برترین کاربران هفتگی این مقاله

از ۱۳۹۹/۰۷/۲۶ تا ۱۳۹۹/۰۸/۰۲

هیچ کاربری در این بازه زمانی وجود ندارد

آمار مقاله
  • بازدید کل ۴۵۱
  • بازدید این ماه ۱۱۶
  • بازدید امروز ۰
آمار آزمون مقاله
  • کل شرکت کنندگان ۲۲
  • قبول شدگان ۱۶
  • شرکت کنندگان یکتا ۱۰
  • میانگین درصد شرکت کنندگان ۷۴
واژه نامه فناوری نانو

نانو

nano

پيشوندي به معناي يک بيليونم يا (000،000،000،1/1). در متون فناوري‌نانو، معمولا براي مشخص کردن يک واحد اندازه‌گيري برابر با 10 به توان منفي 9 متر استفاده مي‌شود.

سطح مقاله

منابع دهمین مسابقه ملی فناوری نانو

طرح درس

دهمین مسابقه ملی نانو

نویسندگان
کلمات کلیدی
امتیاز کاربران

تحلیل و کاربرد داده‌ها و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) - 2

میکروسکوپ الکترونی روبشی یک ابزار بسیار توانمند برای مشاهده پدیده‌های سطحی با استفاده از باریکه‌ای متمرکز از الکترون‌ها است. با استفاده از این نوع میکروسکوپ می‌توان علاوه بر مطالعه مورفولوژی سطح، ترکیب شیمیایی سطح، مکان دقیق هر کدام از عناصر و جهت‌گیری دانه‌ها را هم مورد بررسی قرار داد. در این مقاله، به طور مفصل به تحلیل تصاویر حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی، و اطلاعاتی که می‌توان از هر تصویر به‌دست آورد، پرداخته می‌شود.     

 

1-   مقدمه

در مقاله «تحلیل و کاربرد داده‌ها و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)-1 » موجود در سایت آموزشی نانو به تحلیل و بررسی عمیق تصاویر حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی پرداخته شد و مباحثی مانند تشخیص مورفولوژی، تعیین اندازه دانه، مطالعه سطح‌مقطع، سطوح شکست، سطوح پس از خوردگی و سایش، و هم‌چنین تصاویر حاصل از الکترون‌های برگشتی در این نوع میکروسکوپ مورد بحث و بررسی قرار گرفت. در این مقاله به تشریح سایر اطلاعاتی که می‌توان از تصاویر حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی به‌دست آورد، پرداخته خواهد شد. 

 

2-  تعیین ترکیب شیمیایی سطح

1-2- نوع عناصر و مقدار آن‌ها

استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی امکان مطالعه نوع عناصر موجود در سطح و هم‌چنین، درصد وزنی و اتمی هر کدام از آن‌ها را فراهم می‌کند. این کاربرد میکروسکوپ الکترونی روبشی با تجزیه و تحلیل اشعه ایکس حاصل از برخورد باریکه الکترونی متمرکز شده به نمونه، و ورود آن به آشکارساز اشعه ایکس صورت می‌گیرد. برای مطالعه جامع درباره مکانیزم برانگیختگی و تولید اشعه ایکس و نحوه آشکارسازی آن در میکروسکوپ الکترونی روبشی به مقاله «سیستم‌های تفکیک انرژی و تفکیک طول موج میکروسکوپ‌ الکترونی روبشی» در سایت آموزشی نانو مراجعه بفرمایید. بنابراین، می‌توان نتیجه گرفت که میکروسکوپ الکترونی روبشی به‌طور همزمان قادر به انجام آنالیز کمی و کیفی روی نمونه‌های مورد مطالعه است.

