومینای خالص تشکیل شده است.
مقدار آب درون لایه‌ی آلومینای متخلخل، از 1 تا 15 درصد تغییر می‌کند [10 و 13]. به طور کلی میزان آب درون آلومینای متخلخل، به شرایط آندایز و تکنیک‌های اندازه‌گیری و جابه‌جا کردن نمونه بستگی دارد. لایه‌های اکسیدی متخلخل که در الکترولیت اسید سولفوریک شکل می‌گیرند، اساساً خشک هستند [14].

filereader.php?p1=main_ed92eff813a02a31a
شکل 5- جاهای خالی در ساختار آلومینای آندی متخلخل [9].

اونو و همکارانش (Ono et al) گزارش کردند که در ساختار آلومینای متخلخل، فضاهایی خالی (Void)، مطابق شکل‌های 5 و 6، روی نوک برآمدگی‌های آلومینیوم، در سطح مشترک فلز و اکسید، در لایه‌ی داخلی دیواره‌های سلول مشاهده می‌شود. پیشنهاد شده است که این فضاهای خالی، که به دلیل حرکت اکسیژن به وجود آمده‌اند، برای تحمل فشار در لایه ایجاد می‌شوند. فضاهای خالی تشکیل شده در لایه‌ی اکسید متخلخل، با افزایش پتانسیل آندایز افزایش می‌یابد [15 و 16].

filereader.php?p1=main_c6c27fc98633c8257
شکل 6- مراحی تشکیل جاهای خالی در ساختار آلومینای آندی متخلخل [9].

4- پارامترهای هندسی مشخصه‌ی نانوحفره‌های آلومینای آندی
نانوساختارهای منظم، اغلب با پارامترهایی مانند قطرحفره (Pore diameter)، فاصله بین حفره‌ای (Interpore distance)، ضخامت دیواره (Wall thickness)، ضخامت لایه‌ی سدی (Barrier layer thickness)، تخلخل (Porosity)، چگالی حفره (Pore density) و ضخامت لایه‌ی اکسید توصیف می‌شوند. در اینجا سه مورد اول توضیح داده می¬شود و سایر موارد در مقاله‌ی نانوحفره‌های اکسید آلومینیوم 3 مورد بررسی قرار می‌گیرد.

1-4- قطر حفره
عموماً برای ساختار آلومینای آندی متخلخل، قطر حفره با پتانسیل آندایز رابطه‌ی خطی دارد و ثابت تناسب این رابطه، λp، برای آندایز نرم، برابر با 9/0 نانومتر بر ولت و برای آندایز سخت، 0/4 نانومتر بر ولت می‌باشد [2] (آندایز نرم و سخت در مقاله‌ی فرآیند آندایز 2، معرفی شده‌اند):

رابطه (Dp = λp . U                                                                                                         (12 

Dp معرف قطر حفره (nm) و U معرف پتانسیل آندایز (V) می‌باشد. وابستگی قطر حفره به پتانسیل آندایز، نسبت به تغییر الکترولیت حساس نیست. در توصیف ساختار آلومینای آندی متخلخل، عموماً محققان اصطلاح لایه‌ی خارجی (Outer layer) را برای نواحی نزدیک سطح لایه‌ی اکسید، و اصطلاح لایه‌ی داخلی (Inner layer) را برای نواحی نزدیک به انتهای حفره‌ها، به کار می‌برند. در حالت پایدار، با گذشت زمان، تغییر محسوسی در قطر حفره‌های لایه‌ی اکسید خارجی مشاهده نمی‌شود؛ قطر زیادتر حفره‌ها در نزدیکی سطح لایه‌ی اکسید، نتیجه‌ی رشد اولیه و بی‌قاعده‌ی لایه‌ی آلومینای متخلخل در مراحل اولیه‌ی رشد است [8، 10 و 15].
بدیهی است که دمای الکترولیت و شرایط هیدرودینامیکی درون سلول الکتروشیمیایی بر روی قطر حفره‌ها تأثیرگذار می‌باشد. در آندایز در دماهای بالاتر (نزدیک دمای اتاق)، افزایش قابل توجهی در سرعت انحلال شیمیایی لایه‌ی اکسید خارجی، خصوصاً در الکترولیت‌های با خاصیت اسیدی قوی، انتظار می‌رود [10]. از طرف دیگر، کاهش سرعت هم زدن الکترولیت حین آندایز تحت پتانسیل ثابت، باعث افزایش دمای محلی در لایه‌ی اکسید داخلی شده و بنابراین چگالی جریان را افزایش می‌دهد [18]؛ در نتیجه‌ی این امر، انحلال شیمیایی لایه‌ی اکسید داخلی و هم چنین شکل گیری الکتروشیمیایی لایه‌ی اکسید آندی، با سرعت بیشتری انجام می‌گیرد و در نهایت قطر حفره‌های تشکیل شده کوچک‌تر خواهد بود. در شکل 7 تأثیر هم زدن الکترولیت روی قطر حفره‌ها، شرح داده شده است.

filereader.php?p1=main_46d46a759bf6cbed0
شکل 7- تأثیر هم زدن الکترولیت روی قطر حفره‌های آلومینای آندی.