 تصویری که نرم‌افزار نصب شده روی میکروسکوپ الکترونی روبشی برای آنالیز عنصری ارائه می‌دهد، دارای دو محور عمودی و افقی است؛ محور افقی، نمایان‌گر انرژی بوده که نوع عنصر را نشان می‌دهد (آنالیز کیفی)، و محور عمودی نشان‌گر شدت است که متناظر با مقدار عنصر است. هر کدام از عناصر مورد مطالعه بسته به ساختار منحصربه‌فرد اتمی خود، یک پیک (قله) در انرژی خاص ایجاد می‌کند. باید توجه داشت که اولا هر عنصر الزاما در یک مقدار انرژی ایجاد قله نمی‌کند؛ و ممکن است که بسته به نوع عنصر دو یا چند قله ایجاد کند که متناظر با سطوح انرژی Kα، Kβ و Lα باشد. ثانیا، امکان تطبیق (روی هم افتادن) پیک برخی عناصر، به‌دلیل اختلاف کم در سطوح انرژی آن‌ها وجود دارد. برای درک بهتر نحوه تحلیل نتایج طیف‌سنجی پراش انرژی اشعه ایکس، شکل 1 را در نظر بگیرید. این شکل مثال‌هایی از تصاویر طیف‌سنجی پراش انرژی اشعه ایکس برای ماده کامپوزیتی نیکل-فسفر-تیتاینوم‌دی‌اکسید که با سیستم‌های مختلف تهیه شده است را نشان می‌دهد.

 

 

شکل 1- تصاویر طیف‌سنجی پراش انرژی اشعه ایکس از ماده کامپوزیتی نیکل-فسفر-تیتانیوم‌دی‌اکسید با استفاده از سه سیستم متفاوت. توجه داشته باشید که مقدار عناصر در  ماده کامپوزیتی در قمست‌های الف-پ یکسان نیست.

 

در قسمت (الف)، سه قله نیکل متناظر با سطوح انرژی Lα، Kα و Kβ در انرژی‌های 0/869، 7/47 و 8/26 کیلوالکترون‌ولت دیده می‌شود که شدت قله در سطح انرژی Kα بیش‌تر از دو قله دیگر است. نتیجه دیگری که می‌توان از این تصویر گرفت این است که در این ماده کامپوزیتی، مقدار عنصر نیکل بیش‌تر از سایر عناصر است. طیف موجود در قسمت (ب) و (پ) هم قله‌های نیکل در همان مقادیر انرژی‌ را نشان می‌دهند، با این تفاوت که مقدار نیکل در این طیف‌ها بسیار کم‌تر از قسمت (الف) است.  

باید توجه داشت که برای مطالعه عناصری که پیک‌های آن‌ها در سطوح انرژی بسیار بالا ظاهر می‌شود، مانند Kα و Kβ کادمیوم که به‌ترتیب در انرژی‌های 23 و 26 کیلوالکترون‌ولت پدید می‌آیند، باید ولتاژ بسیار بالایی به دو سر فیلامان اعمال شود که در عمل غیرممکن بوده و باعث خراب شدن دستگاه می‌شود. معمولا برای تشخیص وجود این عناصر باید از قله‌های ظاهر شده در سطوح انرژی Lα استفاده کرد. البته، در چنین شرایطی هم نمی‌توان مقدار کمی دقیقی برای این عناصر در ماده تعیین کرد.

نرم‌افزار این دستگاه، مقدار کمی عناصر را به‌صورت جدول در کنار تصویر طیف ارائه می‌دهد. به‌عنوان مثال، برای شکل 1-الف، جدول زیر توسط نرم‌افزار ارائه شده است (جدول 1). همان‌طور که قبلا هم اشاره شد، عنصر نیکل بیش‌‌ترین مقدار را دارد. عنصر اکسیژن به‌دلیل داشتن تنها یک پیک بسیار ضعیف، کم‌ترین مقدار را دارد.

 

جدول 1- مقادیر کمی حاصل از نرم‌افزار دستگاه SEM برای شکل 1-الف.