از دیگر مواردی که بر روی مقدار قطر حفره‌ها مؤثر می‌باشد می‌توان به غلظت الکترولیت، pH الکترولیت و زمان آندایز اشاره کرد.

2-4- فاصله‌ی بین حفره‌ها
عموماً پذیرفته شده است که فاصله‌ی بین حفره‌ای در ساختار آلومینای آندی متخلخل، با پتانسیل رشد لایه‌ی اکسیدی رابطه‌ی خطی دارد و ثابت تناسب این رابطه، λc، برای آندایز نرم، تقریباً برابر 2.5 نانومتر بر ولت و برای آندایز سخت، در محدوده‌ی 2-1.5 نانومتر بر ولت می‌باشد [19] (فرآیندهای آندایز نرم و سخت در مقاله‌ی فرآیند آندایز 2، معرفی شده‌اند):

رابطه(Dc = λc . U                                                                                                        (13

تحقیق شده است که فاصله‌ی بین حفره‌ای می‌تواند به صورت جزئی، در پتانسیل ثابت، وابسته به دمای آندایز و یا مستقل از آن باشد. اگر آندایز در حضور اسید اکسالیک، به عنوان الکترولیت، انجام شود، فاصله‌ی بین حفره‌ای وابسته به دما نخواهد بود [20]. برخلاف این، اگر الکترولیت آندایز، اسید سولفوریک باشد، فاصله‌ی بین حفره‌ای وابستگی به دما خواهد داشت [21].
در تحقیقات انجام شده توسط اوسالیوان و وود، نشان داده شده است که افزایش غلظت الکترولیت، فاصله‌ی بین حفره‌ای را کاهش می‌دهد [2]. آن‌ها آندایز را در الکترولیت اسید سولفوریک و در چگالی جریان ثابت انجام دادند و مشاهده کردند که افزایش دمای آندایز هم به میزان افزایش غلظت الکترولیت روی کاهش فاصله‌ی بین حفره‌ای تأثیر می‌گذارد.

4-3- ضخامت دیواره
طبق تحقیقات اوسالیوان و وود، قطر حفره برای آندایز تحت پتانسیل ثابت، از رابطه‌ی زیر محاسبه می‌شود [2]:

رابطه (Dp = Dc – 2W                                                                                                   (14 

که در آن Dp قطر حفره، Dc فاصله‌ی بین حفره‌ای و W ضخامت دیواره است. به این ترتیب ضخامت دیواره را می‌توان از رابطه‌ی فوق، به شکل زیر محاسبه کرد:

رابطه (W = (Dc – Dp) / 2                                                                                             (15

آنها هم چنین نشان دادند که برای آندایز در اسید فسفریک، ضخامت دیواره با ضخامت لایه‌ی سدی رابطه‌ی خطی دارد:

رابطه(W = 0.71B                                                                                                         (16 
آن‌ها گزارش کردند که تناسب بین ضخامت دیواره و ضخامت لایه‌ی سدی در آندایز در الکترولیت اسید اکسالیک، در محدوده‌ی ولتاژ 5 تا 40 ولت، کمی تغییر می‌کند. برای ولتاژهای بین 5 تا 20 ولت، این ثابت تناسب برابر 0.66 می‌باشد که با بالا رفتن ولتاژ تا رسیدن به 40 ولت، این مقدار نیز به آرامی افزایش پیدا می‌کند و نهایتاً به مقدار 0.89 می‌رسد [2].

5- نتیجه گیری
یون‌های OH  و -O2 مهم‌ترین عوامل شکل‌گیری لایه‌ی اکسید متخلخل شناخته شده‌اند که هرکدام از طریق واکنش‌های مربوط به خود، وارد فرآیند آندایز می‌شوند. این یون‌هایی که به دیواره‌ی سلول‌ها نفوذ می‌کنند، خصوصیات لایه‌ی آلومینای متخلخل را تعریف می‌نمایند. ساختارهای دوتایی و سه‌تایی برای دیواره‌ی سلول‌ها پیشنهاد شده است که در هر دو مورد، لایه‌ی داخلی دیواره متشکل از آلومینای خالص می‌باشد.
در ساختار آلومینای متخلخل، فضاهایی خالی روی نوک برآمدگی‌های زیر لایه‌ی آلومینیوم، در سطح مشترک فلز و اکسید، در لایه‌ی داخلی دیواره‌های سلول مشاهده می‌شود که برای تحمل فشار در لایه ایجاد می‌شوند.
با توجه به آنچه گفته شد، پارامترهای هندسی از قبیل قطر حفره‌ها، فاصله‌ی بین حفره‌ای و ضخامت دیواره‌ی سلول‌ها، تحت تأثیر عواملی مانند ولتاژ آندایز، دمای الکترولیت، غلظت الکترولیت و عوامل دیگر، قابل کتنرل می‌باشند.