 

 

این نرم‌افزار، تسهیلات دیگری هم برای مطالعه دقیق مکان عناصر در ماده فراهم می‌کند. به‌عنوان مثال، در یک ماده کامپوزیتی، توزیع یکنواخت و همگن ذرات تقویت‌کننده از اهمیت ویژه‌ای برخوردار است، چراکه در صورت عدم توزیع یکنواخت ذرات و تجمع آن‌ها، خواص ماده زمینه به‌جای تقویت، تضعیف خواهد شد. یکی از بهترین راه‌کارها برای مطالعه توزیع ذرات، استفاده از تصاویر نگاشت (mapping) است که پروفیلی از پراکندگی عناصر را ارائه می‌دهد. در تصاویر نگاشت، هر عنصر با رنگی منحصربه‌فرد نمایش داده می‌شود که به تعیین مکان و مقدار آن در ریزساختار کمک شایان‌توجهی می‌کند. شکل 2 مثال‌هایی از تصاویر نگاشت برای بررسی توزیع یکنواخت و غیریکنواخت ذرات در زمینه را نشان می‌دهد.   

 

شکل 2- مثال‌هایی از تصاویر نگاشت برای بررسی توزیع (الف) یکنواخت و (ب) غیریکنواخت ذرات در زمینه.

 

قسمت (الف) شکل، توزیع یکنواخت ذرات ایتریم اکسید در زمینه آلیاژی نیکل-مس را نشان می‌دهد. در طرف دیگر، در قسمت (ب) تجمعی از ذرات اکسید کروم در زمینه نیکل-آهن دیده می‌شود.

دیگر مزیت استفاده از آنالیز عنصری در میکروسکوپ الکترونی روبشی، بررسی خطی توزیع عناصر (line scan) است، به‌طوری که می‌توان با رسم خطی روی هر منطقه دلخواه از سطح، توزیع عناصر در امتداد آن خط را مطالعه کرد. اصلی‌ترین کاربرد این نوع آنالیز، در تعیین آخال‌ها و توزیع عناصر در عمق (ضخامت) یک ماده است. شکل 3 مثال‌هایی از کاربردهای آنالیز عنصری خطی را نشان می‌دهد.  

 

شکل 3- مثال‌هایی از کاربردهای آنالیز عنصری خطی: (الف) تعیین آخال و ترکیب شیمیایی آن و (ب) توزیع عناصر در پوشش چندلایه.

 

با بررسی داده‌های به‌دست آمده در قسمت (الف) می‌توان نتیجه گرفت که ناخالصی موجود در شکل بیش‌تر شامل تیتانیوم و منیزیوم است. قسمت (ب) شکل هم به‌وضوح نشان می‌دهد یک پوشش چندلایه، با لایه‌های متناوب نیکل و کروم به ضخامت 3/6 میکرومتر روی زیرلایه مسی ترسیب یافته است. در این شکل، محدوده‌ای که مقدار کروم افزایش می‌یابد متناظر با محدوده کاهش نیکل است و بالعکس. مقدار هر دو عنصر نیکل و کروم پس از حدود 3/6 میکرومتر به صفر رسیده و مقدار مس شروع به افزایش می‌کند؛ یعنی پس از 3/6 میکرومتر دیگر پوششی وجود ندارد. 

 

3-  اطلاعات حاصل از پراش الکترون برگشتی (Electron backscatter diffraction; EBSD)

پراش الکترون برگشتی یکی از روش‌های مشخصه‌یابی ریزساختاری-بلورشناسی مبتنی بر میکروسکوپ الکترونی روبشی است که برای مطالعه مواد بلوری یا چندبلوری مورد استفاده قرار می‌گیرد. 

 

1-3- تعیین فاز، تحولات فازی و جهت‌گیری

مهم‌ترین حوزه کاربردی پراش الکترون برگشتی، ارزیابی آماری از ارتباط جهت‌ بین فازها و حوزه‌ها است. به‌طور کلی، پراش الکترون برگشتی یک ابزار برای مطالعه ریزساختار ماده است که به درک تحولات فازی کمک شایان‌توجهی می‌کند. شکل 4، مثالی از تاثیر عناصر آلیاژی روی ریزساختار مارتنزیتی است که با روش پراش الکترون برگشتی مورد مطالعه قرار گرفته است. قسمت (الف) شکل 4، تغییر ریزساختار مارتنزیتی و تعیین مرزهای مارتنزیت را برحسب مقدار کربن نشان می‌دهد. قسمت (ب) تصویر نشان‌دهنده وجود عدم انطباقی کوچک در جهت‌گیری مرزهای مارتنزیت است که بیش‌تر در مارتنزیت کم‌کربن دیده می‌شود؛ در حالی‌که با افزایش مقدار کربن، این مرزها با مرزهای دوقلویی جایگزین می‌شوند (شکل 4-پ). با افزایش بیش‌تر مقدار کربن، این واحدها (ناحیه‌های مختلف) به شکل بشقابی درمی‌آیند(شکل 4-ت).

 

شکل 4- آنالیز EBSD از مرزهای مارتنزیتی در سیستم آهن-کربن برحسب مقدار کربن: (الف) تعیین کسر طولی مرزهای مارتنزیت؛ (ب) بزرگنمایی نقشه EBSD فولاد بین‌نشینی دارای شش مارتنزیت مختلف که به‌صورت بلوک (block) و زیربلوک (sub-block) طبقه‌بندی شده‌اند، (پ) بزرگنمایی نقشه EBSD فولاد با 0/75 درصد کربن که مرزهای بلوکی دوقلویی غالب هستند؛ و (ت) بزرگنمایی نقشه EBSD فولاد با 1/8 درصد کربن که مارتنزیت‌های مختلف به‌شکل بشقابی درآمده‌اند. عدم انطباق در جهت‌گیری مرزها با زاویه بین 13-4 درجه با رنگ سفید و مرزهای با زاویه بیش‌تر از 19 درجه با رنگ سیاه مشخص شده‌ است.

 

سیستمی شامل پراش الکترون‌های برگشتی+طیف‌سنجی پراش انرژی اشعه ایکس (EBSD+EDS) به‌سهولت امکان تشخیص نوع فاز را فراهم می‌کند. در چنین سیستمی طیف EDS همراه با الگوهای پراش الکترون برگشتی جمع شده و پیک‌های طیف آشکار می‌شوند. با تطبیق این پیک‌ها با فازهای موجود در بانک‌های اطلاعاتی می‌توان نوع فازها را تشخیص داد. با اندیس‌گذاری این الگوها، مشابه آن‌چه که در شکل 5 مشاهده می‌کنید، می‌توان با ضریب اطمینان بالا فاز موجود را شناسایی کرد.

 

شکل 5- الگوی پراش الکترون‌های برگشتی از دو نوع رسوب مختلف در یک ماده: (الف) AlN و (ب) Cr23C6.

 

پس از شناسایی رسوبات، امکان تهیه نگاشت از ناحیه مورد مطالعه وجود دارد تا توزیع فازها را در آن نشان داد. شکل 6 نگاشت رسوبات AlN و Cr23C6 در زمینه فریتی را نشان می‌دهد. در این شکل، رنگ‌های آبی، قرمز و سبز به‌ترتیب متناظر با فاز فریت، رسوبات AlN و Cr23C6 هستند. خطوط سیاه هم مرزدانه‌ها را نشان می‌دهند.

 

شکل 6- نگاشت (نقشه) فازی از زمینه فریتی با رسوبات AlN و Cr23C6.

 

با آنالیز EBSD و نگاشت حاصل از آن‌ها می‌توان به‌آسانی جهت‌گیری دانه‌ها را تشخیص داد. در موادی که تحت فرآیندهای تغییرشکل مانند نورد قرار گرفته‌اند، دانه‌ها و حتی مرزدانه‌ها دچار تغییرشکل و تغییرجهت می‌شوند. به‌عنوان مثال، در شکل 7 که یک نگاشت جهت‌گیری است، رنگ سبز نشان‌دهنده نقاطی با جهت بلوری <110>، هم‌راستا با جهت نورد است. مرزدانه‌های با زاویه بزرگ‌تر از 10 درجه به رنگ سیاه، و مرز دانه‌های فرعی (با زاویه 10-2 درجه) با رنگ خاکستری مشخص شده‌اند.

 

شکل 7- نگاشت جهت‌گیری برای نمایش جهت‌گیری هر کدام از دانه‌ها در ریزساختار.