منابـــع و مراجــــع

[1] J. Siejka, C. Ortega, “An O18 Study of Field‐Assisted Pore Formation in Compact Anodic Oxide Films on Aluminum”, J. Electrochem. Soc., Vol. 124, pp. 883–891 (1977).

[2] J. P. O'Sullivan, G.C. Wood, “The Morphology and Mechanism of Formation of Porous Anodic Films on Aluminium”, Proceedings of The Royal Society A, Vol.317, pp. 511–543 (1970).

[3] A. C. Crossland, H. Habazaki, K. Shimizu, P. Skeldon, G. E. Thompson, G. C. Wood, X. Zhou, C. J. E. Smith, “Residual Flaws Due to Formation of Oxygen Bubbles in Anodic Alumina”, Corrosion Science, Vol. 41, pp. 1945–1954 (1999).

[4] E. Zhuravlyova, L. Iglesias-Rubianes, A. Pakes, P. Skeldon, , G. E. Thompson, X. Zhou, T. Quance, M. J. Graham, H. Habazaki, K. Shimizu, “Oxygen Evolution within Barrier Oxide Films”, Corrosion Science,Vol. 44, pp. 2153–2159 (2002).

[5] X. F. Zhu, D. D. Li, Y. Song, Y. H. Xiao, “The Study on Oxygen Bubbles of Anodic Alumina Based on High Purity Aluminum”, Mater. Lett., Vol. 59, pp. 3160–3163 (2005).

[6] K.Shimizu, H. Habazaki, P. Skeldon, “Role of Metal Ion Impurities in Generation of Oxygen Gas within Anodic Alumina” , Electrochimica Acta, Vol. 47, pp. 1225–1228 (2002).

[7] O. Jessensky, F. Müller, U. Gösele, “Self-organized Formation of Hexagonal Pore Structures in Anodic Alumina”, J. Electrochem. Soc., Vol.145, 3735–3740, (1998).

[8] G. E. Thompson, “Porous anodic alumina: Fabrication, Characterization and Applications”, Thin Solid Films, Vol. 297, pp. 192–201 (1997).

[9] A. Eftekhari, “Nanostructured Materials in Electrochemistry”, 1st Edition, USA: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, (2008).

[10] G. E. Thompson, G. C. Wood, “Treatise on Materials Science and Technology”, Academic Press New York, Vol. 23 (1983).

[11] G. E. Thompson, R. C. Furneaux, G. C. Wood, J. A. Richardson, J. S. Goode, “Porous Anodic Film Formation on Aluminium”, Nature, Vol. 272, pp. 433–435 (1978).

[12] S. Ono, N. Masuko, “The High Resolution Observation of Porous Anodic Films Formed on Aluminum in Phosphoric Acid Solution”, Corrosion Science, Vol. 33, pp. 841–850 (1992).

[13] J. W. Diggle, T. C. Downie, C. W. Goulding, “Anodic Oxide Films on Aluminum”, Chem. Rev., Vol. 69, pp. 365–405 (1969).

[14] G. Patermarakis, P. Kerassovitou, “Study on the Mechanism of Oxide Hydration and Oxide Pore Closure During Hydrothermal Treatment of Porous Anodic Al2O3 Films”, Electrochimica Acta, Vol. 37, pp. 125–131 (1992).

[15] S. Ono, H. Ichinose, N. Masuko, “Defects in Porous Anodic Films Formed on High Purity Aluminum”, J. Electrochem. Soc., Vol. 138, pp. 3705–3710 (1991).

[16] S. Ono, H. Ichinose, N. Masuko, “Lattice Images of Crystalline Anodic Alumina Formed on a Ridged Aluminum Substrate”, J. Electrochem. Soc., Vol. 139, pp. 80–81 (1992).

[17] F. Keller, M.S. Hunter, D. L. Robinson, “Structural Features of Oxide Coatings on Aluminum”, J. Electrochem. Soc., Vol. 100, pp. 411–419 (1953).

[18] F. Li, L. Zhang, R. M. Metzger, “On the Growth of Highly Ordered Pores in Anodized Aluminum Oxide”,Chem. Mater., Vol. 10, pp. 2470–2480 (1998).

[19] K. Nielsch, J. Choi, K. Schwirn, R. B. Wehrspohn, U. Gösele, “Self-Ordering Regimes of Porous Alumina: The 10% Porosity Rule”, Nano Lett., Vol. 2, pp. 677–680 (2002).

[20] S-K. Hwang, S-H. Jeong, H-Y. Hwang, O-J. Lee, K-H. Lee, “Fabrication of Highly Ordered Pore Array in Anodic Aluminum Oxide”, Korean J. Chem. Eng., Vol. 19, pp. 467–473 (2002).

[21] G. D. Sulka, K. G. Parkola, “Temperature Influence on Well-Ordered Nanopore Structures Grown by Anodization of Aluminium in Sulphuric Acid”, Electrochimica Acta, Vol. 52, pp. 1880–1888 (2007).