 

امکان مطالعه جهت‌گیری نسبی دانه‌ها با بررسی نگاشت عدم‌انطباق میانگین وجود دارد؛ به‌طوری‌که عدم‌انطباق بین تمام نقاط در هر دانه محاسبه شده و با رنگی مشخص نشان داده می‌شود. برای درک بهتر این موضوع شکل 8-الف را در نظر بگیرید، که در آن رنگ آبی نشان‌دهنده دانه‌هایی با عدم‌انطباق داخلی بسیار کم است. این دانه تحت تبلورمجدد قرار گرفته‌ است. هم‌چنین، رنگ‌های سبز، زرد و قرمز نشان‌دهنده افزایش تدریجی میزان عدم‌انطباق داخلی هستند. بنابراین، این دانه‌ها تحت تبلورمجدد قرار نگرفته‌اند. هم‌چنین، این نرم‌افزار به‌طور خودکار توانایی تعیین کسر حجمی دانه‌های تبلورمجدد یافته را دارد (َشکل 8-ب). در این شکل، دانه‌های تبلورمجدد یافته با رنگ آبی مشخص شده و حدود 54% از کل سطح را تشکیل می‌دهند. دانه‌های تبلورمجدد نیافته هم با رنگ قرمز مشخص هستند.  

 

شکل 8- (الف) نگاشت عدم‌انطباق میانگین در جهت‌گیری و (ب) نگاشت کسر دانه‌های تبلورمجدد یافته.

 

2-3- محاسبه کرنش، چرخش بلوری و نابه‌جایی‌ها

وجود کرنش در مواد بلوری روی شبکه بلوری آن‌ها تاثیر می‌گذارد. البته، تاثیر کرنش الاستیک با کرنش پلاستیک متفاوت بوده و امکان تشخیص آن‌ها از الگوی پراش الکترون‌ برگشتی وجود دارد. تغییرات ناشی از کرنش الاستیک باعث تغییراتی در پارامتر شبکه در راستای کرنش اعمالی یا کرنش پسماند می‌شود. وجود چنین کرنش‌هایی در نهایت منجر به تغییر در پهنای برخی از باندهای الگوی پراش الکترون‌ برگشتی خواهد شد.  اگر شبکه بلوری خم شود، صفحات شبکه کاملا موازی هم نخواهند بود و این پدیده باعث تیره‌تر شدن جزئی شبکه در لبه‌های باند پراش می‌شود. هم‌چنین، پهنای باندها هم در این شرایط تغییر خواهند یافت.

کرنش پلاستیک معمولا توام با تشکیل نابه‌جایی‌ها بوده که باعث کاهش کیفیت الگو می‌شود. اگر کل حجم الگو داخل یک دانه فرعی باشد، یعنی ناحیه‌ای با تراکم بالا از نابه‌جایی‌ها، دلیل کاهش کیفیت الگو، انحراف موضعی صفحات شبکه در حال پراش خواهد بود. اما درصورتی‌که حجم پراش بیش از یک دانه فرعی باشد، دلیل کاهش کیفیت، انطباق الگوهای حاصل از هر دانه فرعی با یک‌دیگر خواهد بود. باید توجه داشت که حتی اگر دانه تحت تغییرشکل ماکروسکوپیک هم قرار داشته باشد، احتمال تغییر نیافتن کیفیت الگوها به‌دلیل بازیابی یا تبلورمجدد وجود دارد. به‌طور کلی، صرف‌نظر از نوع کرنش، تاثیر کرنش روش الگوها می‌تواند به‌اندازه کسری از پیکسل (نقطه‌تصویر) در جابه‌جایی باند یا کاهش جزئی کیفیت در الگو باشد. بنابراین، باید محاسبه و تعیین کرنش با استفاده پراش الکترون‌های برگشتی با دقت بالایی انجام گیرد.

محاسبه کرنش نسبی و دوران با استفاده از پراش الکترون‌ برگشتی با وضوح بالا، مستقیما با مقایسه الگوهای EBSD انجام می‌پذیرد. یکی از موفقیت‌آمیزترین راه‌کارهای ارائه شده در این زمینه، محاسبه تغییرات زوایای بین‌صفحه‌ای و متعاقبا، تعیین اجزای تانسور کرنش الاستیک انحرافی است. یک مثال نگاشت (mapping) کرنش در فلزات با استفاده از محاسبات پراش الکترون‌های برگشتی در آلیاژهای آستنیتی-مارتنزیتی برای مشخصه‌یابی توزیع کرنش و دوران ایجاد شده در زمینه آستنیتی به‌دلیل تطابق کرنش شکل (shape strain) همراه با تشکیل مارتنزیت، در شکل 9 نشان داده شده است.

یک منطقه آستنیتی احاطه شده با دانه عدسی‌شکل مارتنزیتی در آلیاژ دیده می‌شود (شکل 9-الف). تحلیل خطی اجزای تانسور کرنش در ناحیه آستنیتی نشان‌‌دهنده افزایش کرنش در مجاورت مارتنزیت است. قسمت (ب) شکل 9 یک الگوی نگاشت کیفی با کنتراست بالا از همان دانه عدسی‌شکل مارتنزیتی و آستنیت موجود در اطراف آن را نشان می‌دهد. از آن‌جایی‌که کیفیت الگو در حجم پراش، تحت تاثیر کرنش پسماند قرار می‌گیرد، مناطق کرنش‌یافته تیره‌تر از مناطق کرنش‌نیافته در ریزساختار دیده می‌شوند. بنابراین، پراش الکترون‌ برگشتی با وضوح بالا توزیعی از کرنش در یک ماده ارائه می‌کند.

 

شکل 9- (الف) تحلیل خطی اجزای تانسور کرنش الاستیک در طول ناحیه آستنیتی احاطه‌شده با دانه مارتنزیتی عدسی‌شکل و (ب) نقشه الگوی کیفی از همان دانه.

 

از پراش الکترون‌های برگشتی برای مشخصه‌یابی چگالی نابه‌جایی‌ها هم استفاده می‌شود، چرا که عدم‌انطباق در جهت‌گیری بین دو نقطه همسایه، یک مقدار تقریبی از حضور نابه‌جایی‌های الزم هندسی (geometrically necessary dislocations) را ارائه می‌دهد. این روش دوبعدی برپایه اندازه‌گیری جهت گرادیان‌ها با الگوهای پراش الکترون‌های برگشتی، و سپس محاسبه تانسور چگالی نابه‌جایی‌ها است. چگالی نابه‌جایی‌های اندازه گرفته شده با این روش یک حد پایین از چگالی کل نابه‌جایی‌ها است، چرا که امکان محاسبه تمام تانسورهای نابه‌جایی وجود ندارد. بنابراین، تنها با استفاده از تصاویر سه‌بعدی می‌توان چگالی کل نابه‌جایی‌های موجود را محاسبه کرد. به‌طور خلاصه، پراش الکترون‌های برگشتی یک روش سریع برای محاسبه چگالی نابه‌جایی‌های موضعی در یک ماده بالک به‌شمار می‌رود چرا که نیازی به مراحل زمان‌بر آماده‌سازی نمونه ندارد.

 

نتیجه گیری

میکروسکوپ الکترونی روبشی یک ابزار بسیار توانمند برای مشاهده پدیده‌های سطحی با استفاده از باریکه‌ای متمرکز از الکترون‌ها است. در این مقاله به بررسی اطلاعات حاصل از داده‌های میکروسکوپ الکترونی روبشی مانند تعیین ترکیب شیمیایی، جهت‌گیری دانه‌ها، تعیین کرنش و چگالی نابه‌جایی‌ها پرداخته شد. گفته شد که استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی امکان مطالعه نوع عناصر موجود در سطح و هم‌چنین، درصد وزنی و اتمی هر کدام از آن‌ها را فراهم می‌کند. داده‌های نرم‌افزار نصب شده روی این میکروسکوپ دارای دو محور عمودی و افقی است؛ محور افقی، نمایان‌گر انرژی بوده که نوع عنصر را نشان می‌دهد (آنالیز کیفی)، و محور عمودی نشان‌گر شدت است که متناظر با مقدار عنصر است. اشاره شد که یکی از بهترین راه‌کارها برای مطالعه توزیع ذرات، استفاده از تصاویر نگاشت است که پروفیلی از پراکندگی عناصر را ارائه می‌دهد. در تصاویر نگاشت، هر عنصر با رنگی منحصربه‌فرد نمایش داده می‌شود که به تعیین مکان و مقدار آن در ریزساختار کمک شایان‌توجهی می‌کند. گفته شد که دیگر مزیت استفاده از آنالیز عنصری در میکروسکوپ الکترونی روبشی، بررسی خطی توزیع عناصر است، به‌طوری که می‌توان با رسم خطی روی هر منطقه دلخواه از سطح، توزیع عناصر در امتداد آن خط را مطالعه کرد. اصلی‌ترین کاربرد این نوع آنالیز، در تعیین آخال‌ها و توزیع عناصر در عمق (ضخامت) یک ماده است. تاکید شد که مهم‌ترین حوزه کاربردی پراش الکترون برگشتی، ارزیابی آماری از ارتباط جهت‌ بین فازها و حوزه‌ها است. اشاره شد که امکان مطالعه جهت‌گیری نسبی دانه‌ها با بررسی نگاشت عدم‌انطباق میانگین وجود دارد؛ به‌طوری‌که عدم‌انطباق بین تمام نقاط در هر دانه محاسبه شده و با رنگی مشخص نشان داده می‌شود. در نهایت، گفته شد که از پراش الکترون‌های برگشتی برای تعیین نوع کرنش، محاسبه کرنش نسبی و دوران، و هم‌چنین مشخصه‌یابی چگالی نابه‌جایی‌ها هم استفاده می‌شود.

منابـــع و مراجــــع

[1] Borrajo-Pelaez, Rafael, and Peter Hedström. "Recent developments of crystallographic analysis methods in the scanning electron microscope for applications in metallurgy." Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences 43, no. 6 (2018): 455-474.

[2] Sneddon, Glenn C., Patrick W. Trimby, and Julie M. Cairney. "Transmission Kikuchi diffraction in a scanning electron microscope: A review." Materials Science and Engineering: R: Reports 110 (2016): 1-12.

[3] Smith, K. C. A., and C. W. Oatley. "The scanning electron microscope and its fields of application." British Journal of Applied Physics 6, no. 11 (1955): 391.

[4] Muscariello, Livio, Francesco Rosso, Gerardo Marino, Antonio Giordano, Manlio Barbarisi, Gennaro Cafiero, and Alfonso Barbarisi. "A critical overview of ESEM applications in the biological field." Journal of cellular physiology 205, no. 3 (2005): 328-334.

[5] Baba-Kishi, K. Z. "Review Electron backscatter Kikuchi diffraction in the scanning electron microscope for crystallographic analysis." Journal of materials science 37, no. 9 (2002): 1715-1746.

[6] Vida-Simiti, Ioan, N. Jumate, I. Chicinas, and G. Batin. "Applications of scanning electron microscopy (SEM) in nanotechnology and nanoscience." Rom. J. Phys 49, no. 9-10 (2004): 955-965.

[7] Cortadellas i Raméntol, Núria, Eva Fernández, and Almudena Garcia. "Biomedical and biological applications of scanning electron microscopy." Capítol del llibre: Handbook of instrumental techniques for materials, chemical and biosciences research, Centres Científics i Tecnolōgics. Universitat de Barcelona, Barcelona, 2012. Part III. Biosciences technologies (BT), BT. 3, 10 p. (2012).

[8] Akhtar, Kalsoom, Shahid Ali Khan, Sher Bahadar Khan, and Abdullah M. Asiri. "Scanning Electron Microscopy: Principle and Applications in Nanomaterials Characterization." In Handbook of Materials Characterization, pp. 113-145. Springer, Cham, 2018.

[9] Kejzlar, Pavel, Martin Švec, and Eva Macajová. "The usage of backscattered electrons in scanning electron microscopy." Manufacturing Technology 14, no. 3 (2014): 333-336.

[10] Chen, Zhongwei, Yanqing Yang, and Huisheng Jiao. "Some applications of electron back scattering diffraction (EBSD) in materials research." In Scanning electron microscopy. IntechOpen, 2012.